发光二极管的外延片及其制备方法技术

本公开提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一衬底；在衬底上依次外延生长高温AlN缓冲层、过渡层、n型AlGaN层、多量子阱层和p型层，过渡层为周期性结构，周期性结构包括交替层叠的AlN层和AlGaN层，沿外延片生长的方向，各个AlGaN层的生长压力逐渐降低。过渡层中的AlN层能够促使高温AlN缓冲层延伸上来的位错缺陷弯曲，增加位错相互湮灭几率，从而达到减少位错缺陷的目的，先生长的AlGaN层的生长压力较高，促使AlGaN层的三维岛状生长，后生长的AlGaN层的生长压力较低，使AlGaN层逐渐从三维生长过渡到二维生长，减小位错密度，提高晶体质量。晶体质量。晶体质量。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管的外延片及其制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种发光二极管的外延片及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。LED的核心结构是外延片，外延片的制作对LED的光电特性有着较大的影响。
[0003]外延片通常包括缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层。紫外发光二极管的外延片中n型层通常为AlGaN层。
[0004]目前，紫外LED的外延生长技术还不够成熟，生长出来的外延片存在较多的位错缺陷，导致晶体的质量较差，发光效率较低。

技术实现思路

[0005]本公开实施例提供了一种发光二极管的外延片及其制备方法，能够减少位错缺陷，提高外延片的晶体质量，提高紫外LED的发光效率。所述技术方案如下：
[0006]一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管的外延片的制备方法，所述制备方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底(10)；在所述衬底(10)上依次外延生长高温AlN缓冲层(20)、过渡层(30)、n型AlGaN层(40)、多量子阱层(50)和p型层(60)，其中，所述过渡层(30)为周期性结构，所述周期性结构包括交替层叠的AlN层(301)和AlGaN层(302)，沿所述外延片生长的方向，各个所述AlGaN层(302)的生长压力逐渐降低。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述过渡层(30)中，相邻的所述AlGaN层(302)的生长压力差值均相等。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述过渡层(30)中，相邻的所述AlGaN层(302)的生长压力差值为8mbar～12mbar。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述AlGaN层(302)的生长压力为20mbar～200mbar。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述AlGaN层(302)的生长温度为1100℃～...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁涛，龚程成，尹涌，梅劲，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：