温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种Ag2S薄膜的制备方法，通过将衬底放置于原子层沉积的反应腔室中，将所述反应腔室抽真空且分别对衬底、所述反应腔室、管路与反应源加热至指定温度，其中，所述反应源包括银源和硫源；以第一脉冲时间将所述银源通入所述反应腔室，用惰性气体...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。