一种Ag2S薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种Ag2S薄膜的制备方法，通过将衬底放置于原子层沉积的反应腔室中，将所述反应腔室抽真空且分别对衬底、所述反应腔室、管路与反应源加热至指定温度，其中，所述反应源包括银源和硫源；以第一脉冲时间将所述银源通入所述反应腔室，用惰性气体以第一吹扫时间吹扫所述反应腔室；以第二脉冲时间将所述硫源通入所述反应腔室，用所述惰性气体以第二吹扫时间吹扫所述反应腔室；所述银源与所述硫源在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得硫化银薄膜样品。解决了现有技术中存在无法精确控制硫化银薄膜的厚度，同时无法大规模生产硫化银薄膜的技术问题，达到了硫化银薄膜维持良好的三维保形性，薄膜厚度在单原子层量级的精确可控，能够适合大规模生产的技术效果。能够适合大规模生产的技术效果。能够适合大规模生产的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
庚二酮酸根银、三乙氧基膦银、三乙基膦银、三甲基膦银、乙酰丙酮银。
[0010]优选地，所述第一脉冲时间的范围为0.01～5S。
[0011]优选地，所述第一吹扫时间为1～180S。
[0012]优选地，所述硫源为六甲基二硅硫烷、硫化氢、硫粉、硫化铵。
[0013]优选地，所述第二脉冲时间的范围为0.01～5S。
[0014]优选地，所述第二吹扫时间为1～180S。
[0015]本专利技术实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种技术效果：
[0016]本专利技术实施例提供了一种Ag2S薄膜的制备方法，所述方法包括：将衬底放置于原子层沉积的反应腔室中，将所述反应腔室抽真空且分别对衬底、所述反应腔室、管路与反应源加热至指定温度，其中，所述反应源包括银源和硫源；以第一脉冲时间将所述银源通入所述反应腔室，用惰性气体以第一吹扫时间吹扫所述反应腔室；以第二脉冲时间将所述硫源通入所述反应腔室，用所述惰性气体以第二吹扫时间吹扫所述反应腔室；所述银源与所述硫源在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得硫化银薄膜样品，将所述硫化银薄膜样品在所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Ag2S薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：将衬底放置于原子层沉积的反应腔室中，将所述反应腔室抽真空且分别对衬底、所述反应腔室、管路与反应源加热至指定温度，其中，所述反应源包括银源和硫源；以第一脉冲时间将所述银源通入所述反应腔室，用惰性气体以第一吹扫时间吹扫所述反应腔室；以第二脉冲时间将所述硫源通入所述反应腔室，用所述惰性气体以第二吹扫时间吹扫所述反应腔室；所述银源与所述硫源在所述反应腔室中进行原子层沉积，获得硫化银薄膜样品，将所述硫化银薄膜样品在所述反应腔室中的真空环境中冷却至室温，将所述硫化银薄膜样品从所述反应腔室取出。2.如权利要求1所述的Ag2S薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底包括：硅片、蓝宝石、玻璃。3.如权利要求1所述的Ag2S薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底、所述反应腔室、所述管路与所述反应...

【专利技术属性】
技术研发人员：明帅强，卢维尔，夏洋，李楠，冷兴龙，何萌，赵丽莉，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：