【技术实现步骤摘要】
半导体结构的量测方法及量测装置
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的量测方法及量测装置。
技术介绍
[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体器件，其由多个重复的存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。
[0003]DRAM等半导体器件的制造过程中，晶圆要经过多个量测流程。其中，对半导体结构的特征尺寸(Critical Dimension，CD)的量测是检测半导体制程的重要因素。当前对特征尺寸的量测，是通过SPC(Statistical Process Control，统计过程控制)表判断CD量测数据是否超过上下限，若是，则通知工程师去确认量测数据和量测图像，判断晶圆是否返工(Rework)。若判断确认C...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的量测方法，其特征在于，包括如下步骤：获取当前半导体结构的量测结果，所述量测结果包括针对所述当前半导体结构当前图形特征尺寸的当前量测数据和当前量测图像；当所述当前量测数据在阈值范围内时，则将所述当前量测图像与标准量测图像进行相似度对比；当所述当前量测图像与所述标准量测图像之间的相似度大于或者等于预设值时，则确认所述量测结果正常。2.根据权利要求1所述的半导体结构的量测方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述当前量测数据超出阈值范围时或当所述当前量测图像与所述标准量测图像之间的相似度小于预设值时，则确认所述量测结果异常。3.根据权利要求1所述的半导体结构的量测方法，其特征在于，将所述当前量测图像与标准量测图像进行相似度对比之前，还包括：提供数据库，所述数据库中存储有多个同批量测图像；从多个所述同批量测图像中选择一个作为所述标准量测图像。4.根据权利要求3所述的半导体结构的量测方法，其特征在于，从多个所述同批量测图像中选择一个作为所述标准量测图像的具体步骤包括：多个所述同批量测图像与多个同批半导体结构一一对应；获取与多个所述同批半导体结构对应的当前基本信息；基于所述当前基本信息获取与多个所述同批半导体结构对应的目标量测数据；选择与所述目标量测数据匹配的同批量测图像作为所述标准量测图像。5.根据权利要求4所述的半导体结构的量测方法，其特征在于，所述当前基本信息包括图层信息和量测项目名称；基于所述当前基本信息获取与多个所述同批半导体结构对应的目标量测数据的具体步骤包括：从目标设定系统中获取与所述图层信息和所述量测项目名称相应的目标量测数据。6.根据权利要求4所述的半导体结构的量测方法，其特征在于，选择与所述目标量测数据匹配的同批量测图像作为所述标准量测图像的具体步骤包括：根据所述目标量测数据确定阈值范围；选择符合所述阈值范围的同批量测图像作为待选量测图像；当所述待选量测图像的数量为多个时，根据预设条件从多个所述待选量测图像中选择一个作为所述标准量测图像。7.根据权利要求6所述的半导体结构的量测方法，其特征在于，根据预设条件从多个所述待选量测图像中选择一个作为所述标准量测图像的具体步骤包括：对待选量测图像进行图像分析，以得到待选量测图像的量测指标值，所述量测指标值包括线宽、白边宽度、线宽区域内的洁净度中的一种或两种以上的组合；根据所述量测指标值与目标指标值的接近度，从多个所述待选量测图像中选择一个作为所述标准量测图像。8.根据权利要求7所述的半导体结构的量测方法，其特征在于，根据所述量测指标值与目标指标值的接近度，从多个所述待选量测图像中选择一个作为所述标准量测图像的具体步骤包括：计算待选量测图像的量测指标值与目标指标值的标准差；选择所述标准差最小
的待选量测图像作为所述标准量测图像。9.根据权利要求1所述的半导体结构的量测方法，其特征在于，将所述当前量测图像与标准量测图像进行相似度对比的具体步骤包括：当所述当前量测图像内出现桥接时，则确认所述当前量测图像与所述标准量测图像之间的相似度低于所述预设值。10.根据权利要求1所述的半导体结构的量测方法，其特征在于，将所述当前量测图像与标准量测图像进行相似度对比的具体步骤包括：当所述当前量测图像内未出现桥接时，从线宽、白边宽度、线宽区域内的洁净度中的一种或者两种以上的组合进行所述当前量测图像与一标准量测图像的相似度对比。11.根据权利要求9-10任意一项所述的半导体结构的量测方法，其特征在于，将所述当前量测图像与标准...
【专利技术属性】
技术研发人员：周晓方，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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