一种半导体集成电路封装器件加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体集成电路封装器件加工装置，包括装载封装器件的加工平台，以及为封装器件外引脚镀层的镀层机构，在所述加工平台中部设置有夹持机构，所述镀层机构位于夹持机构的正下方，所述夹持机构包括围于所述封装器件外周部的环壁和设置在环壁底部与所述封装器件底壁相匹配的底板，以及对称设置在环壁内周部的限位结构，所述底板的两侧边与所述环壁内周部存有供所述封装器件外引脚外露与镀层机构相接触的镀层孔隙。本发明专利技术为封装器件所有的外引脚均设置独立的镀层管道组作为独立电镀空间，避免相邻引脚间的镀层产生重合。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体集成电路封装器件加工装置
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种半导体集成电路封装器件加工装置。
技术介绍
集成电路封装不仅起到集成电路芯片内键合点与外部进行电气连接的作用，也为集成电路芯片提供了一个稳定可靠的工作环境，对集成电路芯片起到机械或环境保护的作用，从而集成电路芯片能够发挥正常的功能，并保证其具有高稳定性和可靠性。因此，集成电路封装质量的好坏，对集成电路总体的性能优劣关系很大。在集成电路封装完成后需要对芯片封装框架外部的引脚进行上锡操作以保护引脚以及增加引脚的可焊接性，在目前技术中对于引脚上锡有两种方式，一是电镀，二是浸锡，其中，浸锡容易由于液面张力的作用引起镀层不均匀，因此常采用电镀方式，现有装置中，对于电镀上锡加工工序通常依次为电镀和烘干，即将芯片外引脚置于电镀池中进行电镀，并在电镀完成后送至烘干箱用于对镀层进行烘干操作获得上锡成品，但是此种方式使将芯片外引脚全部置于同一电镀池中，由于芯片引脚间距较小会导致相邻引脚上的镀层重合，从而引起芯片引脚短路，影响芯片性能，而且从电镀池移动到烘干箱过程中，导致镀层受重力堆聚在引脚底部造成镀层不均同时还会导致电镀溶液四散造成环境粒子污染。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体集成电路封装器件加工装置，以解决现有技术中将芯片外引脚全部置于同一电镀池中，由于芯片引脚间距较小会导致相邻引脚上的镀层重合，从而引起芯片引脚短路，影响芯片性能，而且从电镀池移动到烘干箱过程中，导致镀层受重力堆聚在引脚底部造成镀层不均同时还会导致电镀溶液四散造成环境粒子污染的技术问题。为解决上述技术问题，本专利技术具体提供下述技术方案：一种半导体集成电路封装器件加工装置，包括装载封装器件的加工平台，以及为封装器件外引脚镀层的镀层机构，在所述加工平台中部设置有夹持机构，所述镀层机构位于夹持机构的正下方，其中，所述夹持机构包括围于所述封装器件外周部的环壁和设置在环壁底部与所述封装器件底壁相匹配的底板，以及对称设置在环壁内周部的限位结构，所述底板的两侧边与所述环壁内周部存有供所述封装器件外引脚外露与镀层机构相接触的镀层孔隙，所述限位结构包括设置在所述环壁内周部朝向所述封装器件一侧上的第一顶升装置，一端与第一顶升装置的驱动轴相连接的第二联动件第一联动件，以及设置在第一联动件另一端的顶升板，所述顶升板依次通过所述第一联动件、第一顶升装置的驱动轴与所述第一顶升装置构成第一一体传动结构，所述第一一体传动结构在所述第一顶升装置的驱动力作用下轴向滑动靠近或远离所述封装器件的外周部以夹持或释放所述封装器件。作为本专利技术的一种优选方案，所述镀层机构包括竖直设置在所述镀层孔隙下方的与所述封装器件外引脚一一对应的镀层管道组，以及设置在镀层管道组下方的顶升组件，所述顶升组件用于将所述镀层管道组顶升输送到所述封装器件外引脚外周部进行镀层操作，所述镀层管道组由内向外依次嵌套设有电镀管道、冲刷管道以及烘干管道，所述顶升组件包括与所述电镀管道、冲刷管道以及烘干管道分别匹配的第二顶升装置和第二联动件、第三顶升装置和第三联动件以及第四顶升装置和第四联动件，所述第二顶升装置的一端与所述电镀管道下表面相连接，另一端与所述第二顶升装置的驱动轴相连接，所述第三顶升装置的一端与所述冲刷管道下表面相连接，另一端与所述第三顶升装置的驱动轴相连接，所述第四顶升装置的一端与所述烘干管道下表面相连接，另一端与所述第四顶升装置的驱动轴相连接。作为本专利技术的一种优选方案，所述电镀管道依次通过第二联动件、第二顶升装置的驱动轴与所述第二顶升装置构成第二一体传动结构，所述第二一体传动结构在所述第二顶升装置的驱动力作用下将所述电镀管道顶升传送嵌套到所述封装器件外引脚外周部进行电镀反应，所述冲刷管道依次通过第三联动件、第三顶升装置的驱动轴与所述第三顶升装置构成第三一体传动结构，所述第三一体传动结构在所述第三顶升装置的驱动力作用下将所述冲刷管道顶升传送嵌套到所述封装器件外引脚外周部进行镀液冲刷，所述烘干管道依次通过第四联动件、第四顶升装置的驱动轴与所述第四顶升装置构成第四一体传动结构，所述第四一体传动结构在所述第四顶升装置的驱动力作用下将所述电镀管道顶升传送嵌套到所述封装器件外引脚外周部进行镀层烘干。作为本专利技术的一种优选方案，所述电镀管道为顶部开闭式柱形腔体，在所述电镀管道内部填充有用于所述电镀反应的镀液，所述冲刷管道与所述烘干管道均为无顶壁和底壁的柱形腔体，在所述冲刷管道内壁表面设置有高压冲刷管口，所述高压冲刷管口通过传输管道外接有高压充气装置，在所述烘干管道内壁表面设置有高温充气管口，所述高温充气管口通过传输管道外接有高温充气装置。作为本专利技术的一种优选方案，所有镀层管道组中的所有所述传输管道均为弹性管道且依次沿所述冲刷管道外管壁、第三联动件汇聚连接到所述高压充气装置上，以及依次沿所述烘干管道外管壁、第四联动件汇聚连接到所述高温充气装置上。作为本专利技术的一种优选方案，所述电镀管道的外管壁、冲刷管道的内管壁、冲刷管道的外管壁和烘干管道的内管壁的横截半径依次增大且互不接触以保证所述电镀管道、冲刷管道和烘干管道独立顶升嵌套至所述封装器件外引脚外周部。作为本专利技术的一种优选方案，所述镀层机构还包括设置在所述镀层管道组底部用于镀层管道组调距的调距机构，所述调距机构包括设置在调距轨道，设置在调距轨道上方与所述顶升组件相匹配的第五联动件，以及与为第五联动件在调距轨道上方提供滑动动力的驱动装置，所述镀层管道组依次通过顶升组件、第五联动件与所述驱动装置构成第五一体传动结构，所述第五一体传动结构依据所述封装器件外引脚的引脚间距进行平移滑动以使得镀层管道组与所述封装器件外引脚达到镀层位置匹配以进行镀层操作。作为本专利技术的一种优选方案，还包括引脚测距模块、管道测距模块以及信息处理模块；所述引脚测距模块包括激光扫描测距仪，所述激光扫描测距仪扫描所述封装器件外引脚形成引脚间距数据；所述管道测距模块包括设置在调距轨道上的激光传感器矩阵，所述激光传感器矩阵检测调距轨道上各点压力数据判断镀层管道组的位置数据；所述信息处理模块根据引脚间距数据以及镀层管道组的位置数据控制所有镀层管道组在所述调距轨道平移滑动与所述封装器件外引脚呈一致排布。作为本专利技术的一种优选方案，所述镀层管道组在所述调距轨道平移滑动的距离计算公式为：Li＝(Bi-B1)-(Ai-A1)，i∈(2,n)L1＝B1-A1，i＝1式中，Li：第i个镀层管道组较当前位置移动的距离；Bi：第i个镀层管道组当前位置数据；B1：第1个镀层管道组当前位置数据；Ai：封装器件第i个外引脚位置数据；A1：封装器件第1个外引脚位置数据；n：封装器件外引脚总数。作为本专利技术的一种优选方案，所述激光扫描测距仪形成的所述引脚间距数据由信息处理模块换算至置于所述夹持机构上位于调距轨道上的绝对距离，所述镀层管道组的位置数据为位于调距轨道上的绝对距离，所述镀层管道组在所述调距轨道平移滑动的距本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体集成电路封装器件加工装置，包括装载封装器件的加工平台(1)，以及为封装器件外引脚镀层的镀层机构(2)，其特征在于：在所述加工平台(1)中部设置有夹持机构(3)，所述镀层机构(2)位于夹持机构(3)的正下方，其中，/n所述夹持机构(3)包括围于所述封装器件外周部的环壁(301)和设置在环壁(301)底部与所述封装器件底壁相匹配的底板(302)，以及对称设置在环壁(301)内周部的限位结构(303)，所述底板(302)的两侧边与所述环壁(301)内周部存有供所述封装器件外引脚外露与镀层机构(2)相接触的镀层孔隙(4)，所述限位结构(303)包括设置在所述环壁(301)内周部朝向所述封装器件一侧上的第一顶升装置(3031)，一端与第一顶升装置(3031)的驱动轴相连接的第二联动件(2022)第一联动件(3032)，以及设置在第一联动件(3032)另一端的顶升板(3033)，所述顶升板(3033)依次通过所述第一联动件(3032)、第一顶升装置(3031)的驱动轴与所述第一顶升装置(3031)构成第一一体传动结构，所述第一一体传动结构在所述第一顶升装置(3031)的驱动力作用下轴向滑动靠近或远离所述封装器件的外周部以夹持或释放所述封装器件。/n...

【技术特征摘要】
1.一种半导体集成电路封装器件加工装置，包括装载封装器件的加工平台(1)，以及为封装器件外引脚镀层的镀层机构(2)，其特征在于：在所述加工平台(1)中部设置有夹持机构(3)，所述镀层机构(2)位于夹持机构(3)的正下方，其中，
所述夹持机构(3)包括围于所述封装器件外周部的环壁(301)和设置在环壁(301)底部与所述封装器件底壁相匹配的底板(302)，以及对称设置在环壁(301)内周部的限位结构(303)，所述底板(302)的两侧边与所述环壁(301)内周部存有供所述封装器件外引脚外露与镀层机构(2)相接触的镀层孔隙(4)，所述限位结构(303)包括设置在所述环壁(301)内周部朝向所述封装器件一侧上的第一顶升装置(3031)，一端与第一顶升装置(3031)的驱动轴相连接的第二联动件(2022)第一联动件(3032)，以及设置在第一联动件(3032)另一端的顶升板(3033)，所述顶升板(3033)依次通过所述第一联动件(3032)、第一顶升装置(3031)的驱动轴与所述第一顶升装置(3031)构成第一一体传动结构，所述第一一体传动结构在所述第一顶升装置(3031)的驱动力作用下轴向滑动靠近或远离所述封装器件的外周部以夹持或释放所述封装器件。


2.根据权利要求1所述的一种半导体集成电路封装器件加工装置，其特征在于：所述镀层机构(2)包括竖直设置在所述镀层孔隙(4)下方的与所述封装器件外引脚一一对应的镀层管道组(201)，以及设置在镀层管道组(201)下方的顶升组件(202)，所述顶升组件(202)用于将所述镀层管道组(201)顶升输送到所述封装器件外引脚外周部进行镀层操作，所述镀层管道组(201)由内向外依次嵌套设有电镀管道(2011)、冲刷管道(2012)以及烘干管道(2013)，所述顶升组件(202)包括与所述电镀管道(2011)、冲刷管道(2012)以及烘干管道(2013)分别匹配的第二顶升装置(2021)和第二联动件(2022)、第三顶升装置(2023)和第三联动件(2024)以及第四顶升装置(2025)和第四联动件(2026)，所述第二顶升装置(2021)的一端与所述电镀管道(2011)下表面相连接，另一端与所述第二顶升装置(2021)的驱动轴相连接，所述第三顶升装置(2023)的一端与所述冲刷管道(2012)下表面相连接，另一端与所述第三顶升装置(2023)的驱动轴相连接，所述第四顶升装置(2025)的一端与所述烘干管道(2013)下表面相连接，另一端与所述第四顶升装置(2025)的驱动轴相连接。


3.根据权利要求2所述的一种半导体集成电路封装器件加工装置，其特征在于：所述电镀管道(2011)依次通过第二联动件(2022)、第二顶升装置(2021)的驱动轴与所述第二顶升装置(2021)构成第二一体传动结构，所述第二一体传动结构在所述第二顶升装置(2021)的驱动力作用下将所述电镀管道(2011)顶升传送嵌套到所述封装器件外引脚外周部进行电镀反应，所述冲刷管道(2012)依次通过第三联动件(2024)、第三顶升装置(2023)的驱动轴与所述第三顶升装置(2023)构成第三一体传动结构，所述第三一体传动结构在所述第三顶升装置(2023)的驱动力作用下将所述冲刷管道(2012)顶升传送嵌套到所述封装器件外引脚外周部进行镀液冲刷，所述烘干管道(2013)依次通过第四联动件(2026)、第四顶升装置(2025)的驱动轴与所述第四顶升装置(2025)构成第四一体传动结构，所述第四一体传动结构在所述第四顶升装置(2025)的驱动力作用下将所述电镀管道(2011)顶升传送嵌套到所述封装器件外引脚外周部进行镀层烘干。


4.根据权利要求3所述的一种半导体集成电路封装器件加工装置，其特征在于：所述电镀管道(2011)为顶部开闭式柱形腔体，在所述电镀管道(2011...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨木兰，
申请(专利权)人：杨木兰，
类型：发明
国别省市：广东;44