一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法技术

本发明专利技术提供一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法，涉及半导体加工及废气处理领域，方法包括以下步骤：根据废气管路出口的气体温度值调节管路加热带的温度和热氮气的温度；根据四氯化钛控制阀的开闭情况对喷水系统的电磁阀进行控制；控制氨气阀打开，以使氨气进入燃烧腔室中进行燃烧处理。通过对废气管路出口的气体温度值进行检测，并根据气体温度值对管路加热带的温度和热氮气的温度进行调节，使废气管路出口的气体温度值处于预定温度范围内；通过用水对废气管路出口进行冲刷，可将反应生成物直接冲刷到废气处理设备底部的水箱中，防止反应生成物将废气管路出口堵塞，延长设备的维护周期，提高生产线的运行效率。提高生产线的运行效率。提高生产线的运行效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工及废气处理领域，尤其涉及一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法。

技术介绍

[0002]半导体PVD制程中的氮化钛工艺是作为Al、Cu以及W的金属阻挡层，可以阻挡上下层材料间的交互扩散，增强稳定性和可靠性的工艺。氮化钛工艺根据参与反应的气体分为有机和无机两种，无机的氮化钛工艺气源为四氯化钛和氨气。无机氮化钛工艺涉及到的工艺废气为有毒有害气体，对人体和环境危害严重，必须经过处理才能进行排放。
[0003]现有的工艺机台的工艺废气通过真空泵抽到废气处理设备进行处理，废气处理设备的管路包裹有加热带(设置温度150℃)，通过加热带对管路中的热氮气进行加热。但是这种处理工艺存在以下问题：
[0004]1)、四氯化钛在常温下为液态，在大于136℃的情况下才能成为气态，而管路加热带的设置温度为150℃时，由于受到加热带的包裹性以及材质的导热性能影响，导致热量损失，管路内部的气体实际加热后的温度远不能达到136℃。虽然可以通过提高加热带的设置温度来提高管路内气体的温度，使其到达136℃以上，但是气体通过一定长度的管路后，气体在废气管路出口的温度仍有可能低于136℃；这种方法由于受到设备布局、管路布管的影响，使其在实际应用中很难控制。
[0005]2)、现有的设备在使用过程中四氯化钛与水反应生成物容易堵塞废气管路出口，设备工作1天到3天就需要进行维护，严重影响半导体生产线运行与产能提高。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法，用以解决现有技术中管路气体的温度很难达到预定温度，以及设备维护周期短的问题。
[0007]本专利技术提供一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法，所述方法包括以下步骤：
[0008]根据废气管路出口的气体温度值调节管路加热带的温度和热氮气的温度；
[0009]根据四氯化钛控制阀的开闭情况对喷水系统的电磁阀进行控制；
[0010]控制氨气阀打开，以使氨气进入燃烧腔室中进行燃烧处理。
[0011]根据本专利技术提供一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法，所述根据废气管路出口的气体温度值调节管路加热带的温度和热氮气的温度包括：
[0012]检测所述废气管路出口的气体温度值；
[0013]根据所述气体温度值对所述管路加热带的温度和所述热氮气的温度进行调节，以使所述废气管路出口的气体温度值处于预定温度范围内。
[0014]根据本专利技术提供一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法，所述预定温度范围为136℃
‑
200℃。
[0015]根据本专利技术提供一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法，所述根据四氯化钛控
制阀的开闭情况对喷水系统的电磁阀进行控制包括：
[0016]若检测到所述四氯化钛控制阀打开，则控制所述喷水系统的电磁阀打开向所述废气管路出口喷水；
[0017]若检测到所述四氯化钛控制阀处于关闭状态，则不控制所述喷水系统的电磁阀打开。
[0018]根据本专利技术提供一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法，所述根据四氯化钛控制阀的开闭情况对喷水系统的电磁阀进行控制还包括：
[0019]若检测到所述四氯化钛控制阀由打开状态切换至关闭状态，则控制所述喷水系统的电磁阀延时预定时间后关闭。
[0020]根据本专利技术提供一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法，所述预定时间大于1s。
[0021]根据本专利技术提供一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法，所述废气管路出口的外周设置有夹层，所述热氮气在所述夹层中通过热传导的方式对所述废气管路出口进行加热。
[0022]本专利技术提供的用于处理半导体TiN工艺废气的方法通过对废气管路出口的气体温度值进行检测，并根据气体温度值对管路加热带的温度和热氮气的温度进行调节，使废气管路出口的气体温度值处于预定温度范围内，防止气体因为温度过低而液化，进而影响反应的进行；通过用水对废气管路出口进行冲刷，可将反应生成物直接冲刷到废气处理设备底部的水箱中，防止反应生成物将废气管路出口堵塞，延长设备的维护周期，提高生产线的运行效率。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1是本专利技术提供的废气处理设备的喷水系统以及废气管路出口的侧视剖面结构示意图；
[0025]图2是本专利技术提供的废气处理设备的喷水系统以及废气管路出口的立体结构示意图；
[0026]图3是本专利技术提供的用于处理半导体TiN工艺废气的方法的流程示意图。
[0027]附图标记：
[0028]100、喷水系统；200、夹层；300、废气管路出口；400、热氮气入口。
具体实施方式
[0029]下面结合附图和实施例对本专利技术的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不能用来限制本专利技术的范围。
[0030]在本专利技术实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术实施例和简化描述，而
不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术实施例的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0031]在本专利技术实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术实施例中的具体含义。
[0032]在本专利技术实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0033]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本专利技术实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理半导体TiN工艺废气的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：根据废气管路出口的气体温度值调节管路加热带的温度和热氮气的温度；根据四氯化钛控制阀的开闭情况对喷水系统的电磁阀进行控制；控制氨气阀打开，以使氨气进入燃烧腔室中进行燃烧处理。2.根据权利要求1所述的用于处理半导体TiN工艺废气的方法，其特征在于，所述根据废气管路出口的气体温度值调节管路加热带的温度和热氮气的温度包括：检测所述废气管路出口的气体温度值；根据所述气体温度值对所述管路加热带的温度和所述热氮气的温度进行调节，以使所述废气管路出口的气体温度值处于预定温度范围内。3.根据权利要求2所述的用于处理半导体TiN工艺废气的方法，其特征在于，所述预定温度范围为136℃
‑
200℃。4.根据权利要求1至3任一项所述的用于处理半导体TiN工艺废气的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨春水，
申请(专利权)人：北京京仪自动化装备技术有限公司，
类型：发明
国别省市：