一种纳米晶带材铜套制造技术

本实用新型专利技术提供了一种纳米晶带材铜套，包括多个环形阵列的冷却槽，所述冷却槽贯穿铜套两端，所述冷却槽槽底在径向投影为矩形结构，并且冷却槽在圆周上的宽度小于冷却槽之间的间距，所述冷却槽的宽度范围为2.5‑7mm，所述冷却槽的间距为5‑8mm，所述冷却槽的高度为10mm；本实用新型专利技术将冷却槽的宽度进一步的窄化，并且将冷却槽的宽度与冷却槽的间距设置成相对应的间距，使冷却槽在铜套中有更大的冷却面积，用以适用手机晶带的生产宽度，对晶带生产中进行有效和快速的循环降温，使其达到品质要求。

【技术实现步骤摘要】
一种纳米晶带材铜套
本技术涉及晶带加工
，尤其涉及一种纳米晶带材铜套。
技术介绍
目前传统带材设备仅能生产40mm以内的带材，不能满足手机无线充电所需纳米晶带材的宽度要求，常规的冷却辊铜套内开槽，增加冷却水的换热面积，如图2所示，槽的规格一般为15-20mm，高度10mm，假定铜套内径1000mm，槽间距15mm，铜套高度为h，那么铜套与冷却水的接触面积为：在不改变冷却槽高度的情况下，槽的宽度越大，反而使铜套与冷却水的接触面积变小，这种情况下对冷却程度要求较高的产品不能符合生产标准的需求，尤其是在手机纳米晶带宽度加工中需要很好的降温效果才能完成预期的效果，因此需要对冷却槽的结构加以改进，使其可以在晶带的加工中增加冷却面积，有效的对晶带降温是本技术需要解决的技术问题。
技术实现思路
本技术旨在提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种纳米晶带材铜套，以解决铜套冷却槽冷却面积不大的问题。为达到上述目的，本技术的技术方案具体是这样实现的：本技术的提供了一种纳米晶带材铜套，包括多个环形阵列的冷却槽，所述冷却槽贯穿铜套两端，所述冷却槽槽底在径向投影为矩形结构，并且冷却槽在圆周上的宽度小于冷却槽之间的间距，所述冷却槽的宽度范围为2.5-7mm，所述冷却槽的间距为5-8mm，所述冷却槽的高度为10mm。作为本技术进一步的方案，所述冷却槽的宽度为2.5mm，所述冷却槽的间距为5mm。作为本技术进一步的方案，所述冷却槽的宽度为3mm，所述冷却槽的间距为5mm。作为本技术进一步的方案，所述冷却槽的宽度为4mm，所述冷却槽的间距为6mm。作为本技术进一步的方案，所述冷却槽的宽度为5mm，所述冷却槽的间距为7mm。作为本技术进一步的方案，所述冷却槽的宽度为7mm，所述冷却槽的间距为8mm。本技术提供了一种纳米晶带材铜套，有益效果在于：本技术将冷却槽的宽度进一步的窄化，并且将冷却槽的宽度与冷却槽的间距设置成相对应的间距，使冷却槽在铜套中有更大的冷却面积，用以适用手机晶带的生产宽度，对晶带生产中进行有效和快速的循环降温，使其达到品质要求。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。图1为本技术实施例提供的改进结构示意图。图2为本技术实施例提供的现有技术中结构示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。所有实施例均采用铜套内径为1000mm，并且Л值为3.1425的系数，通过实施例所呈现的数据与现有技术做对比。实施例1参见图1所述，本技术实施例提供的一种纳米晶带材铜套，包括多个环形阵列的冷却槽，冷却槽贯穿铜套两端，可以使冷却液在冷却槽中流经，冷却槽槽底在径向投影为矩形结构，即在铣削加工时不需要在槽底位置加工成圆弧形，降低加工的难度，保持冷却槽的稳定性，并且冷却槽在圆周上的宽度小于冷却槽之间的间距，冷却槽的宽度范围为2.5mm，槽间距为5mm，所述冷却槽的高度为10mm，铜套与冷却液的接触面积为:这种接触面积可以很好的降低晶带加工的温度，能够满足手机无线充电所需纳米晶带的宽度要求。在本实施例的冷却槽的尺寸下，S2与S1的比值是2.6，即本实施例冷却的效率是现有技术的2.6倍。实施例2一种纳米晶带材铜套，包括多个环形阵列的冷却槽，冷却槽贯穿铜套两端，可以使冷却液在冷却槽中流经，冷却槽槽底在径向投影为矩形结构，即在铣削加工时不需要在槽底位置加工成圆弧形，降低加工的难度，保持冷却槽的稳定性，并且冷却槽在圆周上的宽度小于冷却槽之间的间距，冷却槽的宽度范围为3mm，槽间距为5mm，所述冷却槽的高度为10mm，铜套与冷却液的接触面积为:这种接触面积可以很好的降低晶带加工的温度，能够满足手机无线充电所需纳米晶带的宽度要求。在本实施例的冷却槽的尺寸下，S2与S1的比值是2.5，即本实施例冷却的效率是现有技术的2.5倍。实施例3一种纳米晶带材铜套，包括多个环形阵列的冷却槽，冷却槽贯穿铜套两端，可以使冷却液在冷却槽中流经，冷却槽槽底在径向投影为矩形结构，即在铣削加工时不需要在槽底位置加工成圆弧形，降低加工的难度，保持冷却槽的稳定性，并且冷却槽在圆周上的宽度小于冷却槽之间的间距，冷却槽的宽度范围为4mm，槽间距为6mm，所述冷却槽的高度为10mm，铜套与冷却液的接触面积为:这种接触面积可以很好的降低晶带加工的温度，能够满足手机无线充电所需纳米晶带的宽度要求。在本实施例的冷却槽的尺寸下，S2与S1的比值是2.1，即本实施例冷却的效率是现有技术的2.1倍。实施例4一种纳米晶带材铜套，包括多个环形阵列的冷却槽，冷却槽贯穿铜套两端，可以使冷却液在冷却槽中流经，冷却槽槽底在径向投影为矩形结构，即在铣削加工时不需要在槽底位置加工成圆弧形，降低加工的难度，保持冷却槽的稳定性，并且冷却槽在圆周上的宽度小于冷却槽之间的间距，冷却槽的宽度范围为5mm，槽间距为7mm，所述冷却槽的高度为10mm，铜套与冷却液的接触面积为:这种接触面积可以很好的降低晶带加工的温度，能够满足手机无线充电所需纳米晶带的宽度要求。在本实施例的冷却槽的尺寸下，S2与S1的比值是1.8，即本实施例冷却的效率是现有技术的1.8倍。实施例5一种纳米晶带材铜套，包括多个环形阵列的冷却槽，冷却槽贯穿铜套两端，可以使冷却液在冷却槽中流经，冷却槽槽底在径向投影为矩形结构，即在铣削加工时不需要在槽底位置加工成圆弧形，降低加工的难度，保持冷却槽的稳定性，并且冷却槽在圆周上的宽度小于冷却槽之间的间距，冷却槽的宽度范围为7mm，槽间距为8mm，所述冷却槽的高度为10mm，铜套与冷却液的接触面积为:这种接触面积可以很好的降低晶带加工的温度，能够满足手机无线充电所需纳米晶带的宽度要求。在本实施例的冷却槽的尺寸下，S2与S1的比值是1.6，即本实施例冷却的效率是现有技术的1.6倍。结合实施例1-实施例5，经过窄化处理的冷却槽具有更大的冷却面积，并且与冷却液接触的面积均是现有技术的1.5倍以上，实施例与现有技术均采用相同的粗略算法，因此具有可比性，由此可以得出，实施例1-5是更优于现有技术的改进方案，根据冷却效果的不同可以选择相应的尺寸。以上仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米晶带材铜套，其特征在于，包括多个环形阵列的冷却槽，所述冷却槽贯穿铜套两端，所述冷却槽槽底在径向投影为矩形结构，并且冷却槽在圆周上的宽度小于冷却槽之间的间距，所述冷却槽的宽度范围为2.5-7mm，所述冷却槽的间距为5-8mm，所述冷却槽的高度为10mm。/n

【技术特征摘要】
1.一种纳米晶带材铜套，其特征在于，包括多个环形阵列的冷却槽，所述冷却槽贯穿铜套两端，所述冷却槽槽底在径向投影为矩形结构，并且冷却槽在圆周上的宽度小于冷却槽之间的间距，所述冷却槽的宽度范围为2.5-7mm，所述冷却槽的间距为5-8mm，所述冷却槽的高度为10mm。


2.根据权利要求1所述的纳米晶带材铜套，其特征在于，所述冷却槽的宽度为2.5mm，所述冷却槽的间距为5mm。


3.根据权利要求1所述的纳米晶带材...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐玉川，
申请(专利权)人：安徽蜂鸟电机有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34