【技术实现步骤摘要】
光发射组件、半导体光电子器件和设备
本申请实施例涉及微电子器件
，尤其涉及一种光发射组件、半导体光电子器件和设备。
技术介绍
半导体光电子器件是指通过电耦合、机械固定和密封等措施，将半导体芯片封装为具有稳定的功能、性能的器件。该半导体光电子器件可以用于控制激光二极管。一般而言，半导体芯片的内阻约为10欧姆(ohm，Ω)，而与半导体芯片直接连接的驱动源的传输线单端的阻抗为25Ω或50Ω。也就是说，传输线的阻抗与半导体芯片内阻不同，即传输线的阻抗与半导体芯片的阻抗不连续。传输线阻抗与半导体芯片的阻抗不连续会产生强烈的反射信号，由于半导体芯片的内阻低于传输线的阻抗，使得反射信号与入射信号相位相反。相位相反的反射信号与入射信号叠加后，会导致输入半导体光电子器件的信号幅度减小。并且，在半导体光电子器件封装过程中，载体、金线和匹配网络等器件的设置会引入各种寄生参数，从而导致高频带宽损失严重，使得半导体光电子器件在高速率应用场景的使用严重受限。为了解决上述阻抗不连续的问题，在一种方案中，可以在传输线和半导体芯...
【技术保护点】
1.一种光发射组件，其特征在于，包括：半导体芯片、第一偏置电路、第一电容、滤波电路和第一电感；其中，所述第一偏置电路用于隔绝交流信号；/n所述第一电容的第一端连接射频正电极，所述第一电容的第二端连接射频负电极，所述半导体芯片的第一极连接直流负电极；/n所述半导体芯片的第二极连接所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端连接所述第一偏置电路的第一端，所述第一偏置电路的第二端连接直流正电极；/n所述滤波电路的第一端连接所述第一电容的第二端，所述滤波电路的第二端连接所述半导体芯片的第一极；或者，所述滤波电路的第一端连接所述第一电容的第一端，所述滤波电路的第二端连接所述第一电感的第二端。/n
【技术特征摘要】
1.一种光发射组件，其特征在于，包括：半导体芯片、第一偏置电路、第一电容、滤波电路和第一电感；其中，所述第一偏置电路用于隔绝交流信号；
所述第一电容的第一端连接射频正电极，所述第一电容的第二端连接射频负电极，所述半导体芯片的第一极连接直流负电极；
所述半导体芯片的第二极连接所述第一电感的第一端，所述第一电感的第二端连接所述第一偏置电路的第一端，所述第一偏置电路的第二端连接直流正电极；
所述滤波电路的第一端连接所述第一电容的第二端，所述滤波电路的第二端连接所述半导体芯片的第一极；或者，所述滤波电路的第一端连接所述第一电容的第一端，所述滤波电路的第二端连接所述第一电感的第二端。
2.根据权利要求1所述的光发射组件，其特征在于，还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路用于隔绝交流信号；
所述半导体芯片的第一极连接直流负电极，包括：所述第二偏置电路的第一端连接所述直流负电极，所述第二偏置电路的第二端连接所述半导体芯片的第一极；
或者，所述第一电容的第二端连接所述直流负电极，包括：所述第二偏置电路的第一端连接所述直流负电极，所述第二偏置电路的第二端连接所述第一电容的第二端。
3.根据权利要求1或2所述的光发射组件，其特征在于，所述滤波电路包括电阻、第二电容和第二电感；
其中，所述第二电容与所述第二电感串联；串联的所述第二电容和所述第二电感，与所述电阻并联。
4.根据权利要求1或2所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件与载体连接，所述第一电容包括第一导体和第二导体，所述第一导体和所述第二导体相对设置，所述第一导体和所述第二导体之间的距离值为预设阈值；
所述第一导体为焊接于所述载体上的焊盘，所述第二导体为所述载体的接地层。
5.根据权利要求3所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件与载体连接，所述第一电容包括第一导体和第二导体，所述第一导体和所述第二导体相对设置，所述第一导体和所述第二导体之间的距离值为预设阈值；
所述第一导体为焊接于所述载体上的焊盘，所述第二导体为所述载体的接地层。
6.根据权利要求2所述的光发射组件，其特征在于，
所述第一偏置电路包括
磁珠；
或
磁珠和电感元件。
7.根据权利要求2所述的光发射组件，其特征在于，
所述第二偏置电路包括
磁珠；
或
磁珠和电感元件。
8.根据权利要求1-2、5任一项所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括激光二极管；
所述半导体芯片的第二极与所述激光二极管的阳极连接，所述半导体芯片的第一极与所述激光二极管的阴极连接。
9.根据权利要求3所述的光发射组件，其特征在于，所述光发射组件还包括激光二极管；
所述半导体芯片的第二极与所...
【专利技术属性】
技术研发人员：史文俊，李志伟，谢婷，张强，周恩波，
申请(专利权)人：华为机器有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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