一种双电源切换电路及采用该电路的电源系统技术方案

本实用新型专利技术涉及电源管理技术领域，具体涉及一种双电源切换电路及采用该电路的电源系统。电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一PNP三极管和第二PNP三极管，所述第一PMOS管的漏极与第一电源端连接，第一PMOS管的源极接供电输出端，所述第二PMOS管的漏极与第二电源端连接，第二PMOS管的源极接供电输出端，所述第一PNP三极管与第二PNP三极管共基极，第一PNP三极管的发射极与第一电源端连接，第一PNP三极管的集电极与第二PMOS管的栅极连接，第二PNP三极管的发射极与第二电源端连接，第二PNP三极管的集电极与第一PMOS管的栅极连接。本实用新型专利技术电路设计简单，制造成本低，且通过场效应管的通断进行电源的选择传导，也不会对电源电量造成较大的消耗。

【技术实现步骤摘要】
一种双电源切换电路及采用该电路的电源系统
本技术涉及电源管理
，具体涉及一种双电源切换电路及采用该电路的电源系统。
技术介绍
在一些需要持续为用电设备供电，以维持设备不间断运行的用电场合，如气象、地质、水利等监测台站，常常会采用双电源(主、备用)供电，来维持用电设备，如监测传感器、信号中转设备等的持续运行。双电源供电一般会采用相应的电源切换装置来进行电源切换。而现有的电源切换装置在应用过程中还存在着一些不足之处，如电路设计较为复杂，制造成本较高，自身器件压降较大，对电源电量的损耗较大。这些都是需要改进的地方。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本技术提供了一种双电源切换电路及采用该电路的电源系统，其应用时，电路设计简单，制造成本低，且通过场效应管的通断进行电源的选择传导，也不会对电源电量造成较大的消耗。本技术所采用的技术方案为：一种双电源切换电路，包括第一电源端、第二电源端和供电输出端，还包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一PNP三极管和第二PNP三极管，所述第一PMOS管的漏极与第一电源端连接，第一PMOS管的源极接供电输出端，所述第二PMOS管的漏极与第二电源端连接，第二PMOS管的源极接供电输出端，所述第一PNP三极管与第二PNP三极管共基极，第一PNP三极管的发射极与第一电源端连接，第一PNP三极管的集电极与第二PMOS管的栅极连接，第二PNP三极管的发射极与第二电源端连接，第二PNP三极管的集电极与第一PMOS管的栅极连接。其应用时，当第一电源端输入的电量大于第二电源端时，第一PNP三极管导通饱和，第二PMOS管不导通，第一PMOS管导通，第一电源端输入的电量通过第一PMOS管传导至供电输出端进行供电；当第二电源端输入的电量大于第一电源端时，第二PNP三极管导通饱和，第一PMOS管不导通，第二PMOS管导通，第二电源端输入的电量通过第二PMOS管传导至供电输出端进行供电；只要第一电源端与第二电源端输入电量存在大小差异，切换电路就会选择电量高的一端来进行供电。通过两个PMOS管和两个PNP三极管组成的双电源切换电路，其电路设计简单实用，制造成本低，且通过场效应管的通断进行电源的选择传导，压降极小，也不会对电源电量造成较大的消耗。在一个可能的设计中，所述第一PMOS管和第二PMOS管均为增强型PMOS管。在一个可能的设计中，所述第一PMOS管和第二PMOS管的漏极与源极之间均连接有二极管，且二极管的正极接漏极，二极管的负极接源极。在一个可能的设计中，所述第一PNP三极管和第二PNP三极管的集电极分别并接有第一保护电阻，第一保护电阻的另一端接地。在一个可能的设计中，所述第一PNP三极管与第二PNP三极管的共基极并接有第二保护电阻，第二保护电阻的另一端接地。在一个可能的设计中，所述第一PMOS管和第二PMOS管均选用VBZA6679型PMOS管。在一个可能的设计中，所述第一PNP三极管和第二PNP三极管选用PMP5501Y型双晶体管。一种电源系统，包括第一蓄电池组、第二蓄电池组和双电源切换电路，所述第一蓄电池组连接双电源切换电路的第一电源端，第二蓄电池组连接双电源切换电路的第二电源端。在一个可能的设计中，所述系统还包括第一光伏阵列和第二光伏阵列，所述第一光伏阵列用于为第一蓄电池组充电，所述第二光伏阵列用于为第二蓄电池组充电。在一个可能的设计中，所述第一光伏阵列与第一蓄电池组之间，以及第二光伏阵列与第二蓄电池组之间，均设有充电控制器。本技术的有益效果为：本技术通过两个PMOS管和两个PNP三极管组成的双电源切换电路，其电路设计简单实用，制造成本低，且通过场效应管的通断进行电源的选择传导，压降极小，也不会对电源电量造成较大的消耗。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为双电源切换电路的电路示意图；图2为电源系统的系统结构示意图。具体实施方式下面结合附图及具体实施例对本技术作进一步阐述。在此需要说明的是，对于这些实施例方式的说明用于帮助理解本技术，但并不构成对本技术的限定。本文公开的特定结构和功能细节仅用于描述本技术的示例实施例。然而，可用很多备选的形式来体现本技术，并且不应当理解为本技术限制在本文阐述的实施例中。应当理解，术语第一、第二等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。尽管本文可以使用术语第一、第二等等来描述各种单元，这些单元不应当受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个单元和另一个单元。例如可以将第一单元称作第二单元，并且类似地可以将第二单元称作第一单元，同时不脱离本技术的示例实施例的范围。应当理解，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，单独存在B，同时存在A和B三种情况，本文中术语“/和”是描述另一种关联对象关系，表示可以存在两种关系，例如，A/和B，可以表示：单独存在A，单独存在A和B两种情况，另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”关系。应当理解，在本技术的描述中，术语“上”、“竖直”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系，是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。应当理解，当将单元称作与另一个单元“连接”、“相连”或“耦合”时，它可以与另一个单元直相连接或耦合，或中间单元可以存在。相対地，当将单元称作与另一个单元“直接相连”或“直接耦合”时，不存在中间单元。应当以类似方式来解释用于描述单元之间的关系的其他单词(例如，“在……之间”对“直接在……之间”，“相邻”对“直接相邻”等等)。在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。本文使用的术语仅用于描述特定实施例，并且不意在限制本技术的示例实施例。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”意在包括复数形式，除非上下文明确指示相反意思。还应当理解术语“包括”、“包括了”、“包含”、和/或“包含了”当在本文中使用时，指定所声明的特本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双电源切换电路，包括第一电源端、第二电源端和供电输出端，其特征在于：还包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一PNP三极管和第二PNP三极管，所述第一PMOS管的漏极与第一电源端连接，第一PMOS管的源极接供电输出端，所述第二PMOS管的漏极与第二电源端连接，第二PMOS管的源极接供电输出端，所述第一PNP三极管与第二PNP三极管共基极，第一PNP三极管的发射极与第一电源端连接，第一PNP三极管的集电极与第二PMOS管的栅极连接，第二PNP三极管的发射极与第二电源端连接，第二PNP三极管的集电极与第一PMOS管的栅极连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种双电源切换电路，包括第一电源端、第二电源端和供电输出端，其特征在于：还包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一PNP三极管和第二PNP三极管，所述第一PMOS管的漏极与第一电源端连接，第一PMOS管的源极接供电输出端，所述第二PMOS管的漏极与第二电源端连接，第二PMOS管的源极接供电输出端，所述第一PNP三极管与第二PNP三极管共基极，第一PNP三极管的发射极与第一电源端连接，第一PNP三极管的集电极与第二PMOS管的栅极连接，第二PNP三极管的发射极与第二电源端连接，第二PNP三极管的集电极与第一PMOS管的栅极连接。


2.根据权利要求1所述的一种双电源切换电路，其特征在于：所述第一PMOS管和第二PMOS管均为增强型PMOS管。


3.根据权利要求1所述的一种双电源切换电路，其特征在于：所述第一PMOS管和第二PMOS管的漏极与源极之间均连接有二极管，且二极管的正极接漏极，二极管的负极接源极。


4.根据权利要求1所述的一种双电源切换电路，其特征在于：所述第一PNP三极管和第二PNP三极管的集电极分别并接有第一保护电阻，第一保护电阻的另一端接地。

【专利技术属性】
技术研发人员：王翠芳，
申请(专利权)人：四川省地震局，
类型：新型
国别省市：四川;51