像素驱动电路及显示面板制造技术

本申请公开了一种像素驱动电路及显示面板，像素驱动电路包括写入晶体管和驱动晶体管；写入晶体管具有第一栅极、第二栅极，第一栅极与第二栅极连接；驱动晶体管具有第三栅极、第四栅极，写入晶体管的源极/漏极中的另一个与第三栅极和第四栅极连接。通过采用双栅极的写入晶体管、驱动晶体管，且对应的双栅极互相连接，可以显著降低写入晶体管、驱动晶体管的驱动电压，进而能够以较低的功耗和发热量提高像素的发光亮度。

【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路及显示面板
本申请涉及显示
，具体涉及一种像素驱动电路及显示面板。
技术介绍
基于薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)背板技术的LED显示在近几年获得了广泛的关注。与电压驱动型的TFT-LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示)不同，TFT-LED显示需要电流驱动发光。这就需要像素驱动电路具有较强的电流驱动能力。因此，基于非晶硅(a-Si)的背板技术，由于沟道材料的载流子迁移率低，电流驱动能力较弱，需要较大尺寸的TFT来提供足够的电流，不利于分辨率的提高，这就使得其不适用于AMOLED(ActiveMatrixOrganicLight-EmittingDiode，主动矩阵有机发光二极体面板)等像素密度高的显示。低温多晶硅(LTPS，LowTemperaturePoly-Silicon)的迁移率显著高于IGZO(indiumgalliumzincoxide，铟镓锌氧化物)与a-Si，但是其制程复杂，而且均匀性差，基板尺寸较小，不适用于大尺寸的显示产品。IGZO的迁移率介于A-Si与LTPS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：/n写入晶体管，所述写入晶体管具有第一栅极、第二栅极，所述第一栅极与所述第二栅极连接；和/n驱动晶体管，所述驱动晶体管具有第三栅极、第四栅极，所述写入晶体管的源极/漏极中的一个与所述第三栅极和所述第四栅极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括：
写入晶体管，所述写入晶体管具有第一栅极、第二栅极，所述第一栅极与所述第二栅极连接；和
驱动晶体管，所述驱动晶体管具有第三栅极、第四栅极，所述写入晶体管的源极/漏极中的一个与所述第三栅极和所述第四栅极连接。


2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路还包括：
存储单元，所述存储单元的一端与所述第三栅极连接，所述存储单元的另一端与所述驱动晶体管的源极/漏极中的一个连接。


3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路还包括：
发光单元，所述发光单元的第一端与所述驱动晶体管的源极/漏极中的一个连接，所述发光单元的第二端用于接入第一电源信号。


4.根据权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述驱动晶体管的源极/漏极中的另一个用于接入第二电源信号。


5.根据权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一电源信...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓斌，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44