研磨组合物、研磨方法及基板的制造方法技术

[课题]提供研磨组合物、研磨方法及基板的制造方法。[解决手段]研磨组合物包含研磨磨粒、添加剂分子、pH调节剂及分散介质。研磨磨粒包含二氧化硅颗粒，且二氧化硅颗粒表面的硅烷醇基密度为0～3.0个/nm

【技术实现步骤摘要】
研磨组合物、研磨方法及基板的制造方法
本专利技术涉及研磨组合物、使用该研磨组合物的研磨方法、及基板的制造方法。
技术介绍
半导体产业中，通常为了提高半导体基板(例如晶圆)表面的平坦度而使用平坦化技术。化学机械研磨(chemicalmechanicalpolishing，CMP)是经常使用的平坦化技术的一种。化学机械研磨技术包括使用研磨用组合物对半导体基板等研磨对象物(被研磨物)的表面进行平坦化的方法，所述研磨用组合物包含二氧化硅、氧化铝、或二氧化铈等磨粒、防腐蚀剂、表面活性剂等。进而，由硅或硅锗等半导体材料(本说明书中有时简称作“含硅材料”)形成的基板已经普及。因此，对应用于对包含含硅材料的基板进行研磨的研磨组合物的需求也随之增加。专利文献1公开了一种含有(A)包含无机颗粒、有机颗粒、或者这些的混合物或复合体、(B)至少1种氧化剂和(C)水性介质的化学机械研磨组合物。专利文献1的化学机械研磨组合物可应用于对元素锗或硅锗进行化学机械研磨。现有技术文献专利文献专利文献1：中国台湾专利申请第201311842A本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种研磨组合物，其包含：/n研磨磨粒，其包含二氧化硅颗粒，所述二氧化硅颗粒表面的硅烷醇基密度为0～3.0个/nm

【技术特征摘要】
20191120 JP 2019-2095381.一种研磨组合物，其包含：
研磨磨粒，其包含二氧化硅颗粒，所述二氧化硅颗粒表面的硅烷醇基密度为0～3.0个/nm2，
所述硅烷醇基密度基于利用BET法测定的比表面积及利用滴定测定的硅烷醇基的量进行计算求出；
具有式(I)所示的结构的添加剂分子，



式(I)中，
R1及R2分别独立地为H、C1～C18直链状烷基、C3～C18支链状烷基、或C2～C18直链状烯基，
n为2～40的整数，
m、p、及q分别独立地为0或1，r为0～2的整数，m为1时，R1为C1～C18直链状烷基、C3～C18支链状烷基或C2～C18直链状烯基，p为1时，R2为C1～C18直链状烷基、C3～C18支链状烷基或C2～C18直链状烯基；
pH调节剂，其用于将所述研磨组合物的pH调节为1.5以上且4.5以下的范围；和
分散介质。


2.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中，相对于所述研磨组合物的总重量，所述添加剂分子的含量为50～10000重量ppm。


3.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中，所述添加剂分子的重均分子量为100～10000。


4.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中，式(I)中，
R1为H，R2为C1～C18直链状烷基、C3～C18支链状烷基或C2～C18直链状烯基；
n为2～20的整数；
且m、p、q及r均为0。


5.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中，式(I)中，
R1及R2均为H；
n为2～40的整数；
且m及p均为0，q及r...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈景智，
申请(专利权)人：福吉米株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP