一种用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜及其制备方法技术

技术编号:28593352 阅读:84 留言:0更新日期:2021-05-28 15:44
本发明专利技术公开了一种用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜及其制备方法,该方法利用二氧化硅粒子与聚乳酸‑羟基乙酸共聚物通过负复制方法,制备得到具有规则且相互连通多孔结构的反蛋白石膜;在聚乳酸‑羟基乙酸共聚物的玻璃化温度下进行拉伸得到具有可调节图案的拉伸反蛋白石膜,通过真空负压的方法装载甲基丙烯酸酐化明胶和抗菌肽。本发明专利技术制备的反蛋白石膜具有良好的生物相容性,具有指导细胞方向性生长和整齐排列的功能,抑制伤口部位的疤痕形成,其多孔结构内装载的抗菌肽可以缓慢释放达到强效的抗菌功能,从而加速伤口的愈合,功能多样,制备简单。

【技术实现步骤摘要】
一种用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜及其制备方法
本专利技术涉及生物医用材料
,尤其涉及一种用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜及其制备方法。
技术介绍
疤痕组织的形成常发生在严重烧伤、皮肤外伤,或者是手术干预后的并发症之一。增生性疤痕主要由持续的真皮纤维化、不规则的胶原沉积和过度增生的增生性瘢痕成纤维细胞引起。疤痕组织的生成不仅影响美观,过多的疤痕组织还会影响关节的灵活运动。增生性疤痕的常规治疗可分为非侵入性治疗(如局部硅胶片和压力敷料)和侵入性治疗(如手术切除和激光切除)。但这些治疗方法存在疗效低、复发率高、疼痛过程等不良反应。如何有效防止疤痕的形成一直是临床医生和研究人员关注的问题。创面频繁地发生于日常生活和外科手术等,创面修复是全世界医疗卫生领域一个备受关注的问题。为了抑制疤痕形成,不同药物对疤痕的抑制效果被大量研究,但通过特殊的物理结构诱导伤口部位细胞生长以减少疤痕生成还未被研究过。之前已经证明,细胞可以在具有拉伸反蛋白石图案的薄膜和具有特殊表面形貌(如沟槽、脊线或排列整齐的纤维)的基底上以特定方向生长。然而,这些膜往往只是简单的用于细胞诱导,其对细胞生长和迁移的影响,特别是在抑制疤痕形成过程的应用尚未被研究
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜及其制备方法,本专利技术通过可调节的反蛋白石图案,促进皮肤细胞的方向性生长和整齐排列,以减少创面部位的疤痕形成。为实现上述技术目的,本专利技术采取的技术方案为:一种用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜的制备方法,包括如下步骤:1)制备反蛋白石膜:采用负复制方法,利用二氧化硅粒子与聚乳酸-羟基乙酸共聚物制备反蛋白石膜;2)制备抑制疤痕生成的反蛋白石膜:利用步骤1)得到的反蛋白石膜,进行均匀拉伸后进行干燥,得到拉伸反蛋白石膜后在拉伸的纳米孔洞内装载甲基丙烯酸酐化明胶和抗菌肽混合物;其中,步骤1)所述负复制方法具体制备步骤为:①利用二氧化硅粒子制备胶体晶体模板;②利用聚乳酸-羟基乙酸共聚物溶液渗透胶体晶体模板内部,充分干燥后得到聚乳酸-羟基乙酸共聚物和胶体晶体模板复合物;③腐蚀胶体晶体模板,得到聚乳酸-羟基乙酸共聚物反蛋白石膜。进一步的,步骤①所述的二氧化硅粒子直径为100-500nm。步骤②所述的聚乳酸-羟基乙酸共聚物溶液为聚乳酸-羟基乙酸共聚物的乙酸乙酯、二氯甲烷、三氯甲烷、丙酮溶液中的一种,其浓度为10-20%,需密封避光保存。步骤②所述的充分干燥具体为在通风橱内静止4天,使乳酸-羟基乙酸共聚物溶液的有机溶剂充分挥发。步骤③所述腐蚀胶体晶体模板为采用氢氟酸或氢氧化钠进行腐蚀。步骤2)所述进行均匀拉伸方法是在聚乳酸-羟基乙酸共聚物的玻璃化温度40-50摄氏度水浴中进行拉伸。步骤2)所述拉伸反蛋白石膜为拉伸至3至6倍原长度的反蛋白石膜。步骤2)所述装载甲基丙烯酸酐化明胶和抗菌肽是通过负压真空的方法使混合溶液充分浸润到拉伸的纳米孔洞内,并通过紫外光照的方法使甲基丙烯酸酐化明胶聚合。本专利技术保护采用权利要求所述的方法制备得到的用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜。本专利技术还保护所述的反蛋白石膜在制备用于抑制疤痕生成的药物中的应用。与现有技术相比,本专利技术的有益效果在于:1)本专利技术提供的用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜,反蛋白石膜内部具有规则且相互连通的多孔结构,可用于药物的装载与局部药物缓慢释放,有利于维持伤口部位的药物浓度。2)本专利技术提供的用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜,反蛋白石膜经过拉伸后得到的可调节的反蛋白石图案,其特殊的拓扑结构具有促进细胞方向性生长和稳定排列生长的作用,可以抑制伤口部位的疤痕生成。3)本专利技术提供的用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜,装载有甲基丙烯酸酐化明胶和抗菌肽,随着甲基丙烯酸酐化明胶的缓慢降解,抗菌肽子持续释放,可以达到强效的抗菌功能,有效地加速伤口愈合和修复。附图说明图1为抑制疤痕生成的反蛋白石膜制备流程图。图2为实施例2中NIH-3T3细胞生长在玻璃细胞爬片,未拉伸反蛋白石膜,三倍拉伸原长度的反蛋白石膜,六倍拉伸原长度的反蛋白石膜上的荧光染色图。图3为实施例3中不同组的HE染色图,其中A为PBS处理组创面HE染色结果,B为未拉伸的反蛋白石膜处理组创面HE染色结果,C为六倍拉伸原长度的反蛋白石膜处理组创面HE染色图,D为装载了甲基丙烯酸酐化明胶和抗菌肽混合物的六倍拉伸原长度的反蛋白石膜处理组HE染色图。图4为实施例3中不同组的Masson染色图,其中A为PBS处理组创面Masson染色结果,B为未拉伸的反蛋白石膜处理组创面Masson染色结果,C为六倍拉伸原长度的反蛋白石膜处理组创面Masson染色图,D为装载了甲基丙烯酸酐化明胶和抗菌肽混合物的六倍拉伸原长度的反蛋白石膜处理组Masson染色图。具体实施方式为了使本领域
人员更好地理解本专利技术的技术方案,下面结合附图对本专利技术的实施例作进一步详细描述。下述实施例中所使用的实验方法,如无特殊说明,均为常规方法,所用的试剂、方法和设备,如无特殊说明,均为本
常规试剂、方法和设备。本专利技术提供了用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜的制备方法,包括如下步骤:1)制备反蛋白石膜:采用负复制方法,利用二氧化硅粒子与聚乳酸-羟基乙酸共聚物制备反蛋白石膜;2)制备抑制疤痕生成的反蛋白石膜:利用步骤1)得到的反蛋白石膜,进行均匀拉伸后进行干燥,得到拉伸反蛋白石膜后在拉伸的纳米孔洞(附图)内装载甲基丙烯酸酐化明胶,抗菌肽和血管内皮生长因子混合物。进一步地,步骤1)所述负复制方法具体制备步骤为:①利用二氧化硅粒子制备胶体晶体模板;②利用聚乳酸-羟基乙酸共聚物溶液渗透胶体晶体模板内部,充分干燥后得到聚乳酸-羟基乙酸共聚物和胶体晶体模板复合物;③腐蚀胶体晶体模板,得到聚乳酸-羟基乙酸共聚物反蛋白石膜。步骤①所述的二氧化硅粒子直径为100-500nm。步骤②所述的聚乳酸-羟基乙酸共聚物溶液为聚乳酸-羟基乙酸共聚物的乙酸乙酯、二氯甲烷、三氯甲烷、丙酮溶液中的一种,其浓度为10-20%,需密封避光保存。步骤②所述的充分干燥具体为在低温,低湿度环境下,在通风橱内静止4天,使乳酸-羟基乙酸共聚物溶液的有机溶剂充分挥发。步骤③所述腐蚀胶体晶体模板为采用氢氟酸或氢氧化钠进行腐蚀。步骤2)所述进行均匀拉伸方法是在40-50℃水浴中进行拉伸;拉伸的反蛋白石膜为拉伸至3至6倍原长度的反蛋白石膜。步骤2)所述装载甲基丙烯酸酐化明胶,抗菌肽和血管内皮生长因子是通过负压真空的方法使混合溶液充分浸润到拉伸的纳米孔洞内,并通过紫外光照的方法使甲基丙烯酸酐化明胶聚合。以下为具体实施例:实施例1一种拉伸的反蛋白石薄膜,制备流程如图1所示,步骤如下:(1)制备二氧化硅胶本文档来自技高网
...

【技术保护点】
1.一种用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/n1)制备反蛋白石膜:采用负复制方法,利用二氧化硅粒子与聚乳酸-羟基乙酸共聚物制备反蛋白石膜;/n2)制备抑制疤痕生成的反蛋白石膜:利用步骤1)得到的反蛋白石膜,进行均匀拉伸后进行干燥,得到拉伸反蛋白石膜后在拉伸的纳米孔洞内装载甲基丙烯酸酐化明胶和抗菌肽混合物;/n其中,步骤1)所述负复制方法具体制备步骤为:/n①利用二氧化硅粒子制备胶体晶体模板;/n②利用聚乳酸-羟基乙酸共聚物溶液渗透胶体晶体模板内部,充分干燥后得到聚乳酸-羟基乙酸共聚物和胶体晶体模板复合物;/n③腐蚀胶体晶体模板,得到聚乳酸-羟基乙酸共聚物反蛋白石膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
1)制备反蛋白石膜:采用负复制方法,利用二氧化硅粒子与聚乳酸-羟基乙酸共聚物制备反蛋白石膜;
2)制备抑制疤痕生成的反蛋白石膜:利用步骤1)得到的反蛋白石膜,进行均匀拉伸后进行干燥,得到拉伸反蛋白石膜后在拉伸的纳米孔洞内装载甲基丙烯酸酐化明胶和抗菌肽混合物;
其中,步骤1)所述负复制方法具体制备步骤为:
①利用二氧化硅粒子制备胶体晶体模板;
②利用聚乳酸-羟基乙酸共聚物溶液渗透胶体晶体模板内部,充分干燥后得到聚乳酸-羟基乙酸共聚物和胶体晶体模板复合物;
③腐蚀胶体晶体模板,得到聚乳酸-羟基乙酸共聚物反蛋白石膜。


2.根据权利要求1所述的用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜的制备方法,其特征在于:步骤①所述的二氧化硅粒子直径为100-500nm。


3.根据权利要求1所述的用于抑制疤痕生成的反蛋白石膜的制备方法,其特征在于:步骤②所述的聚乳酸-羟基乙酸共聚物溶液为聚乳酸-羟基乙酸共聚物的乙酸乙酯、二氯甲烷、三氯甲烷、丙酮溶液中的一种,其浓度为10-20%,需密封避光保存。


4.根据权利要求1所述的用于抑制疤痕生...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵远锦翁万青王月桐施可庆张纯武池俊杰
申请(专利权)人:温州医科大学附属第一医院
类型:发明
国别省市:浙江;33

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1