液体材料气化装置及其控制方法和程序存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供液体材料气化装置及其控制方法和程序存储介质。液体材料气化装置包括：控制阀(1)，设置于材料流体所流通的流道，所述材料流体为液体材料或液体材料气化得到的材料气体；压力传感器(3)，设置在比所述控制阀(1)更靠下游侧；流量传感器(2)，测定材料流体的流量；以及阀控制器(4)，对所述控制阀进行控制，以使设定压力与所述压力传感器测定的测定压力的偏差变小，并且使所述流量传感器测定的测定流量成为限制流量以下，所述限制流量为根据液体材料可气化的上限流量而设定的流量。

【技术实现步骤摘要】
液体材料气化装置及其控制方法和程序存储介质
本专利技术涉及例如半导体制造工艺中使用的液体材料气化装置。
技术介绍
在ALD(AtomicLayerDeposition：原子层沉积)和ALE(AtomiclayerEtching：原子层蚀刻)中，为了实现原子层级别的层叠和蚀刻，需要高速切换向腔室内供给材料气体的打开期间和停止材料气体的供给的关闭期间，并且再现性良好地向腔室供给在打开期间所要求的恒定量的材料气体。此外，这种半导体工艺中采用液体材料气化得到的材料气体。在将液体材料气化而生成材料气体的情况下，如果例如材料气体的压力、流量大幅变动，则存在液体材料未充分气化而不能向腔室内供给期望量的材料气体，或者将液体材料原状向腔室内供给的可能性。因此，在ALD和ALE所使用的半导体制造系统中，例如利用专利文献1所示的液体材料气化装置，以始终生成恒定流量的材料气体的方式进行控制，并且在关闭期间排放材料气体而不向腔室供给。具体而言，如图12所示，所述半导体制造系统包括：液体材料气化装置100A，将液体材料与载气混合并使液体材料气化；具备第一开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液体材料气化装置，其特征在于，包括：/n控制阀，设置于材料流体所流通的流道，所述材料流体为液体材料或液体材料气化得到的材料气体；/n压力传感器，设置在比所述控制阀更靠下游侧；/n流量传感器，测定材料流体的流量；以及/n阀控制器，对所述控制阀进行控制，以使设定压力与所述压力传感器测定的测定压力的偏差变小，并且使所述流量传感器测定的测定流量成为限制流量以下，所述限制流量为根据液体材料可气化的上限流量而设定的流量。/n

【技术特征摘要】
20191127 JP 2019-2141981.一种液体材料气化装置，其特征在于，包括：
控制阀，设置于材料流体所流通的流道，所述材料流体为液体材料或液体材料气化得到的材料气体；
压力传感器，设置在比所述控制阀更靠下游侧；
流量传感器，测定材料流体的流量；以及
阀控制器，对所述控制阀进行控制，以使设定压力与所述压力传感器测定的测定压力的偏差变小，并且使所述流量传感器测定的测定流量成为限制流量以下，所述限制流量为根据液体材料可气化的上限流量而设定的流量。


2.根据权利要求1所述的液体材料气化装置，其特征在于，
所述阀控制器包括：
第一操作量算出部，根据测定流量与限制流量的偏差，算出作为所述控制阀的操作量的第一操作量；
第二操作量算出部，根据测定压力与设定压力的偏差，算出作为所述控制阀的操作量的第二操作量；以及
操作量决定部，比较第一操作量和第二操作量，并将任意一方的操作量输入所述控制阀。


3.根据权利要求2所述的液体材料气化装置，其特征在于，
所述控制阀是在未被施加电压的状态下呈完全打开状态的常开型的阀，
所述操作量决定部将第一操作量和第二操作量中较大一方的操作量输入所述控制阀。


4.根据权利要求2所述的液体材料气化装置，其特征在于，
所述控制阀是在未被施加电压的状态下呈完全关闭状态的常闭型的阀，
所述操作量决定部将第一操作量和第二操作量中较小一方的操作量输入所述控制阀。


5.根据权利要求1所述的液体材料气化装置，其特征在于，
所述阀控制器包括：
流量控制部，根据测定流量与设定流量的偏差，对所述控制阀进行控制；以及
流量设定部，以使测定压力与设定压力的偏差变小的方式，在所述流量控制部设定限制流量以下的设定流量。


6.根据权利要求5所述的液体材料气化装置，其特征在于，在测定压力大于设定压力的情况下，所述流量设定部将设定流量向减小的方向变更，在测定压力小于设定压力的情况下，所述流量设定部将设定流量向加大的方向变更。


7.根据权利要求1所述的液体材料气化装置，其特征在于，
在所述控制阀的上游侧流通液体材料，在所述控制阀的下游侧流通液体材料气化得到的材料气体，
所述流量传感器设置在所述控制阀的上游侧，测定液体材料的流量。


8.根据权利要求1所述的液体材料气化装...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺阪正训，本间瞭一，费尔南德斯·亚历山大，
申请(专利权)人：株式会社堀场STEC，
类型：发明
国别省市：日本;JP