衬底处理装置及衬底搬送方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种衬底处理装置及衬底搬送方法。第1处理区块具备配置在上下方向上的显影处理层及传递层。因此，传递层能够连结于传载区块。另外，传载区块的衬底搬送机构将衬底从衬底缓冲器的位于特定高度位置的缓冲部朝衬底缓冲器的位于其它高度位置的缓冲部搬送。因此，传递层只要进出于与传递层的高度对应的缓冲部即可。因此，能够使传递层精简化。另外，由于传递层配置在显影处理层的上下方向，所以能够减小占据面积。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置及衬底搬送方法
本专利技术涉及一种处理衬底的衬底处理装置及该衬底处理装置的衬底搬送方法。衬底例如可列举半导体衬底、FPD(FlatPanelDisplay，平板显示器)用衬底、光罩用玻璃衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、陶瓷衬底、太阳电池用衬底等。FPD例如可列举液晶显示装置、有机EL(electroluminescence，电致发光)显示装置等。
技术介绍
以往的衬底处理装置依次具备传载区块、涂布区块、显影区块及传递区块(例如，参照日本专利特开2014-187273号公报)。此外，传载区块在下文中适当地称作“ID(indexer)区块”，传递区块在下文中适当地称作“IF(interface)区块”。ID区块具备载体载置台及衬底搬送机构。衬底搬送机构从载置在载体载置台上的载体取出衬底，并将该衬底传送到涂布区块。涂布区块对衬底形成例如光阻膜。形成有光阻膜的衬底经过显影区块被传送到IF区块。IF区块相对于曝光装置搬入及搬出衬底。曝光后的衬底从IF区块被传送到显影区块。显影区块对曝光后的衬底进行显影处理。进行显影处理后的衬底经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底处理装置，其特征在于具备：/n传载区块，设置有用来载置能够收纳衬底的载体的载体载置台，且具有衬底缓冲器及传载机构，所述衬底缓冲器具有载置衬底的多个缓冲部，所述传载机构搬送衬底；/n第1处理区块，具有相对于外部装置搬入及搬出衬底的传递层、及配置在所述传递层上侧或下侧的第1处理层；以及/n第2处理区块，具有配置在上下方向上的多个第2处理层；且/n所述第1处理区块、所述传载区块及所述第2处理区块依次在水平方向上连结，/n所述传载机构在载置于所述载体载置台上的所述载体与所述衬底缓冲器之间搬送衬底，/n所述传载机构将衬底从所述衬底缓冲器的位于特定高度位置的缓冲部朝所述衬底缓冲器的位于其它高度...

【技术特征摘要】
20191127 JP 2019-2144621.一种衬底处理装置，其特征在于具备：
传载区块，设置有用来载置能够收纳衬底的载体的载体载置台，且具有衬底缓冲器及传载机构，所述衬底缓冲器具有载置衬底的多个缓冲部，所述传载机构搬送衬底；
第1处理区块，具有相对于外部装置搬入及搬出衬底的传递层、及配置在所述传递层上侧或下侧的第1处理层；以及
第2处理区块，具有配置在上下方向上的多个第2处理层；且
所述第1处理区块、所述传载区块及所述第2处理区块依次在水平方向上连结，
所述传载机构在载置于所述载体载置台上的所述载体与所述衬底缓冲器之间搬送衬底，
所述传载机构将衬底从所述衬底缓冲器的位于特定高度位置的缓冲部朝所述衬底缓冲器的位于其它高度位置的缓冲部搬送，
所述多个第2处理层分别相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述多个第2处理层分别对应的高度位置的缓冲部接收及交递衬底，
所述传递层相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述传递层对应的高度位置的缓冲部至少接收衬底，
所述第1处理层相对于所述衬底缓冲器中的位于与所述第1处理层对应的高度位置的缓冲部至少交递衬底。


2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于：
所述第1处理层为显影处理层，
所述第2处理层为涂布处理层，
所述外部装置为曝光装置。


3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，
所述传递层具备：连结于所述传载区块的处理区域、及
与所述处理区域连结的传递区域，
所述处理区域具备：曝光关联处理单元，对涂布处理后且显影处理前的衬底进行特定处理；以及搬送机构，在与所述传载区块的所述衬底缓冲器、所述曝光关联处理单元及所述传递区域之间搬送衬底；
所述传递区域具备在所述曝光装置与所述处理区域之间搬送衬底的曝光装置用搬送机构。


4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于：
所述传递区域以所述传递区域的所述曝光装置侧的端突出到所述第1处理层外侧的方式配置。


5.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于：
所述传递区域以所述传递区域的所述曝光装置侧的端收在所述第1处理层内侧的方式配置。


6.根据权利要求3至5中任一项所述的衬底处理装置，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：桑原丈二，金山幸司，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本;JP