一种带阻滤波器及其制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种带阻滤波器及其制作方法。该带阻滤波器包括第一基板和第二基板；第一基板包括第一衬底基板、位于第一衬底基板一侧的第一金属层以及设置于第一金属层背离第一衬底基板一侧的第一键合引脚和第二键合引脚；第一金属层背离第一衬底基板一侧形成超材料结构；第二基板包括第二衬底基板、位于第二衬底基板一侧的第三键合引脚和第四键合引脚，以及连接第三键合引脚和第四键合引脚的第二金属层和第三金属层；第一键合引脚与第三键合引脚键合，第二键合引脚和第四键合引脚键合，以键合第一基板和第二基板。本发明专利技术实施例的技术方案，以实现提高调谐速度且损耗低，适用范围广泛，并实现集成电路的兼容性。

【技术实现步骤摘要】
一种带阻滤波器及其制作方法
本专利技术实施例涉及滤波器
，尤其涉及一种带阻滤波器及其制作方法。
技术介绍
人工材料具有独特的电磁特性，但在自然界中并不容易观察到，因此在理论上被维塞拉格假设为超材料。目前，超材料滤波器可以通过两种不同的方法来实现，一种是CL负载方式，另外一种是谐振式传输线方式。前者描绘了负载有串联叉指电容器和并联电感器的传输线，后者包括使用谐振型超材料结构。在这两种方法中，都实现了复合左右手(CRLH)传输线，其中的负折射率导致了围绕共振频率的后向波传播。谐振型方法比CL负载方法更可取，因为这种超材料结构中存在固有的谐振特性，导致滤波器的谐振频率周围出现急剧的截止。基于上述超材料滤波器可能出现的问题，为动态调整超材料结构的响应特性，并增加超材料滤波器的实用性，则在超材料滤波器中加入可调谐性，一般来说通过可调谐微波组件利用不同的物理效应和材料来实现期望的调谐范围。但目前来说可调谐微波组件采用磁性部件通常需要大的控制功率并且体积庞大，采用液晶虽然具有低损耗，但调谐速度慢。因此，超材料滤波器的谐振频率可调谐性所面临的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带阻滤波器，其特征在于，包括：/n第一基板和第二基板；/n所述第一基板包括第一衬底基板、位于所述第一衬底基板一侧的第一金属层以及设置于所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧的第一键合引脚和第二键合引脚；所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧形成超材料结构；所述超材料结构的高度为g

【技术特征摘要】
1.一种带阻滤波器，其特征在于，包括：
第一基板和第二基板；
所述第一基板包括第一衬底基板、位于所述第一衬底基板一侧的第一金属层以及设置于所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧的第一键合引脚和第二键合引脚；所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧形成超材料结构；所述超材料结构的高度为g1，所述第一金属层的高度为g2，g1＜g2；
所述第二基板包括第二衬底基板、位于所述第二衬底基板一侧的第三键合引脚和第四键合引脚，以及连接所述第三键合引脚和所述第四键合引脚的第二金属层和第三金属层；
所述第一键合引脚与所述第三键合引脚键合，所述第二键合引脚和所述第四键合引脚键合，以键合所述第一基板和所述第二基板。


2.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述第一衬底基板包括第一介电层和位于所述第一介电层一侧的第一氧化层；
所述第二衬底基板包括第二介电层和位于所述第二介电层一侧的第二氧化层。


3.根据权利要求2所述的带阻滤波器，其特征在于，所述第一氧化层包括第一氧化隔离层和第二氧化隔离层；
所述第一氧化隔离层设置于所述第一介电层靠近所述第一金属层一侧，所述第二氧化隔离层设置于所述第一氧化隔离层背离所述第一介电层一侧。


4.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述超材料结构包括位于所述第一衬底基板一侧的接地层以及设置于所述接地层背离所述第一衬底基板一侧的信号层。


5.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述带阻滤波器还包括隔离层；
所述隔离层设置于所述超材料结构背离所述第一衬底基板一侧，所述隔离层在所述超材料结构所在平面上的垂直投影与所述第二金属层和所述第三金属层在所述超材料结构所在平面上的垂直投影重叠。


6.根据权利要求1所述的带...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱文才，赵纶，田学红，林满院，
申请(专利权)人：广东大普通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44