树脂组合物和电子设备制造技术

本发明专利技术的树脂组合物是含有树脂或树脂前体与含氮芳香族杂环化合物的树脂组合物，上述含氮芳香族杂环化合物具有下述通式(1)、通式(6)或通式(7)所示的结构，并且相对于上述树脂或树脂前体，在0.10～30质量％的范围内含有该含氮芳香族杂环化合物。[通式(1)中，A1和A2与氮原子一起表示6元的含氮芳香族杂环，该6元的含氮芳香族杂环可以形成缩环。L表示单键、来自芳香族烃环、芳香族杂环或烷基的连接基团]。芳香族杂环或烷基的连接基团]。芳香族杂环或烷基的连接基团]。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂组合物和电子设备


[0001]本专利技术涉及树脂组合物和电子设备，特别是涉及对金属导电层的密合性、高温保存时的稳定性和透光性优异的树脂组合物和电子设备。

技术介绍

[0002]近年来，轻量的导电性元件在以液晶方式、等离子体方式、有机电致发光方式、场致发射方式等的各种显示器为代表的触摸面板、手机、电子纸、各种太阳能电池、各种电致调光元件等光电子设备的基板、各种传感器等的电极、电磁波屏蔽层或防雾膜、融雪槽的发热元件等各种领域中被使用。而且，作为这些导电性元件中使用的导电层，广泛使用金属导电层。
[0003]然而，在上述金属导电层的下层存在由树脂构成的层的情况下，该金属导电层与树脂层的界面的密合性、高温保存时的稳定性存在问题。
[0004]作为构成导电性元件的金属导电层的材料，例如，可使用Au、Ag、Pt、Cu、Rh、Pd、Al、Cr、Mo、W、Ti等金属，Ag、Cu、Al、Mo、W、Ti合金，In2O3、CdO、CdIn2O4、Cd2SnO4、TiO2、SnO2、ZnO、铟锡氧化物(ITO，IndiumTinOxide)等金属材料。这些金属材料之中，最常使用的是银，但银彼此非常容易凝聚。因此，在金属导电层与树脂层的界面无法形成均匀的膜，通常成为海岛结构，难以将银层较薄地成膜，因此，透光性差，另外，在高温保存时银层与树脂层的分离进一步进行，高温保存时的稳定性存在问题。银以外的金属也具有同样的问题。
[0005]作为树脂层，例如公开了专利文献1和2的技术，但并没有将金属导电层与树脂层的界面的密合性、高温保存时的稳定性视为问题。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1：国际公开第2013/024849号
[0009]专利文献2：日本特开2015
‑
178628号公报

技术实现思路

[0010]本专利技术是鉴于上述问题和状况而作出的，其解决课题在于提供对金属导电层的密合性、高温保存时的稳定性和透光性优异的树脂组合物、使用该树脂组合物的电子设备。
[0011]本专利技术人为了解决上述课题，对上述问题的原因等进行了研究，在该过程中发现通过在树脂或树脂前体中含有特定量的具有特定结构的含氮芳香族杂环化合物，能够与金属导电层中的金属相互作用而抑制该金属的扩散，其结果，能够提供对金属导电层的密合性良好、高温保存时的稳定性和透光性优异的混合物等，以至完成了本专利技术。
[0012]即，本专利技术的上述课题可通过以下的手段来解决。
[0013]1.一种树脂组合物，含有树脂或树脂前体与含氮芳香族杂环化合物，
[0014]上述含氮芳香族杂环化合物具有下述通式(1)、下述通式(6)或下述通式(7)所示的结构，并且，
[0015]相对于上述树脂或树脂前体，在0.10～30质量％的范围内含有该含氮芳香族杂环化合物。
[0016]通式(1)
[0017][0018]通式(6)
[0019][0020]通式(7)
[0021][0022][通式(1)中，A1和A2与氮原子一起表示6元的含氮芳香族杂环，该6元的含氮芳香族杂环可以形成缩环。L表示单键、来自芳香族烃环、芳香族杂环或烷基的连接基团。
[0023]通式(6)中，X1～X6表示
‑
N＝、
‑
NH
‑
或
‑
CR1‑
。R1表示氢原子、芳基、杂芳基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、氰基、甲硅烷基、硫醇基、羰基、卤素原子、三氟甲基或羟基，可以进一步具有取代基。A1和A2形成杂芳环。
[0024]通式(7)中，X7～X9表示
‑
N＝、―NH
‑
或
‑
CR1‑
。X
10
～X
13
表示
‑
N＝、
‑
CR1‑
。R1表示氢原子、芳基、杂芳基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、氰基、甲硅烷基、硫醇基、羰基、卤素原子、三氟甲基或羟基，可以进一步具有取代基，X
10
～X
13
中的至少一个表示
‑
N＝。A3和A4形成杂芳环][0025]2.根据第1项所述的树脂组合物，其中，上述树脂含有聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、纤维素酯树脂、聚碳酸酯树脂、环烯烃树脂、酚醛树脂、环氧树脂、聚苯醚树脂、聚酯树脂或三聚氰胺树脂中的任一者。
[0026]3.根据第1项或第2项所述的树脂组合物，其中，上述树脂含有聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或三聚氰胺树脂中的任一者。
[0027]4.根据第1项～第3项中任一项所述的树脂组合物，其中，相对于上述树脂或树脂
前体，在1～10质量％的范围内含有具有上述通式(1)、通式(6)或通式(7)所示的结构的化合物。
[0028]5.根据第1项～第4项中任一项所述的树脂组合物，其中，上述通式(1)中，A1和A2中的至少一个表示吡啶环、嘧啶环、吡嗪环、喹唑啉环、喹喔啉环、氮杂咔唑环、氮杂二苯并呋喃环、氮杂二苯并噻吩环、咪唑环、苯并咪唑环、吡唑环或苯并吡唑环。
[0029]6.根据第1项～第5项中任一项所述的树脂组合物，其中，上述通式(1)中，A1和A2中的至少一个表示吡啶环、嘧啶环、喹唑啉环、氮杂咔唑环、氮杂二苯并呋喃环、氮杂二苯并噻吩环或苯并咪唑环。
[0030]7.根据第1项～第6项中任一项所述的树脂组合物，其中，上述通式(1)的A1和A2中的至少一个具有下述通式(2)所示的结构。
[0031]通式(2)
[0032][0033][通式(2)中，Ra、Rb和Rc各自独立地表示氢原子或取代基。n1表示1～4的整数。应予说明，与上述通式(1)中的连接基团L的连接位置为Ra、Rb和Rc所示的取代基中的能够取代的位置或喹唑啉环中Ra、Rb和Rc作为取代基存在的位置以外的能够取代的位置][0034]8.根据第1项～第6项中任一项所述的树脂组合物，其中，上述通式(1)的A1和A2中的至少一个具有下述通式(3)所示的结构。
[0035]通式(3)
[0036][0037][通式(3)中，Re、Rd和Rf各自独立地表示氢原子或取代基。n2表示1～4的整数。应予说明，与上述通式(1)中的连接基团L的连接位置为Re、Rd和Rf所示的取代基中的能够取代的位置或喹喔啉环中Re、Rd和Rf作为取代基存在的位置以外的能够取代的位置][0038]9.根据第1项～第6项中任一项所述的树脂组合物，其中，具有上述通式(1)所示的结构的化合物为具有下述通式(4)所示的结构的化合物。
[0039]通式(4)
[0040][0041][通式(4)中，Rg、Rh、Ri和Rj各自独立地表示氢原子或取代基。Rg、Rh、Ri和Rj中的至少一个表示6元的芳香族杂环，该6元的芳香族杂环可以形成缩环。L2表示单键、来自芳香族烃环、芳香族杂环或烷基的连接基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种树脂组合物，含有树脂或树脂前体与含氮芳香族杂环化合物，所述含氮芳香族杂环化合物具有下述通式(1)、下述通式(6)或下述通式(7)所示的结构，并且，相对于所述树脂或树脂前体，在0.10～30质量％的范围内含有该含氮芳香族杂环化合物，通式(1)通式(6)通式(7)通式(1)中，A1和A2与氮原子一起表示6元的含氮芳香族杂环，该6元的含氮芳香族杂环可以形成缩环，L表示单键、来自芳香族烃环、芳香族杂环或烷基的连接基团，通式(6)中，X1～X6表示
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N＝、
‑
NH
‑
或
‑
CR1‑
，R1表示氢原子、芳基、杂芳基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、氰基、甲硅烷基、硫醇基、羰基、卤素原子、三氟甲基或羟基，可以进一步具有取代基，A1和A2形成杂芳环，通式(7)中，X7～X9表示
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N＝、―NH
‑
或
‑
CR1‑
，X
10
～X
13
表示
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N＝、
‑
CR1‑
，R1表示氢原子、芳基、杂芳基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、氨基、氰基、甲硅烷基、硫醇基、羰基、卤素原子、三氟甲基或羟基，可以进一步具有取代基，X
10
～X
13
中的至少一个表示
‑
N＝，A3和A4形成杂芳环。2.根据权利要求1所述的树脂组合物，其中，所述树脂含有聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、纤维素酯树脂、聚碳酸酯树脂、环烯烃树脂、酚醛树脂、环氧树脂、聚苯醚树脂、聚酯树脂或三聚氰胺树脂中的任一者。3.根据权利要求1或2所述的树脂组合物，其中，所述树脂含有聚酰亚胺树脂、丙烯酸树
脂或三聚氰胺树脂中的任一者。4.根据权利要求1～3中任一项所述的树脂组合物，其中，相对于所述树脂或树脂前体，在1～10质量％的范围内含有具有所述通式(1)、通式(6)或通式(7)所示的结构的化合物。5.根据权利要求1～4中任一项所述的树脂组合物，其中，所述通式(1)中，A1和A2中的至少一个表示吡啶环、嘧啶环、吡嗪环、喹唑啉环、喹喔啉环、氮杂咔唑环、氮杂二苯并呋喃环、氮杂二苯并噻吩环、咪唑环、苯并咪唑环、吡唑环或苯并吡唑环。6.根据权利要求1～5中任一项所述的树脂组合物，其中，所述通式(1)中，A1和A2中的至少一个表示吡啶环、嘧啶环、喹唑啉环、氮杂咔唑环、氮杂二苯并呋喃环、氮杂二苯并噻吩环或苯并咪唑环。7.根据权利要求1～6中任一项所述的树脂组合物，其中，所述通式(1)的A1和A2中的至少一个具有下述通式(2)所示的结构，通式(2)通式(2)中，Ra、Rb和Rc各自独立地表示氢原子或取代基，n1表示1～4的整数，应予说明，与所述通式(1)中的连接基团L的连接位置为Ra、Rb和Rc所示的取代基中的能够取代的位置或喹唑啉环中Ra、Rb和Rc作为取代基存在的位置以外的能够取代的位置。8.根据权利要求1～6中任一项所述的树脂组合物，其中，所述通式(1)的A1和A2中的至少一个具有下述通式(3)所示的结构，通式(3)通式(3)中，Re、Rd和Rf各自独立地表示氢原子或取代基，n2表示1～4的整数，应予说明，与所述通式(1)中的连接基团L的连接位置为Re、Rd和Rf所示的取代基中的能够取代的位置或喹喔啉环中Re、Rd和Rf作为取代基存在的位置以外的能够取代的位置。9.根据权利要求1～6中任一项所述的树脂组合物，其中，具有所述通式(1)所示的结构的化合物为具有下述通式(4)所示的结构的化合物，通式(4)
通式(4)中，Rg、Rh、Ri和Rj各自独立地表示氢原子或取代基，Rg、Rh、Ri和Rj中的至少一个表示6元的芳香族杂环，该6元的芳香族杂环可以形成缩环，L2表示单键、来自芳香族烃环、芳香族杂环或烷基的连接基团。10.根据权利要求1～6中任一项所述的树脂组合物，其中，具有所述通式(1)所示的结构的化合物为具有下述通式(5)所示的结构的化合物，通式(5)Ar
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(Rk)
n3
通式(5)中，Ar表示咔唑环、二苯并呋喃环、氮杂二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、氮杂二苯并噻吩环、氮杂咔唑环、萘环、蒽环、菲环或芴环，Rk表示氢原子或取代基，Rk中的至少两个表示6元的芳香族杂环，该6元的芳香族杂环可以形成缩环，n3表示2以上。11.一种电子设备，具有树脂层和金属导电层，所述树脂层含有权利要求1～10中任一项所述的树脂组合物，所述树脂层与所述金属导电层邻接。12....

【专利技术属性】
技术研发人员：菅井智美，大津信也，西村浩，谷邦夫，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：