实时差错检测与纠错芯片制造技术

一种实时差错检测与纠错芯片，包括一检错与纠错单元，其特征在于还包括一编码单元、二选一数据选择单元、第一控制单元、第二控制单元及时序控制单元，片选信号有效时，数据由中央处理单元读入，通过数据总线经过第一控制单元、编码单元、二选一数据选择单元和第二控制单元，输出给静态随机存储器；数据由静态随机存储器读入时，经过第二控制单元，输入检错与纠错单元中，进行数据检错，如果数据正确，则通过第一控制单元输出给中央处理单元，如果数据一位错误，则在所述的检错与纠错单元中纠正后将正确数据分两路传输，一路通过第一控制单元输出给中央处理单元，一路通过二选一数据选择单元和第二控制单元输出给静态随机存储器，覆盖原来的错误数据，其中：　　　　所述编码单元在接收从中央处理单元输入的数据后，生成校验位；　　　　所述二选一数据选择单元由中央处理单元的读写控制信号ｗ＿ｒ的高低控制选择数据的传输流向；　　　　所述第一控制单元由中央处理单元的读写控制信号ｗ＿ｒ的高低控制数据输入和输出通路的开关；　　　　所述第二控制单元由中央处理单元的读写控制信号ｗ＿ｒ的高低和所述检错与纠错单元发出的错误标志信号ｆａｕｌｔ的高低来控制数据输入和输出通路的开关；　　　　所述检错与纠错单元由所述时序控制单元发出的控制脉冲信号ｆｌａｇｏｅ的高低来控制开关，所述检错与纠错单元打开时，检测输入数据是否发生错误，发生错误的数据被纠正后输出，同时产生错误标志信号ｆａｕｌｔ；　　　　所述时序控制单元在每次中央处理单元读取静态随机存储器中的数据时，开始计数，配合时钟脉冲信号ｃｌｋ２和ｃｌｋ２的二分频时钟脉冲信号ｃｌｋｏｕｔ来完成提取脉冲的功能，提供所述检错与纠错单元开关的控制脉冲信号ｆｌａｇｏｅ。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一纠错编码芯片，尤其涉及一种应用于单粒子翻转的环境下的电子计算机中的实时差错检测与纠错芯片。
技术介绍
在一些电磁环境比较恶劣的情况下，一些大规模集成电路常常会受到干扰，导致不能正常工作。特别是像RAM这种利用双稳态进行存储的器件，往往会在强干扰下发生翻转，使原来存储的″0″变为″1″，或者″1″变为″0″，造成的后果往往是很严重的，导致一些控制程序跑飞，存储的关键数据出错等等。特别是空间高能粒子辐射导致的单粒子翻转效应SEU(Single EventUpset)，使得航天计算机上的静态存储器SRAM中的数据会出现小概率错误，这种错误若不及时进行纠正将会影响计算机系统的正常运行和关键数据错误，而星载计算机要求高可靠性，一旦发生故障后果将不堪设想。单粒子事件可发生在各种轨道高度的空间飞行器上，而且发生率较高。国内外解决单粒子翻转效应造成存储器中的数据错误的方法主要分为软件和硬件加固技术。采用软件解决单粒子翻转而造成的存储器数据错误所需要的硬件简单，易于实现，缺点是实时性差，实现速度慢；目前星载计算机采取的抗辐射加固技术主要采用专用纠错检错芯片和时序控制电路联和完成检错本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周盛雨，陈小敏，安军社，孙辉先，
申请(专利权)人：中国科学院空间科学与应用研究中心，
类型：发明
国别省市：