一种高温原子层沉积装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种高温原子层沉积装置和方法，通过腔室，所述腔室为柱状管式腔体结构；第一管路，所述第一管路与所述腔室的一端连通，且所述第一管路通入第一前驱体进入所述腔室；第二管路，所述第二管路与所述腔室的一端连通，且所述第二管路通入第二前驱体进入所述腔室；马弗炉，所述马弗炉设置在所述腔室的外侧；抽真空管路，所述抽真空管路的一端与所述腔室的另一端连通。解决现有技术中原子层沉积设备腔室为金属且腔体较大，对于腔室的升温和降温速度缓慢，不适宜活性较低的原子层沉积前驱体的技术问题，达到了前驱体气流的单向流动，缩短工艺吹扫时间，腔室快速升温与降温，实现控温沉积或高温退火，提高所沉积薄膜的结晶性的技术效果。性的技术效果。性的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种高温原子层沉积装置和方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种高温原子层沉积装置和方法。

技术介绍

[0002]原子层沉积(atomic layer deposition，ALD),是一种特殊的化学气相沉积技术，可以实现单原子层沉积的薄膜制备装置，具有优异的保型性、大面积均匀性和精确的膜厚控制性等特点。自从2001年国际半导体行业协会将ALD列入与微电子工艺兼容的候选技术以来，其赢得了来自界和学术界的广泛关注。2007年Inter公司在半导体工业45nm技术节点上，将ALD沉积技术引入产线，使得微处理器功耗降低，运行速度提高。近年来ALD技术在微电子、光电子、光学、纳米技术、微机械系统、能源、催化等领域得到广泛应用。
[0003]目前，原子层沉积技术显示出巨大的商业前景，然而也面临着巨大的挑战。首先，ALD前驱体需要具有较高的反应活性，因此目前合适的ALD前驱体还比较匮乏，这直接影响了一些关键材料的沉积及其所获薄膜的质量。其次，目前通过ALD技术得到的薄膜主要以非晶薄膜和单晶薄膜为主，想要获得高结晶性的薄膜材料难以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高温原子层沉积装置，其特征在于，所述装置包括：腔室，所述腔室为柱状管式腔体结构；第一管路，所述第一管路与所述腔室的一端连通，且所述第一管路通入第一前驱体进入所述腔室；第二管路，所述第二管路与所述腔室的一端连通，且所述第二管路通入第二前驱体进入所述腔室；马弗炉，所述马弗炉设置在所述腔室的外侧；抽真空管路，所述抽真空管路的一端与所述腔室的另一端连通。2.如权利要求1所述的高温原子层沉积装置，其特征在于，所述装置包括：真空泵，所述真空泵与所述抽真空管路的另一端连接，且所述真空泵通过所述抽真空管路将所述腔室内抽为真空。3.如权利要求1所述的高温原子层沉积装置，其特征在于，所述装置包括：真空规，所述真空规设置在所述第一管路、所述第二管路或所述抽真空管路上。4.如权利要求1所述的高温原子层沉积装置，其特征在于，所述第一前驱体与所述第二前驱体在所述腔室中沿单向直线流动。5.如权利要求1所述的高温原子层沉积装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢维尔，明帅强，夏洋，冷兴龙，赵丽莉，何萌，李楠，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：