发射针形成方法、发射针、电子源及电子显微镜技术

本发明专利技术公开了一种发射针形成方法、发射针、电子源及电子显微镜，涉及电子显微镜技术领域，发射针形成方法包括将直径为0.1

【技术实现步骤摘要】
发射针形成方法、发射针、电子源及电子显微镜


[0001]本专利技术涉及电子显微镜
，更具体地说，涉及一种发射针形成方法、发射针、电子源及电子显微镜。

技术介绍

[0002]电子显微镜是当代重要的科学研究、工程观察和量测仪器，在物理、材料、化学、生命等科研领域，半导体先进制程、工程材料检测等工业领域发挥着巨大的作用。
[0003]电子源是其关键零部件之一，电子源的特性往往决定了电子显微镜的主要性能。以扫描电子显微镜为例：低端扫描电镜均使用发叉式热阴极(钨丝、六硼化镧)作为电子源，中高端电镜使用冷场发射单晶钨以及热场发射氧化锆
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单晶钨电子源。冷场发射电子源具有亮度高、虚源小、能散小等特点，通常应用于极高分辨率的电子显微镜。
[0004]冷场发射电子源尖端在外加电场的作用下，电子脱离基体，行程电子发射。尖端表面的电场强度需要达到0.5～1.5x109V/m电子才能逸出。为了达到如此高的电场强度，冷场电子源的尖端半径需要非常小，达到0.1～0.3um。冷场发射电子源针尖通常用直径0.1～0.5mm的钨单晶材料采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发射针形成方法，其特征在于，包括：将直径为0.1
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0.5mm的柱形体(1)的部分置入电化学腐蚀液(2)中；向所述电化学腐蚀液(2)通入第一电流，以使所述柱形体(1)与带电流的所述电化学腐蚀液(2)发生电化学腐蚀，直至所述柱形体(1)浸入所述电化学腐蚀液(2)的部分且靠近所述电化学腐蚀液(2)液面的位置断开形成上下两段；将上段所述柱形体(1)的断开处(3)置入所述电化学腐蚀液(2)的液面以下，并向所述电化学腐蚀液(2)通入第二电流，所述第一电流的强度大于所述第二电流的强度，使上段所述柱形体(1)的断开处(3)与带电流的所述电化学腐蚀液(2)n次接触，n为大于或等于0的正整数，以使所述断开处(3)的端面形成半径大小为0.1
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0.3um的圆滑表面(4)。2.如权利要求1所述的发射针形成方法，其特征在于，使上段所述柱形体(1)的断开处(3)与带电流的所述电化学腐蚀液(2)n次接触包括：第一步，向所述电化学腐蚀液(2)通入所述第二电流；第二步，将上段所述柱形体(1)的断开处(3)浸入所述电化学腐蚀液(2)内，停留时间S1；第三步，提起上段所述柱形体(1)的断开处(3)使其脱离所述电化学腐蚀液(2)，停留时间S2；重复第二步和第三步n次。3.如权利要求1所述的发射针尖形成方法，其特征在于，n等于1。4.如权利要求1所述的发射针形成方法，其特征在于，所述第一电流的强度为10
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500mA，所述第二电流的强度为0....

【专利技术属性】
技术研发人员：郝占海，蔡素枝，陆梁，
申请(专利权)人：大束科技北京有限责任公司，
类型：发明
国别省市：