单片集成BAW谐振器制作方法技术

一种单片集成BAW谐振器制作方法，包括：准备一压印模板(S1)；在衬底上形成掩膜材料层(S2)；采用所述压印模板向所述衬底方向按压所述掩膜材料层以形成掩膜凹槽(S3)；以形成掩膜凹槽的所述掩膜材料层为掩膜对所述衬底进行等离子刻蚀(S4)，在衬底形成与数个掩膜凹槽位置一一对应的凹槽；在所述数个凹槽内形成依次层叠的底层电极层、压电层以及顶层电极层，进而形成不同频率的谐振器(S5)；其中数个底层电极层厚度相同且均小于凹槽的深度，数个谐振器中至少有两个谐振器的压电层厚度不同，或者至少有两个谐振器的顶层电极层厚度不同。少有两个谐振器的顶层电极层厚度不同。少有两个谐振器的顶层电极层厚度不同。少有两个谐振器的顶层电极层厚度不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：何正宇，徐慧龙，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：