一种可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构，陶瓷外壳内设置有第一镀金的金属化芯区及第二镀金的金属化芯区，第一镀金的金属化芯区上设置有上桥臂半导体芯片，第二镀金的金属化芯区上设置有下桥臂半导体芯片；陶瓷外壳的端面上设置有凹槽结构，引片结构插入于凹槽结构内，且引片结构与陶瓷外壳之间通过密封件密封，引片结构与上桥臂半导体芯片及下桥臂半导体芯片相连接，陶瓷外壳内部为真空结构或者充有惰性气体。该结构具有低成本、高可靠性、低寄生参数及耐高温的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构
本专利技术属于半导体封装
，涉及一种可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构。
技术介绍
近年来，随着第三代宽禁带半导体器件制造技术和应用技术快速发展，碳化硅器件以其材料高热导率和禁带宽度的巨大优势，使得由其组成的变换器更适合在航空航天、能源发展等高温应用场合稳定工作。然而，碳化硅器件在高温下的应用极大的受到封装材料与结构的限制，其实际可耐受温度远远低于理论温度，这极大的限制了碳化硅器件在高温应用场合的发展。并且，在实际应用中，单个碳化硅裸片难以满足功率需求，实际应用中通常采用多芯片并联和模块间级联来实现功率扩充。因此，我们迫切需要一种可多芯片集成的，耐高温、大功率、低寄生参数、易级联的封装结构来充分发挥碳化硅器件在高温下的性能优势。现有的碳化硅器件封装结构主要可分为三类，第一类是塑料封装，芯片通过锡焊与封装外壳连接，通过硅凝胶等材料进行绝缘，封装成本低，工艺简单。第二类是金属封装，芯片通过锡焊等方法与金属封装外壳连接，通过抽真空或充氮气进行绝缘，该有直插式，贴片式等多种结构，工艺灵活本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构，其特征在于，包括陶瓷外壳(100)、密封件及引片结构；/n陶瓷外壳(100)内设置有第一镀金的金属化芯区(101)及第二镀金的金属化芯区(102)，第一镀金的金属化芯区(101)上设置有上桥臂半导体芯片，第二镀金的金属化芯区(102)上设置有下桥臂半导体芯片；/n陶瓷外壳(100)的端面上设置有开槽结构，引片结构插入于开槽结构内，且引片结构与陶瓷外壳(100)之间通过密封件密封，引片结构与上桥臂半导体芯片及下桥臂半导体芯片相连接，陶瓷外壳(100)内部为真空结构或者充有惰性气体。/n

【技术特征摘要】
1.一种可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构，其特征在于，包括陶瓷外壳(100)、密封件及引片结构；
陶瓷外壳(100)内设置有第一镀金的金属化芯区(101)及第二镀金的金属化芯区(102)，第一镀金的金属化芯区(101)上设置有上桥臂半导体芯片，第二镀金的金属化芯区(102)上设置有下桥臂半导体芯片；
陶瓷外壳(100)的端面上设置有开槽结构，引片结构插入于开槽结构内，且引片结构与陶瓷外壳(100)之间通过密封件密封，引片结构与上桥臂半导体芯片及下桥臂半导体芯片相连接，陶瓷外壳(100)内部为真空结构或者充有惰性气体。


2.根据权利要求1所述的可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构，其特征在于，所述引片结构包括第一带孔状的镀金铜引片(103)、第二带孔状的镀金铜引片(104)、第三带孔状的镀金铜引片(105)、第四带孔状的镀金铜引片(106)、第五带孔状的镀金铜引片(107)、第六带孔状的镀金铜引片(108)、第七带孔状的镀金铜引片(109)及第八带孔状的镀金铜引片(110)；
所述开槽结构包括第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽、第四凹槽、第五凹槽、第六凹槽、第七凹槽及第八凹槽；
第一带孔状的镀金铜引片(103)插入于第一凹槽内，第二带孔状的镀金铜引片(104)插入于第二凹槽内，第三带孔状的镀金铜引片(105)插入于第三凹槽内，第四带孔状的镀金铜引片(106)插入于第四凹槽内，第五带孔状的镀金铜引片(107)插入于第五凹槽内，第六带孔状的镀金铜引片(108)插入于第六凹槽内，第七带孔状的镀金铜引片(109)插入于第七凹槽内，第八带孔状的镀金铜引片(110)插入于第八凹槽内。


3.根据权利要求2所述的可级联的大功率碳化硅器件半桥高温封装结构，其特征在于，密封件包括第一金属密封环(111)、第二金属密封环(112)、第三金属密封环(113)、第四金属密封环(114)、第五金属密封环(115)、第六金属密封环(116)、第七金属密封环(117)及第八金属密...

【专利技术属性】
技术研发人员：王来利，朱梦宇，杨奉涛，李华清，杨成子，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61