【技术实现步骤摘要】
薄膜体声波谐振器及其制备方法、滤波器
本申请涉及微电子器件制备
，具体而言，涉及一种谐振器及该谐振器的制备方法以及滤波器。
技术介绍
无线通讯相关技术中，人们对于数据传输的要求越来越高。尤其是移动通信领域，随着3G、4G、5G以及未来发展中的6G时代的到来，其网络传输速率和网络容量将大幅提升。然而无线的空间是有限的，随着数据率上升对应的是频谱资源的高利用率以及通讯协议的复杂化，相应的对射频系统的各种性能也提出了较高的需求。在射频前端模块中，射频滤波器起到了至关重要的作用，在高频段可选择基于FBAR技术的滤波器，但是，相关技术中的薄膜体声波谐振器仍有改进的空间。专利技术人认为，相关技术中的薄膜体声波谐振技术中，无论是形成“airbridge”或者是刻蚀形成空腔结构，压电堆叠结构和空气形成反射层都需要键合，可通过金属将压电三明治结构与衬底键合，但是键合选用的金属经过时间累积应力累加之后可能产生断裂、脱焊等问题，导致谐振器不工作，或者使滤波器可靠性变差。专利技术人认为，该问题亟待解决。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器包括：衬底和压电三明治结构，其特征在于，所述衬底具有凹槽，所述压电三明治结构至少部分悬设于所述凹槽的上方，所述凹槽内设置有支撑结构，所述压电三明治结构与所述支撑结构不直接相接。/n
【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器包括：衬底和压电三明治结构，其特征在于，所述衬底具有凹槽，所述压电三明治结构至少部分悬设于所述凹槽的上方，所述凹槽内设置有支撑结构，所述压电三明治结构与所述支撑结构不直接相接。
2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电三明治结构包括压电晶体、位于所述压电晶体之上且与所述压电晶体的上表面至少部分接触的第一电极和位于所述压电晶体之下且与所述压电晶体的下表面至少部分接触的第二电极，所述压电三明治结构与所述支撑结构之间具有缝隙部或所述压电三明治结构与所述支撑结构之间设置有布拉格反射结构。
3.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构的形状为柱形、凸台形、锥形、球形、类球形中的一种或几种。
4.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述间隙部的高度为1μm～5μm，或，所述布拉格反射结构的上端距离所述压电三明治结构的下表面的高度为1μm～5μm。
5.如权利要求1～4任一权利要求所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构设置于靠近键合处位置。
6.如权利要求5所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构与所述凹槽一体成型，或，所述支撑结构与所述凹槽底部直接接触。
7.如权利要求1～4、6任一权利要求所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构的数量为一个以上。
8.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述支撑结构与所述压电三明治结构之间设置有布拉格反射结构，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：牛玉娇，张树民，汪泉，
申请(专利权)人：杭州左蓝微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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