场发射电子源制造技术

本实用新型专利技术提供了一种场发射电子源，涉及电子显微镜技术领域，解决了现有技术中存在的场发射电子源的前端的圆形结构降低了发射的束流密度的技术问题。该装置包括束流端头，其中，所述束流端头的两个端部分别设置有发射面和连接面，所述发射面的直径小于所述连接面的直径；所述束流端头的侧部上设置有第一倾斜面和第二倾斜面，所述第一倾斜面靠近所述发射面，所述第二倾斜面靠近所述连接面。所述第二倾斜面靠近所述连接面。所述第二倾斜面靠近所述连接面。

【技术实现步骤摘要】
场发射电子源


[0001]本技术涉及电子显微镜
，尤其是涉及一种场发射电子源。

技术介绍

[0002]电子显微镜是当代重要的科学研究、工程观察和量测仪器，在物理、材料、化学、生命等科研领域，半导体先进制程、工程材料检测等工业领域发挥着巨大的作用。
[0003]电子源是其关键零部件之一，电子源的特性往往决定了电子显微镜的主要性能。以扫描电子显微镜为例：低端扫描电镜均使用发叉式热阴极(钨丝、六硼化镧)作为电子源，中高端电镜使用冷场发射单晶钨以及热场发射氧化锆
‑
单晶钨电子源。热场发射电子源具有亮度高、束流大、寿命长、束流稳定等特点，应用最为广泛。
[0004]目前，场发射电子源的前端的形貌直接影响了发射的束流密度和束流稳定性，现有的场发射电子源的前端为圆形结构，使得发射的束流不集中，降低了发射的束流密度和束流稳定性。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供场发射电子源，以解决现有技术中存在的场发射电子源的前端的圆形结构降低了发射的束流密度的技术问题。本技术提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。
[0006]为实现上述目的，本技术提供了以下技术方案：
[0007]本技术提供的一种场发射电子源，包括束流端头，其中，所述束流端头的两个端部分别设置有发射面和连接面，所述发射面的直径小于所述连接面的直径；
[0008]所述束流端头的侧部上设置有第一倾斜面和第二倾斜面，所述第一倾斜面靠近所述发射面，所述第二倾斜面靠近所述连接面。
[0009]可选地，所述第一倾斜面的个数至少为两个，所述第二倾斜面的个数至少为两个。
[0010]可选地，所述第一倾斜面沿所述束流端头的周向方向分布，所述第二倾斜面沿所述束流端头的周向方向分布，所述第一倾斜面和所述第二倾斜面交错分布。
[0011]可选地，所述束流端头采用的材料为单晶钨。
[0012]可选地，所述束流端头采用电化学腐蚀工艺加工成型。
[0013]可选地，还包括束流段，所述束流段的端面与所述连接面对接且所述束流段与所述束流端头固定连接。
[0014]可选地，所述束流段与所述束流端头为一体式结构。
[0015]可选地，还包括束流团，所述束流团与所述束流段相连接，所述束流团位于所述束流段的中部区域。
[0016]可选地，所述束流团采用的材料为氧化锆。
[0017]可选地，还包括加热叉，所述加热叉的中部与所述束流段相连接，所述加热叉远离所述束流端头。
[0018]本技术提供的一种场发射电子源，束流端头的侧部设置有第一倾斜面和第二倾斜面，第一倾斜面和第二倾斜面为平面结构，发射面位于束流端头的端部，也为平面结构，在束流端头发射电子时，第一倾斜面和第二倾斜面会引导电子向发射面集中，使得从发射面发射的电子束流密度增加，同时，第一倾斜面、第二倾斜面和发射面不容易变形，保持了电子束流的稳定性，以解决现有技术中存在的场发射电子源的前端的圆形结构降低了发射的束流密度的技术问题。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1是本技术实施例提供的场发射电子源的束流端头的结构示意图；
[0021]图2是本技术实施例提供的场发射电子源的束流端头的另一侧面的结构示意图；
[0022]图3是本技术实施例提供的场发射电子源的束流端头的另一侧面的结构示意图；
[0023]图4是本技术实施例提供的场发射电子源的束流端头的另一侧面的结构示意图；
[0024]图5是本技术实施例提供的场发射电子源的结构示意图；
[0025]图6是本技术实施例提供的场发射电子源的另一侧面的结构示意图；
[0026]图7是本技术实施例提供的场发射电子源的另一侧面的结构示意图；
[0027]图中1、束流端头；11、发射面；12、连接面；13、第一倾斜面；14、第二倾斜面；
[0028]2、束流段；
[0029]3、束流团；
[0030]4、加热叉。
具体实施方式
[0031]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本技术的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本技术所保护的范围。
[0032]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有说明，
″
多个
″
的含义是两个或两个以上；术语
″
上
″
、
″
下
″
、
″
左
″
、
″
右
″
、
″
内
″
、
″
外
″
、
″
前端
″
、
″
后端
″
、
″
头部
″
、
″
尾部
″
等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语
″
第一
″
、
″
第二
″
、
″
第三
″
等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0033]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语
″
安
装
″
、
″
相连
″
、
″
连接
″
应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0034]实施例1：
[0035]本技术提供了一种场发射电子源，包括束流端头1，其中，束流端头1的两个端部分别设置有发射面11和连接面12，发射面11的直径小于连接面12的直径；
[0036]束流端头1的侧部上设置有第一倾斜面13和第二倾斜面14，第一倾斜面13靠近发射面11，第二倾斜面14靠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种场发射电子源，其特征在于，包括束流端头(1)，其中，所述束流端头(1)的两个端部分别设置有发射面(11)和连接面(12)，所述发射面(11)的直径小于所述连接面(12)的直径；所述束流端头(1)的侧部上设置有第一倾斜面(13)和第二倾斜面(14)，所述第一倾斜面(13)靠近所述发射面(11)，所述第二倾斜面(14)靠近所述连接面(12)。2.根据权利要求1所述的场发射电子源，其特征在于，所述第一倾斜面(13)的个数至少为两个，所述第二倾斜面(14)的个数至少为两个。3.根据权利要求1所述的场发射电子源，其特征在于，所述第一倾斜面(13)沿所述束流端头(1)的周向方向分布，所述第二倾斜面(14)沿所述束流端头(1)的周向方向分布，所述第一倾斜面(13)和所述第二倾斜面(14)交错分布。4.根据权利要求1所述的场发射电子源，其特征在于，所述束流端头(1)采用的材料为单晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝占海，蔡素枝，陆梁，
申请(专利权)人：大束科技北京有限责任公司，
类型：新型
国别省市：