近红外吸收剂、近红外吸收/阻挡膜、光电器件、有机传感器、和电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及近红外吸收剂、近红外吸收/阻挡膜、光电器件、有机传感器、和电子装置。近红外吸收剂包括由化学式1表示的化合物。近红外吸收/阻挡膜、光电器件、有机传感器、和电子装置可包括所述近红外吸收剂。在化学式1中，Ar、Ar

【技术实现步骤摘要】
近红外吸收剂、近红外吸收/阻挡膜、光电器件、有机传感器、和电子装置对相关申请的交叉引用本申请要求2019年11月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0151737以及2019年11月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0152735的优先权和权益，将它们各自的全部内容通过引用引入本文中。
公开了近红外(NIR)吸收剂、近红外吸收/阻挡膜、光电器件、有机传感器和电子装置(设备)。
技术介绍
成像装置用于数字照相机(数码相机)和便携式摄像机等中以捕获图像并将其作为电信号存储，并且该成像装置包括将入射光根据波长分离并将各分量转换成电信号的传感器。近来，已经研究了用于改善传感器在低照度环境中的灵敏度或用作生物识别装置的在近红外区域中的光电器件。
技术实现思路
一些示例实施方式提供具有改善的近红外光吸收特性的近红外吸收剂。一些示例实施方式提供包括所述近红外吸收剂的膜。一些示例实施方式提供包括所述近红外吸收剂的光电器件。一些示例实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.近红外吸收剂，包括：/n由化学式1表示的化合物：/n[化学式1]/n

【技术特征摘要】
20191122 KR 10-2019-0151737;20191125 KR 10-2019-011.近红外吸收剂，包括：
由化学式1表示的化合物：
[化学式1]



其中，在化学式1中，
Ar为取代或未取代的C6-C30芳族环、取代或未取代的C3-C30杂芳族环、或其组合，
X1为O、S、Se、Te、S(＝O)、S(＝O2)、NRa、CRbRc、SiRdRe、GeRfRg、CRh＝CRi、或CRhh＝CRii，其中Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh、和Ri独立地为氢、氘、C1-C30烷基、C1-C30卤代烷基、C6-C30芳基、C6-C30芳氧基、C3-C30杂芳基、卤素、氰基、或其组合，Rhh和Rii独立地为其中w为正整数的(CH)w或者O、N、S、Se、或Te的至少一个杂原子，以及Rhh和Rii彼此连接以形成芳族环或杂芳族环，
X2为O、S、Se、Te、C、CRx-CRy、CRxx-CRyy、S(＝O)或S(＝O2)，其中Rx和Ry独立地为氢、氘、C1-C30烷基、C1-C30卤代烷基、C6-C30芳基、C6-C30芳氧基、C3-C30杂芳基、卤素、氰基、或其组合，Rxx和Ryy独立地为其中v为正整数的(CH)v或者O、N、S、Se、或Te的至少一个杂原子，以及Rxx和Ryy彼此连接以形成芳族环或杂芳族环，
Ar1和Ar2独立地为包括O、S、Se、或Te的至少一个杂原子的杂芳烃基团，
Ar3和Ar4独立地为取代或未取代的C6-C30芳烃基团、取代或未取代的C3-C30杂芳烃基团、或其稠环基团，
R1和R2独立地为氢、氘、卤素、氰基、硝基、羟基、取代或未取代的C1-C10烷基、取代或未取代的C1-C10烷氧基、取代或未取代的C6-C10芳基、或者取代或未取代的C3-C10杂芳基，以及
L1和L2独立地为单键、-O-、-S-、-Se-、-Te-、-N＝、-NRa-、-SiRbRc-、-GeRdRe-、-(CRfRg)n-、或-(C(Rh)＝C(Ri))-，其中Ra、Rb、Rc、Rd、Re、Rf、Rg、Rh、和Ri独立地为氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1-C10烷基、或者取代或未取代的C6-C10芳基，其中Rb和Rc、Rd和Re、Rf和Rg、或Rh和Ri独立地存在或彼此连接以形成单独的环，和-(CRfRg)n-的n为1或2的整数。


2.如权利要求1所述的近红外吸收剂，其中在化学式1中，Ar为苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的蒽环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的并四苯环、或者取代或未取代的芘环。


3.如权利要求1所述的近红外吸收剂，其中在化学式1中，Ar为取代或未取代的喹啉环、取代或未取代的异喹啉环、取代或未取代的喹喔啉环、取代或未取代的喹唑啉环、或者取代或未取代的菲咯啉环。


4.如权利要求1所述的近红外吸收剂，其中在化学式1中，Ar为由化学式A-1表示的一组部分的一个部分，各部分包括至少一个芳族环以及左和右连接基团：
[化学式A-1]



其中，在化学式A-1中，
各芳族环的氢任选地被卤素、氰基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷基、-SiH3、或C1-C10烷基甲硅烷基代替，
所述至少一个芳族环内的单独的*的相邻对是与化学式1的含N-X1-N的环或化学式1的含N＝X2＝N的环的单独的相应的一个的连接部分，以及
所述左和右连接基团的*是与化学式1的Ar1或Ar2的单独的相应的一个连接的部分。


5.如权利要求1所述的近红外吸收剂，其中在化学式1中，Ar为由化学式A-2表示的一组部分的一个部分，各部分包括至少一个芳族环以及左和右连接基团：
[化学式A-2]



其中，在化学式A-2中，
各芳族环的氢任选地被卤素、氰基、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷基、-SiH3、或C1-C10烷基甲硅烷基代替，
所述至少一个芳族环内的单独的*的相邻对是与化学式1的含N-X1-N的环和化学式1的含N＝X2＝N的环的单独的相应的一个的连接部分，以及
所述左和右连接基团的*是与化学式1的Ar1和Ar2的单独的相应的一个连接的部分。


6.如权利要求1所述的近红外吸收剂，其中在化学式1中，当X2为CRxx-CRyy时，通过连接Rxx与Ryy而形成的芳族环为取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苊环、取代或未取代的蒽环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的并四苯环、或者取代或未取代的芘环。


7.如权利要求1所述的近红外吸收剂，其中在化学式1中，当X2为CRxx-CRyy时，通过连接Rxx与Ryy而形成的芳族环为取代或未取代的喹啉环、取代或未取代的异喹啉环、取代或未取代的喹喔啉环、取代或未取代的喹唑啉环、取代或未取代的菲咯啉环、取代或未取代的嘧啶环、或者取代或未取代的苯并二噻吩环。


8.如权利要求1所述的近红外吸收剂，其中在化学式1中，当X2为CRxx-CRyy时，通过连接Rxx与Ryy而形成的芳族环为由化学式B-1表示的一组部分的一个部分，各部分包括至少一个芳族环：
[化学式B-1]



其中，在化学式B-1中，
各芳族环的氢任选地被卤素、氰基、C1-C30烷基、C1-C30烷氧基、C1-C30卤代烷基、-SiH3、C1-C30烷基甲硅烷基、C6-C30芳基、C6-C30芳氧基、或C3-C30杂芳基代替，和
所述至少一个芳族环内的*是与CRxx-CRyy的碳的连接部分。


9.如权利要求1所述的近红外吸收剂，其中在化学式1中，当X2为CRxx-CRyy时，通过连接Rxx与Ryy而形成的芳族环为由化学式B-2表示的一组部分的一个部分，各部分包括至少一个芳族环：
[化学式B-2]



其中，在化学式B-2中，
各芳族环的氢任选地被卤素、氰基、C1-C30烷基、C1-C30烷氧基、C1-C30卤代烷基、-SiH3、C1-C30烷基甲硅烷基、C6-C30芳基、C6-C30芳氧基、或C3-C30杂芳基代替，和
所述至少一个芳族环内的*是与CRxx-CRyy的碳的连接部分。


10.如权利要求1所述的近红外吸收剂，其中在化学式1中，当X2为CRxx-CRyy时，通过连接Rxx与Ryy而形成的芳族环为由化学式B-3-1表示的部分或由化学式B-3-2表示的部分，各部分包括至少一个芳族环：
[化学式B-3-1]



[化学式B-3-2]



其中，在化学式B-3-1和B-3-2中，
Ar11和Ar12独立地为取代或未取代的C6-C30芳烃基团或者取代或未取代的C3-C30杂芳烃基团，
在化学式B-3-1中，Z1和Z2独立地为CRa或N，其中Ra为氢、氘、C1-C30烷基、C1-C30卤代烷基、-SiH3、C1-C30烷基甲硅烷基、-NH2、C1-C30烷基胺基团、C6-C30芳基胺基团、C6-C30芳基、C6-C30芳氧基、C3-C30杂芳基、卤素、氰基、或其组合，
各芳族环的氢任选地被卤素、氰基、C1-C30烷基、C1-C30烷氧基、C1-C30卤代烷基、-SiH3、C1-C30烷基甲硅烷基、C6-C30芳基、C6-C30芳氧基、或C3-C30杂芳基代替，和
所述至少一个芳族环内的*是与CRxx-CRyy的碳的连接部分。


11.如权利要求10所述的近红外吸收剂，其中由化学式B-3-1表示的部分为由化学式B-3-11表示的一组部分的一个部分，各部分包括至少一个芳族环，和由化学式B-3-2表示的部分为由化学式B-3-21表示的一组部分的一个部分，各部分包括至少一个芳族环：
[化学式B-3-11]



其中，在化学式B-3-11中，
各芳族环的氢任选地被卤素、氰基、C1-C30烷基、C1-C30烷氧基、C1-C30卤代烷基、-SiH3、C1-C30烷基甲硅烷基、C6-C30芳基、C6-C30芳氧基、或C3-C30杂芳基代替，和
所述至少一个芳族环内的*是与CRxx-CRyy的碳的连接部分，
[化学式B-3-21]



其中，在化学式B-3-21中，
各芳族环的氢任选地被卤素、氰基、C1-C30烷基、C1-C30烷氧基、C1-C30卤代烷基、-SiH3、C1-C30烷基甲硅烷基、C6-C30芳基、C6-C30芳氧基、或C3-C30杂芳基代替，和
Xa和Xb独立地为O、S、Se、Te、NRa、SiRbRc、或GeRdRe，其中Ra、Rb、Rc、Rd、和Re独立地为氢、卤素、氰基、取代或未取代的C1-C30烷基、取代或未取代的C1-C30烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基、或者取代或未取代的C6-C30芳氧基，和
所述芳族环内的*是与CRxx-CRyy的碳的连接部分。


12.如权利要求1所述的近红外吸收剂，其中在化学式1中，Ar1和Ar2相同或不同，并且各自由化学式C-1-1、化学式C-1-2、或化学式C-1-3之一表示，化学式C-1-1、化学式C-1-2、或化学式C-1-3各自包括至少一个芳族环：
[化学式C-1-1]



[化学式C-1-2]



[化学式C-1-3]



其中，在化学式C-1-1至C-1-3中，
各芳族环的氢任选地被卤素、氰基、C1-C30烷基、C1-C30烷氧基、C1-C30卤代烷基、-SiH3、C1-C30烷基甲硅烷基、C6-C30芳基、C6-C30芳氧基、或C3-C30杂芳基代替，
Y1为O、S、Se、Te、S(＝O)、S(＝O)2、NRa1、SiRb1Rc1、或GeRd1Re1，其中Ra1、Rb1、Rc1、Rd1、和Re1独立地为氢、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C1-C10烷氧基、-SiH3、C1-C10烷基甲硅烷基、-NH3、C1-C10烷基胺基团、C6-C10芳基胺基团、C6-C14芳基、C6-C14芳氧基、C3-C12杂芳基、卤素、氰基、或其组合，
Y2为O、S、Se、Te、S(＝O)、S(＝O)2、NRa2、SiRb2Rc2、GeRd2Re2、或CRf2Rg2，其中Ra2、Rb2、Rc2、Rd2、Re2、Rf2、和Rg2独立地为氢、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C1-C10烷氧基、-SiH3、C1-C10烷基甲硅烷基、-NH3、C1-C10烷基胺基团、C6-C10芳基胺基团、C6-C14芳基、C6-C14芳氧基、C3-C12杂芳基、卤素、氰基、或其组合，
Rb1和Rc1、Rd1和Re1、Rb2和Rc2、Rd2和Re2、以及Rf2和Rg2独立地存在或彼此组合以形成螺环，以及
所述至少一个芳族环外的*是与化学式1的Ar的连接点，以及
所述至少一个芳族环内的*是与化学式1的包括R1的含N(R1)的环和化学式1的包括R2的含N(R2)的环的连接部分。


13.如权利要求1所述的近红外吸收剂，其中在化学式1中，Ar1和Ar2相同或不同，并且各自由化学式C-2-1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔惠成，权五逵，金煌奭，李光熙，林东晰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR