一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法，涉及太阳能电池片生产技术领域，所述方法包括：在硅片表面沉积Al2O3之后，进行红外加热的步骤。本发明专利技术通过使用红外加热的瞬间加热功能，可以诱导出大量的Al

【技术实现步骤摘要】
一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池片生产
，涉及一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法。

技术介绍

[0002]钝化，一种是化学钝化，chemical passivation。因为大量悬挂键(复合中心)的存在，裸硅片表面的复合速率很高。化学钝化是通过H、O、N、C等非金属原子与硅表面的悬挂键来配位饱和，达到降低缺陷态密度的目的。另一种是场钝化，field effect passivation。在电池片表面沉积或生长一层携带电荷的薄膜，形成一个junction(p+/p或n+/n的high-low junction，或p-n junction)，产生方向与硅片表面法线方向平行的电场，使表面的某种载流子得以屏蔽，降低其中一种载流子浓度，电荷相反的另一种载流子由于找不到复合对象而降低了复合速率。
[0003]其中，由于Al2O3携带的负电荷密度高，达到～10
13
C/cm2的量级，故而具有极强的场钝化效果，能有效地屏蔽表面的电子，甚至在电子作为多子时亦能屏蔽。其可以具备如此多的负电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高Al2O3镀膜钝化效果的方法，其特征在于，所述方法包括：在硅片表面沉积Al2O3之后，进行红外加热的步骤。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述红外加热的时间为3～10秒，红外加热的最大单位面积功率为31～41kW/m2；优选地，红外加热至温度150～400℃。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在硅片表面沉积Al2O3之后直接进行红外加热处理，或者，在硅片表面沉积Al2O3之后先降温再进行红外加热处理；优选地，所述红外加热处理开始时，硅片表面沉积的Al2O3层的温度在30～250℃，优选为100～150℃。4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，在硅片表面沉积Al2O3的步骤包括：硅片依次进入第一腔室进行抽真空、第二腔室进行预热、第三腔室进行Al2O3沉积；其中，所述第一腔室与第二腔室隔断连通，第二腔室与第三腔室相通，所述隔断连通为：相邻腔室各自独立且能够通过打开隔断实现连通。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，第一腔室抽真空至0.1～1mbar；优选地，硅片在第二腔室预热时的真空度为3～10mbar，硅片在第三腔室进行沉积Al2O3时的真空度为4～6mbar；优选地，硅片进入第三腔室进行Al2O3沉积之前，硅片表面形成厚度0.3～1nm的SiO
x
；优选地，所述SiO
x
是在空气中自然氧化形成的。6.根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，第二腔室进行预热的温度为150～400℃；优选地，第二腔室进行预热的方式为电加热、红外加热、或二者组合的方式加热，优选采用电加热和红外加热组合的方式加热；优选地，以电加热的方式进行加热，然后启动红外加热，在3～10秒的时间内升高温度100～200℃，使第二腔室达到预热温度150～400℃。7.根据权利要求4-6任一项所述的方法，其特征在于，第三腔室进行Al2O3沉积的...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈海燕，邓伟伟，
申请(专利权)人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：