一种图案化转移石墨炔薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种图案化转移石墨炔薄膜的方法，涉及二维材料的加工领域，包括以下步骤：将目标基底匀上光刻胶，进行图案化曝光、显影，将希望转移石墨炔薄膜图案的地方裸露出来；通过湿法转移法将石墨炔薄膜转移到显影之后的目标基底上；将转移好石墨炔薄膜的目标基底去胶，之后便得到图案化的石墨炔薄膜。本发明专利技术的目的是克服现有工艺的不足，提供了一种实验室图案化转移石墨炔薄膜的方法，该方法操作简单，实现图案化转移石墨炔薄膜的精度和成功率高，得到的石墨炔薄膜也比较洁净，解决了石墨炔薄膜转移位置、形状和大小不可控的工艺难题。

【技术实现步骤摘要】
一种图案化转移石墨炔薄膜的方法
本专利技术涉及二维材料的加工领域，具体涉及一种图案化转移石墨炔薄膜的方法。
技术介绍
石墨炔是继石墨烯以来发现的又一种二维碳材料，2010年中国科学家首次成功实验合成了由sp和sp2两种杂化态形成的石墨二炔(后面简称为“石墨炔”)，自此，对这种新型碳同素异形体的研究步入了实验阶段。理论上具备超高的载流子迁移率和合适的天然带隙的石墨炔在光电器件领域应用中具有广阔的前景，同时石墨炔结构中的共轭二炔键和均匀的孔洞结构又使其在能源存储与转换和催化等领域展现出巨大的应用潜力。然而，在铜箔上合成的石墨炔薄膜难以定向转移，实验室中转移得到的石墨炔薄膜往往形状和面积不可控，图案化刻蚀又难以刻蚀干净，这限制了石墨炔的表征分析和在光电器件中的应用，需要发展一种图案化定向转移石墨炔薄膜的方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有工艺的不足，提供了一种实验室图案化转移石墨炔薄膜的方法，该方法操作简单，实现图案化转移石墨炔薄膜的精度和成功率高，得到的石墨炔薄膜也比较洁净，解决了石墨炔薄膜转移位置、形状和大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图案化转移石墨炔薄膜的方法，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤：/nS1、将目标基底匀上光刻胶，进行图案化曝光、显影，将希望转移石墨炔薄膜图案的地方裸露出来；/nS2、通过湿法转移法将石墨炔薄膜转移到显影之后的目标基底上；/nS3、将转移好石墨炔薄膜的目标基底去胶，之后便得到图案化的石墨炔薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种图案化转移石墨炔薄膜的方法，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤：
S1、将目标基底匀上光刻胶，进行图案化曝光、显影，将希望转移石墨炔薄膜图案的地方裸露出来；
S2、通过湿法转移法将石墨炔薄膜转移到显影之后的目标基底上；
S3、将转移好石墨炔薄膜的目标基底去胶，之后便得到图案化的石墨炔薄膜。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，所述目标基底为表面具有300nm厚氧化硅层的硅基底。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，所述光刻胶为电子束光刻胶或紫外光刻胶。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤S1中，当所述光刻胶为电子束光刻胶时，所述图案化曝光为图案化电子束曝光；当所述光刻胶为紫外光刻胶时，所述图案化曝光为图案化紫外曝光。


5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当所述光刻胶为电子束光刻胶，且所述图案化曝光为图案化电子束曝光时，步骤S1具体为：将目标基底匀两次电子束光刻胶，每次匀完以后加热175～185℃/1min烘干，然后进行图案化电子束曝光，将希望得到的石墨炔薄膜图案转移到电子束光刻胶上，显影，此时曝光位置裸露出硅基底。


6.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张跃，王利华，张铮，黄梦婷，刘璇，陈匡磊，高丽，于慧慧，洪孟羽，汤文辉，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：北京;11