一种可控硅调光电路制造技术

本发明专利技术提供一种可控硅调光电路，包括占空比信号转换模块，用于将母线电压转换为占空比信号以输出；开关电容滤波模块，连接于占空比信号转换模块，用于在一对互为反相的时钟信号控制下对占空比信号进行低通滤波后产生检测电压；比较模块，连接于开关电容滤波模块，用于比较检测电压和预设比较电压，并根据比较结果产生调控信号；振荡模块，连接于比较模块和开关电容滤波模块，用于根据基准电流产生互为反相的时钟信号，并在调控信号的控制下进行振荡关断操作；钳位模块，连接于比较模块和开关电容滤波模块，用于在调控信号的控制下将检测电压钳位至预设钳位电压。通过本发明专利技术解决了现有可控硅调光电路在未外接可控硅时存在EMI测试超标的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种可控硅调光电路
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种可控硅调光电路。
技术介绍
LED照明系统已经在各种照明领域得到了广泛应用，作为沿用自老式白炽灯照明系统的调光方式，通常在交流市电端增加可控硅调光器(TRAIC)，此时传统调光方式一般会采用RC滤波方式来滤除所述可控硅调光器输出的母线电压中所包含的工频以上频率成分；但由于RC滤波方式采用的是外接大电容，因此给电路设计带来了诸多不便。现有的一种解决方案是：采用开关电容滤波方式将母线电压中所包含的工频以上频率成分滤除，从而解决采用RC滤波方式时需外接大电容的问题。但该解决方案却引入了控制开关的高频时钟信号，而这种高频干扰成分会经由电源线或地线等路径耦合到功率管的栅极电压上，最终导致在没有外接可控硅时电路EMI测试超标的问题，如图1所示。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种可控硅调光电路，用于解决现有可控硅调光电路在没有外接可控硅时存在EMI测试超标的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种可控硅调光电路，所述可控硅调光电路包括：占空比信号转换模块，用于将母线电压转换为占空比信号以输出；开关电容滤波模块，连接于所述占空比信号转换模块，用于在一对互为反相的时钟信号控制下，对所述占空比信号进行低通滤波后产生一检测电压以输出；比较模块，连接于所述开关电容滤波模块，用于将所述检测电压和预设比较电压进行比较，并根据比较结果产生一调控信号以输出；振荡模块，连接于所述比较模块和所述开关电容滤波模块之间，用于根据基准电流产生一对互为反相的时钟信号以输出，并在所述调控信号的控制下进行振荡关断操作；钳位模块，连接于所述比较模块和所述开关电容滤波模块之间，用于在所述调控信号的控制下，将所述开关电容滤波模块输出的所述检测电压钳位至预设钳位电压。可选地，所述占空比信号转换模块包括：第一电阻、第二电阻及第一比较器，其中所述第一电阻的一端接入所述母线电压，所述第一电阻的另一端连接于所述第二电阻的一端及所述第一比较器的正相输入端，所述第二电阻的另一端接地，所述第一比较器的反相输入端接入参考电压，所述第一比较器的输出端作为所述占空比信号转换模块的输出端。可选地，所述开关电容滤波模块包括：第一开关、第二开关、第一电容及第二电容，其中所述第一开关的第一连接端连接于所述占空比信号转换模块的输出端，所述第一开关的第二连接端连接于所述第一电容的一端及所述第二开关的第一连接端，所述第一开关的控制端连接于所述振荡模块的第一输出端，所述第一电容的另一端接地，所述第二开关的第二连接端连接于所述第二电容的一端，同时作为所述开关电容滤波模块的输出端，所述第二开关的控制端连接于所述振荡模块的第二输出端，所述第二电容的另一端接地。可选地，所述比较模块包括：第二比较器，其中所述第二比较器的正相输入端连接于所述开关电容滤波模块的输出端，所述第二比较器的反相输入端接入所述预设比较电压，所述第二比较器的输出端作为所述比较模块的输出端。可选地，所述振荡模块包括：基准电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第三电容、施密特触发器及反相器，其中所述基准电流源的第一连接端接入电源电压，并连接于所述第一PMOS管的源极端及所述第二PMOS管的源极端，所述基准电流源的第二连接端连接于所述第一NMOS管的漏极端，所述第一NMOS管的源极端接地，所述第一NMOS管的栅极端连接于所述第一NMOS管的漏极端、所述第二NMOS管的栅极端及所述第三NMOS管的栅极端，所述第二NMOS管的源极端接地，所述第二NMOS管的漏极端连接于所述第一PMOS管的漏极端，所述第三NMOS管的源极端接地，所述第三NMOS管的漏极端连接于所述第四NMOS管的源极端，所述第一PMOS管的栅极端连接于所述第一PMOS管的漏极端及所述第二PMOS管的栅极端，所述第二PMOS管的漏极端连接于所述第三PMOS管的源极端，所述第三PMOS管的漏极端连接于所述第四NMOS管的漏极端、所述第三电容的一端、所述第五NMOS管的漏极端及所述施密特触发器的输入端，所述第三PMOS管的栅极端连接于所述施密特触发器的输出端，所述第四NMOS管的栅极端连接于所述施密特触发器的输出端，所述第三电容的另一端接地，所述第五NMOS管的源极端接地，所述第五NMOS管的栅极端连接于所述比较模块的输出端，所述施密特触发器的输出端连接于所述反相器的输入端，同时作为所述振荡模块的第一输出端，所述反相器的输出端作为所述振荡模块的第二输出端。可选地，所述钳位模块包括：第六NMOS管，其中所述第六NMOS管的栅极端连接于所述比较模块的输出端，所述第六NMOS管的漏极端接入所述预设钳位电压，所述第六NMOS管的源极端连接于所述开关电容滤波模块的输出端。可选地，所述可控硅调光电路还包括：可控硅调光器模块，用于通过控制交流市电工频周期中导通角的大小，对输入的所述交流市电进行斩波切相处理，产生一母线原始电压以输出；整流桥模块，连接于所述可控硅调光器模块，用于对所述母线原始电压进行整流处理，产生所述母线电压以输出。可选地，所述可控硅调光器模块包括：第四电容、第五电容、可变电阻、第三电阻、双向触发二极管及可控硅，其中所述第四电容的一端连接于所述可变电阻的一端及所述可控硅的阳极端，同时接入所述交流市电，所述第四电容的另一端连接于所述第五电容的一端及所述可控硅的阴极端，所述可变电阻的另一端连接于所述第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端连接于所述第五电容的另一端及所述双向触发二极管的一端，所述双向触发二极管的另一端连接于所述可控硅的控制端，所述可控硅的阳极端作为所述可控硅调光器模块的输出端。可选地，所述整流桥模块包括：第一二极管、第二二极管、第三二极管及第四二极管，其中所述第一二极管的阳极端连接于所述第二二极管的阴极端，同时连接于所述可控硅调光器模块的输出端，所述第一二极管的阴极端连接于所述第三二极管的阴极端，同时作为所述整流桥模块的输出端，所述第二二极管的阳极端接地，所述第三二极管的阳极端连接于所述第四二极管的阴极端，同时接入所述交流市电，所述第四二极管的阳极端接地。如上所述，本专利技术的一种可控硅调光电路，在利用开关电容滤波模块对所述占空比信号进行低通滤波后，通过比较模块对检测电压和参考电压进行比较，以在可控硅调光电路未接入可控硅时输出调控信号，并利用该调控信号控制振荡模块，以使振荡模块停止振荡，从而消除高频时钟信号的干扰，解决在没有外接可控硅时EMI测试超标的问题；同时利用该调控信号控制钳位模块，以将所述开关电容滤波模块输出的检测电压钳位至预设钳位电压，保证后级LED灯的最亮状态。附图说明图1显示为现有开关电容滤波方案的EMI测试结果示意图。图2显示为本专利技术所述可控硅调光电路的方框图。图3显示为本专利技术所述可控硅调光电路中占空比信号转换本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控硅调光电路，其特征在于，所述可控硅调光电路包括：/n占空比信号转换模块，用于将母线电压转换为占空比信号以输出；/n开关电容滤波模块，连接于所述占空比信号转换模块，用于在一对互为反相的时钟信号控制下，对所述占空比信号进行低通滤波后产生一检测电压以输出；/n比较模块，连接于所述开关电容滤波模块，用于将所述检测电压和预设比较电压进行比较，并根据比较结果产生一调控信号以输出；/n振荡模块，连接于所述比较模块和所述开关电容滤波模块之间，用于根据基准电流产生一对互为反相的时钟信号以输出，并在所述调控信号的控制下进行振荡关断操作；/n钳位模块，连接于所述比较模块和所述开关电容滤波模块之间，用于在所述调控信号的控制下，将所述开关电容滤波模块输出的所述检测电压钳位至预设钳位电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种可控硅调光电路，其特征在于，所述可控硅调光电路包括：
占空比信号转换模块，用于将母线电压转换为占空比信号以输出；
开关电容滤波模块，连接于所述占空比信号转换模块，用于在一对互为反相的时钟信号控制下，对所述占空比信号进行低通滤波后产生一检测电压以输出；
比较模块，连接于所述开关电容滤波模块，用于将所述检测电压和预设比较电压进行比较，并根据比较结果产生一调控信号以输出；
振荡模块，连接于所述比较模块和所述开关电容滤波模块之间，用于根据基准电流产生一对互为反相的时钟信号以输出，并在所述调控信号的控制下进行振荡关断操作；
钳位模块，连接于所述比较模块和所述开关电容滤波模块之间，用于在所述调控信号的控制下，将所述开关电容滤波模块输出的所述检测电压钳位至预设钳位电压。


2.根据权利要求1所述的可控硅调光电路，其特征在于，所述占空比信号转换模块包括：第一电阻、第二电阻及第一比较器，其中所述第一电阻的一端接入所述母线电压，所述第一电阻的另一端连接于所述第二电阻的一端及所述第一比较器的正相输入端，所述第二电阻的另一端接地，所述第一比较器的反相输入端接入参考电压，所述第一比较器的输出端作为所述占空比信号转换模块的输出端。


3.根据权利要求1所述的可控硅调光电路，其特征在于，所述开关电容滤波模块包括：第一开关、第二开关、第一电容及第二电容，其中所述第一开关的第一连接端连接于所述占空比信号转换模块的输出端，所述第一开关的第二连接端连接于所述第一电容的一端及所述第二开关的第一连接端，所述第一开关的控制端连接于所述振荡模块的第一输出端，所述第一电容的另一端接地，所述第二开关的第二连接端连接于所述第二电容的一端，同时作为所述开关电容滤波模块的输出端，所述第二开关的控制端连接于所述振荡模块的第二输出端，所述第二电容的另一端接地。


4.根据权利要求1所述的可控硅调光电路，其特征在于，所述比较模块包括：第二比较器，其中所述第二比较器的正相输入端连接于所述开关电容滤波模块的输出端，所述第二比较器的反相输入端接入所述预设比较电压，所述第二比较器的输出端作为所述比较模块的输出端。


5.根据权利要求1所述的可控硅调光电路，其特征在于，所述振荡模块包括：基准电流源、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第三电容、施密特触发器及反相器，其中所述基准电流源的第一连接端接入电源电压，并连接于所述第一PMOS管的源极端及所述第二PMOS管的源极端，所述基准电流源的第二连接端连接于所述第一NMOS管的漏极端，所述第一NMOS管的源极端接地，所述第一NMOS管的栅极端连接于所述第一NMOS管的漏极端、所述第二NMOS管的栅极端及所述第三NMOS管的栅极...

【专利技术属性】
技术研发人员：张识博，
申请(专利权)人：华润微集成电路无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32