在同步模式下的PSI5基极电流采样制造技术

多个传感器耦合(405)到PSI5收发器的第一引脚(P1)以接收传感器总线信号(VCEx)。曼彻斯特解码器耦合(410)到第二引脚(P2)，且电池(UBAT)耦合(415)到第三引脚(P3)。比较器接收(420、425)与在所述传感器总线信号上的电流成比例的第一电压(V1)及与在所述传感器总线信号上的基极电流成比例的第二电压(V2)，并向所述第二引脚发送(430)数据输出信号(Rx)。采样及保持电路(S2及C1)响应于基极电流采样信号(CtrlS)上的高值捕获(435)用于影响所述第二电压的第三电压(Vsb)。基极电流更新电路检测(440)所述数据输出信号上的边缘转变，并且当所述数据输出信号在大于PSI5标准中定义的间隙时间的时间段内不具有边缘转变时，将所述基极电流采样信号设置为高。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在同步模式下的PSI5基极电流采样
技术介绍
外围传感器接口5(PSI5)是演变中的汽车标准，并且被认为是本地互连网络(LIN)的替代品。数种汽车应用利用PSI5协议，例如用于安全气囊、动力传动系、制动应用等的传感器。在同步操作模式下，电子控制单元(ECU)的PSI5收发器通过单线向传感器供应电力(例如，基极电压)及同步(SYNC)脉冲，其中SYNC脉冲启动从连接到线的传感器的数据收集。传感器又响应电流调制数据，其中每一传感器在给定时隙期间作出响应。PSI5收发器中的电流感测电路感测DC电流、基极或空闲电流以及来自传感器的电流的变化，并将所述变化转换为数字数据。由于传感器的基极电流可能随着时间的推移而改变，或者传感器可能从其集群脱落，因此ECU中的PSI5收发器监测基极电流，并通过采样及保持电路将基极电流的值存储为电容器上的等效电压。然后，由比较器恢复数据，比较器将信号电流与经采样基极电流进行比较。目前，SYNC脉冲周期为250μs或500μs，且三个到四个传感器是可附接到收发器的最大值。由于PSI5标准用于越来越多的应用，因此期望增加可允许传感器的数目。为增加附接本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括外围传感器接口5PSI5收发器的电子装置，所述PSI5收发器包括：/n第一NMOS晶体管，其耦合在第一电流感测节点与低电压信号之间，所述第一NMOS晶体管是二极管耦合的；/n第一电阻器，其在中压信号与所述低压信号之间与第二NMOS晶体管串联耦合，所述第二NMOS晶体管的栅极耦合到所述第一NMOS晶体管的栅极；/n第二电阻器，其在所述中压信号与所述低压信号之间与第三NMOS晶体管串联耦合，所述第三NMOS晶体管的栅极通过第三电阻器及NMOS开关晶体管耦合到所述第一电流感测节点，所述NMOS开关晶体管在栅极上接收基极电流采样信号；/n比较器，其具有耦合到所述第一电阻器与所述第二晶体管之...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181127 US 62/771,697;20190724 US 16/521,1701.一种包括外围传感器接口5PSI5收发器的电子装置，所述PSI5收发器包括：
第一NMOS晶体管，其耦合在第一电流感测节点与低电压信号之间，所述第一NMOS晶体管是二极管耦合的；
第一电阻器，其在中压信号与所述低压信号之间与第二NMOS晶体管串联耦合，所述第二NMOS晶体管的栅极耦合到所述第一NMOS晶体管的栅极；
第二电阻器，其在所述中压信号与所述低压信号之间与第三NMOS晶体管串联耦合，所述第三NMOS晶体管的栅极通过第三电阻器及NMOS开关晶体管耦合到所述第一电流感测节点，所述NMOS开关晶体管在栅极上接收基极电流采样信号；
比较器，其具有耦合到所述第一电阻器与所述第二晶体管之间的第二电流感测节点的非反相输入、耦合到所述第二电阻器与所述第三晶体管之间的第三电流感测节点的反相输入及耦合到数据输出节点的输出；
基极电流更新电路，其具有耦合到所述数据输出节点的输入及经耦合以提供所述基极电流采样信号的输出，所述基极电流更新电路包括
空闲时间计数电路，其经耦合以对在所述数据输出节点上检测到的边缘转变之间的第一数目个时钟循环进行计数，并且当所述第一数目大于表示定义间隙时间的第二数目个时钟循环时将第一采样信号设置为高，及
OR电路，其具有作为第一输入的所述第一采样信号、作为第二输入的第二采样信号及经耦合以提供所述基极电流采样信号的输出，所述第二采样信号在周期性调度的时间处被设置为高。


2.根据权利要求2所述的电子装置，其进一步包括耦合在所述比较器的所述输出与所述数据输出节点之间的第一电平移位电路。


3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述基极电流更新电路进一步包括：
抗尖峰脉冲电路，其耦合在所述数据输出节点与所述空闲时间计数电路之间；及
第二电平移位电路，其耦合在所述OR电路的所述输出与所述基极电流更新电路的所述输出之间。


4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述周期性调度的时间是在每一SYNC信号之后。


5.根据权利要求1所述的电子装置，其进一步包括：
第四NMOS晶体管，其耦合在所述第一电流感测节点与所述第一NMOS晶体管之间，
第五NMOS晶体管，其耦合在所述第一电阻器与所述第二NMOS晶体管之间，及
第六NMOS晶体管，其耦合在所述第二电阻器与所述第三NMOS晶体管之间，所述第四晶体管及所述第五NMOS晶体管的相应栅极耦合到所述第一电流感测节点，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·N·伊斯瓦安，T·F·莱坎，M·J·兹罗卡，D·J·罗尔曼，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US