本发明专利技术概念涉及一种挡板单元及包括该挡板单元的基板处理设备。用于处理前述基板的前述设备包括：外壳，前述外壳具有处理空间；支撑单元，前述支撑单元支撑前述基板于前述处理空间中；等离子体源，前述等离子体源自处理气体产生等离子体；及挡板单元，前述挡板单元安置于前述支撑单元上方。前述挡板单元包括挡板，前述挡板在其中形成有前述处理气体及/或前述等离子体流动通过的第一孔，且前述挡板具有形成于前述挡板的边缘区中的第二孔，前述第二孔中的每一者具有纵向方向，前述纵向方向在自上方检视时相对于前述挡板的径向方向倾斜。方检视时相对于前述挡板的径向方向倾斜。方检视时相对于前述挡板的径向方向倾斜。
【技术实现步骤摘要】
挡板单元及包括该挡板单元的基板处理设备
[0001]本文中所描述的本专利技术概念的实施例涉及一种基板处理设备，且更具体而言涉及一种用于使用等离子体处理基板的基板处理设备。
技术介绍
[0002]等离子体指含有离子、自由基及电子的离子化气态物质。等离子体通过加热中性气体至极高温度或使中性气体经受强电场或RF电磁场影响而产生。半导体装置制造工艺包括通过使用等离子体来移除基板上的薄膜的灰化或蚀刻工艺。灰化或蚀刻工艺通过允许含有于等离子体中的离子及自由基与基板上的膜碰撞或反应来执行。
[0003]图1为说明一般基板处理设备的部分的视图。一般基板处理设备2000包括腔室2100及挡板2200。处理气体供应至腔室2100中。供应至腔室2100中的处理气体通过产生于腔室2100中的电磁场而被激励成等离子体状态。产生于腔室2100中的等离子体通过挡板2200且经递送至基板中，该挡板在其中形成有多个孔2202。挡板2200经组态，使得产生于腔室2100中的等离子体均一地递送至基板。
[0004]产生于腔室2100中的等离子体的部分通过形成于挡板2200中的多个孔2202。此外，产生于腔室2100中的等离子体的另一部分与挡板2200碰撞。由于使用挡板2200历时长的时间段，因此挡板2200热变形。在等离子体与挡板2200碰撞时，挡板2200的热变形发生。当挡板2200热变形时，挡板2200在膨胀同时翘曲。挡板2200在翘曲时在垂直方向上上升或下垂。归因于挡板2200的变形，空隙产生于设置用于将挡板2200耦接腔室2100的耦接构件2204的区域中。当等离子体引入至空隙中时，发弧现象可发生。发弧现象产生诸如微粒的杂质。所产生的杂质可递送至基板。递送至基板的杂质阻碍基板的适当处理。
技术实现思路
[0005]本专利技术概念的实施例提供一种用于有效地处理基板的挡板单元，及一种包括前述挡板单元的基板处理设备。
[0006]本专利技术概念的实施例提供一种用于使挡板与腔室之间的空隙产生最小化的挡板单元，即使挡板的热变形发生；及一种包括前述挡板单元的基板处理设备。
[0007]本专利技术概念的实施例提供一种用于使发弧现象最小化的挡板单元及一种包括前述挡板单元的基板处理设备。
[0008]本专利技术概念的实施例提供一种用于使诸如微粒的杂质的产生最小化的挡板单元及一种包括前述挡板单元的基板处理设备。
[0009]本专利技术概念的实施例提供一种用于在处理基板中提供额外控制因素的挡板单元，及一种包括前述挡板单元的基板处理设备。
[0010]待通过本专利技术概念解决的技术问题不限于前述问题，且本文中未提及的任何其他技术问题通过本领域技术人员将自此说明书及说明书附图清楚地理解。
[0011]根据例示性实施例，一种用于处理基板的设备包括：具有处理空间的外壳；支撑单
元，前述支撑单元支撑前述基板于前述处理空间中；等离子体源，前述等离子体源自处理气体产生等离子体；及挡板单元，前述挡板单元安置于前述支撑单元上方。前述挡板单元包括挡板，前述挡板在其中形成有前述处理气体及/或前述等离子体流动通过的第一孔，且前述挡板具有形成于前述挡板的边缘区中的第二孔，前述第二孔中的每一者具有纵向方向，该纵向方向在自上方检视时相对于前述挡板的径向方向倾斜。
[0012]根据实施例，沿着前述径向方向自前述挡板的中心绘制的虚拟直线在自上方检视时可与前述第二孔中的至少一者重叠。
[0013]根据实施例，前述第二孔可沿着前述挡板的周向方向形成于前述边缘区中。
[0014]根据实施例，前述第二孔可设置于前述挡板的整个边缘区中。
[0015]根据实施例，前述第二孔的倾斜方向可为相同的。
[0016]根据实施例，通过前述第二孔的倾斜方向及前述挡板的前述径向方向形成的倾斜角度可为相同的。
[0017]根据实施例，前述第二孔可具有狭长孔形状。
[0018]根据实施例，前述挡板单元可进一步包括安置于前述挡板的顶部或底部上的盖板，且前述盖板可具有覆盖前述第二孔的形状。
[0019]根据实施例，前述盖板可具有环形形状。
[0020]根据实施例，前述盖板可经设置以在自上方检视时覆盖前述第二孔的内部区域及外部区域之中的外部区域。
[0021]根据实施例，前述盖板可经设置以在自上方检视时覆盖前述第二孔的外部区域及内部区域之中的内部区域。
[0022]根据实施例，前述盖板可具有形成于其中的一或多个弧状开口，且前述开口在自上方检视时可与前述第二孔的内部区域及外部区域之中的外部区域重叠。
[0023]根据实施例，前述设备可包括：处理单元，前述处理单元包括前述外壳及前述支撑单元；及等离子体产生单元，前述等离子体产生单元包括前述等离子体源且产生前述等离子体并将前述所产生等离子体供应至前述处理空间中。前述等离子体产生单元可安置于前述处理单元的顶部处，且可进一步包括具有等离子体产生空间的等离子体腔室。
[0024]根据实施例，前述等离子体产生单元可进一步包括扩散腔室，前述扩散腔室安置于前述等离子体腔室的底部处且具有扩散空间，且前述挡板单元可耦接至前述扩散腔室。
[0025]根据实施例，前述挡板可具有形成于其中的第三孔，耦接构件插入于前述第三孔中，且前述盖板可具有形成于其中的耦接孔。前述耦接孔可形成于对应于前述第三孔的位置处，且前述耦接构件可插入于前述耦接孔中。
[0026]根据实施例，前述盖板可安置于前述挡板的前述底部上。
[0027]根据例示性实施例，一种设置于用于使用等离子体处理基板的设备中的挡板单元包括挡板，前述挡板在自上方检视时具有形成于其中心区中的第一孔及形成于其边缘区中的第二孔。前述等离子体流动通过前述第一孔，且前述第二孔中的每一者具有相对于前述挡板的径向方向倾斜的纵向方向。
[0028]根据实施例，前述第二孔中邻近第二孔的局部区域当在前述挡板的前述径向方向上检视时可彼此重叠。
[0029]根据实施例，前述第二孔可沿着前述挡板的周向方向形成于前述边缘区中。
[0030]根据实施例，前述挡板单元可进一步包括安置于前述挡板的顶部或底部上的盖板，且前述盖板可具有环形形状以覆盖前述第二孔。
[0031]根据实施例，前述盖板可经设置以在自上方检视时覆盖前述第二孔的内部区域及外部区域之中的外部区域。
[0032]根据实施例，前述盖板可经设置以在自上方检视时覆盖前述第二孔的外部区域及内部区域之中的内部区域。前述盖板可具有形成于其中的一或多个弧状开口，且前述开口在自上方检视时可与前述外部区域重叠。
[0033]根据实施例，前述挡板可具有形成于其中的第三孔，耦接构件插入于前述第三孔中，且前述盖板可具有形成于其中的耦接孔。前述耦接孔可形成于对应于前述第三孔的位置处，且前述耦接构件可插入于前述耦接孔中。
附图说明
[0034]以上及其他目标及特征参看以下诸图自以下描述内容将变得显而易见，其中贯穿各图，类似参考数字指类似部分，除非本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的设备，前述设备包含：具有处理空间的外壳；支撑单元，前述支撑单元经组态以支撑前述基板于前述处理空间中；等离子体源，前述等离子体源经组态以自处理气体产生等离子体；及挡板单元，前述挡板单元安置于前述支撑单元上方，其中前述挡板单元包括挡板，前述挡板在其中形成有前述处理气体及/或前述等离子体流动通过的多个第一孔，且其中前述挡板具有形成于前述挡板的边缘区中的多个第二孔，前述多个第二孔中的每一者具有纵向方向，前述纵向方向在自上方检视时相对于前述挡板的径向方向倾斜。2.如权利要求1所记载的设备，其中沿着前述径向方向自前述挡板的中心起绘制的虚拟直线在自上方检视时与前述多个第二孔中的至少一者重叠。3.如权利要求1所记载的设备，其中前述多个第二孔沿着前述挡板的周向方向形成于前述边缘区中。4.如权利要求3所记载的设备，其中前述多个第二孔设置于前述挡板的整个前述边缘区中。5.如权利要求1所记载的设备，其中前述多个第二孔的倾斜方向为相同的。6.如权利要求1所记载的设备，其中通过前述多个第二孔的倾斜方向及前述挡板的前述径向方向形成的倾斜角度为相同的。7.如权利要求1所记载的设备，其中前述多个第二孔具有狭长孔形状。8.如权利要求1至7中任一项所记载的设备，其中前述挡板单元进一步包括安置于前述挡板的顶部或底部上的盖板，且其中前述盖板具有覆盖前述多个第二孔的形状。9.如权利要求8所记载的设备，其中前述挡板具有环形形状。10.如权利要求9所记载的设备，其中前述盖板经设置以在自上方检视时覆盖前述多个第二孔的内部区域及外部区域之中的前述外部区域。11.如权利要求9所记载的设备，其中前述盖板经设置以在自上方检视时覆盖前述多个第二孔的外部区域及内部区域之中的前述内部区域。12.如权利要求9所记载的设备，其中前述盖板具有形成于其中的一或多个弧状开口，且其中前述开口在自上方检视时与前述多个第二孔的内部区域及外部区域之中的前述外部区域重叠。13.如权利要求8所记载的设备，其中前述设备包含：处理单元，前述处理单元包括前述外壳及前述支撑单元；及包括前述等离子体源的等离子体产生单元，前述等离子体产生单元经组态以产生前述等离子体且将所产生的前述...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜正贤，
申请(专利权)人：PSK有限公司，
类型：发明
国别省市：
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