一种光学临近效应修正方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种光学临近效应修正方法及装置，目标布局图形至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝，光学临近效应修正方法包括：获取目标布局图形；将目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在片段上设置控制点；线条的线条端和/或狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，控制点位于片段两个端点之间的区域；通过控制点对所述片段进行修正，获取修正图形和模拟轮廓；计算模拟轮廓与目标布局图形之间的偏差值；根据偏差值对控制点进行调整，获得调整后的修正图形。本发明专利技术提供了一种光学临近效应修正方法及装置，以对光学临近效应引起的光刻的图形畸变进行修正。

【技术实现步骤摘要】
一种光学临近效应修正方法及装置
本专利技术涉及光学临近效应
，尤其涉及一种光学临近效应修正方法及装置。
技术介绍
随着集成电路元件缩小化以及集成化，各膜层的关键尺寸越来越小，在半导体工艺中，往往通过光刻将掩膜图形转移至硅片上形成各膜层图形，但是因为各元件的尺寸减小，光刻的准确率越低。具体的，在光刻过程中，因为光的干涉效应和衍射效应，使得硅片上实际的光刻图形与掩膜图形之间存在一定的畸变和偏差，即光学临近效应(OpticalProximityEffect，OPE)。光学临近效应引起的图形畸变主要表现为线宽偏移、线端缩短、遗漏图案或连条、角部变圆等特征。这些特征直接影响元器件性能，并降低生产成品率，浪费生产成本，不利于现在的集成电路的工业化生产。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种光学临近效应修正方法及装置，以对光学临近效应引起的光刻过程的图形畸变进行修正。第一方面，本专利技术实施例提供了一种光学临近效应修正方法，目标布局图形至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝，所述光学临近效应修正方法包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学临近效应修正方法，其特征在于，目标布局图形至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝，所述光学临近效应修正方法包括：/n获取所述目标布局图形；/n将所述目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在所述片段上设置控制点；其中，所述线条的线条端和/或所述狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，所述控制点位于所述片段两个端点之间的区域；/n调整所述控制点对所述片段进行修正，获取修正图形；/n根据所述修正图形获取所述目标布局图形的模拟轮廓；/n计算所述模拟轮廓与所述目标布局图形之间的偏差值；根据所述偏差值判断所述修正图形是否满足工艺需求。/n

【技术特征摘要】
1.一种光学临近效应修正方法，其特征在于，目标布局图形至少包括主体上凸起的线条和/或主体上凹陷的狭缝，所述光学临近效应修正方法包括：
获取所述目标布局图形；
将所述目标布局图形的边缘分割成若干个片段，并在所述片段上设置控制点；其中，所述线条的线条端和/或所述狭缝的狭缝端被分为奇数个片段，所述控制点位于所述片段两个端点之间的区域；
调整所述控制点对所述片段进行修正，获取修正图形；
根据所述修正图形获取所述目标布局图形的模拟轮廓；
计算所述模拟轮廓与所述目标布局图形之间的偏差值；根据所述偏差值判断所述修正图形是否满足工艺需求。


2.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，还包括：
调整所述控制点对所述片段进行多次修正，直至获取的所述模拟轮廓与所述目标布局图形之间的偏差值满足工艺需求。


3.根据权利要求2所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，还包括：
在所述多次修正中，依据前次修正中获取的所述偏差值进行后次修正中所述控制点的调整。


4.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述根据所述偏差值判断所述修正图形是否满足工艺需求的步骤，还包括：
预设一规格参数，所述偏差值在所述规格参数之内，则所述修正图形满足工艺需求。


5.根据权利要求4所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，所述规则参数为所述目标布局图形尺寸的5％。


6.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，
所述线条的线条端的片段的宽度均相等，和/或所述狭缝的狭缝端的片段的宽度均相等。


7.根据权利要求1所述的光学临近效应修正方法，其特征在于，
所述线条端的宽度或所述狭缝端的宽度小于宽度阈值，所述宽度阈值为1.5～1.6倍的最小特征尺寸；
所述线条端的临边的长度或所述狭缝端...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34