喷淋头组件、等离子体反应装置、喷淋头和安装基座制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，包括喷淋头和安装基座，喷淋头的第一表面与安装基座的第二表面相对设置，喷淋头的第一表面向远离安装基座的一侧凹陷，和/或安装基座的第二表面向远离喷淋头的一侧凹陷。本实用新型专利技术通过在喷淋头与安装基座的相对面上设置凹陷结构，该凹陷结构为安装基座提供形变空间，安装基座受热产生热变形，变形量充满这个凹陷结构，使得工艺过程中安装基座与喷淋头各个区域都能保持良好的接触，保证喷淋头各个区域的温度均匀性。进一步地，提供一种喷淋头和安装基座，以及等离子反应装置，这种等离子反应装置中喷淋头组件导热效果好，使得等离子反应装置的温度易于控制。

【技术实现步骤摘要】
喷淋头组件、等离子体反应装置、喷淋头和安装基座
本技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种喷淋头组件、等离子体反应装置、喷淋头和安装基座。
技术介绍
这里的陈述仅提供与本技术有关的
技术介绍
，而并不必然地构成现有技术。在半导体器件的制造过程中，等离子刻蚀是将晶圆加工成设计图案的关键工艺。在典型的等离子体刻蚀工艺中，工艺气体(如CF4、O2等)在射频(RadioFrequency，RF)激励作用下形成等离子体。这些等离子体在经过上电极和下电极之间的电场(电容耦合或者电感耦合)作用后与晶圆表面发生物理轰击作用及化学反应，从而将晶圆刻蚀出具有特定的结构，完成刻蚀工序。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：现有技术等离子体反应装置在刻蚀过程中，喷淋头的温度分布影响晶圆的刻蚀效果，因此有效控制喷淋头的温度均匀性是必要的。然而随着目前刻蚀工艺对射频功率逐渐提高，对喷淋头的控温越来越难。如何改善喷淋头的传热效果，将具有重要意义。
技术实现思路
本技术的第一个目的在于提供一种用于半导体处理装置的喷淋头组本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，包括喷淋头和安装基座，所述喷淋头的第一表面与所述安装基座的第二表面相对设置，其特征在于，所述喷淋头的第一表面向远离所述安装基座的一侧凹陷，和/或所述安装基座的第二表面向远离所述喷淋头的一侧凹陷。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，包括喷淋头和安装基座，所述喷淋头的第一表面与所述安装基座的第二表面相对设置，其特征在于，所述喷淋头的第一表面向远离所述安装基座的一侧凹陷，和/或所述安装基座的第二表面向远离所述喷淋头的一侧凹陷。


2.根据权利要求1所述的一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，其特征在于，所述喷淋头的第一表面和/或所述安装基座的第二表面形成一中部薄外围厚的凹面。


3.根据权利要求2所述的一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，其特征在于，所述凹面为球形凹面。


4.根据权利要求2所述的一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，其特征在于，所述凹面的最厚点与最薄点之间的高度差小于0.5mm。


5.根据权利要求2所述的一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，其特征在于，所述凹面的最厚点与最薄点之间的高度差为0.1mm。


6.根据权利要求1所述的一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，其特征在于，所述喷淋头材质为硅、碳化硅或石英中的一种或多种。


7.根据权利要求1所述的一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，其特征在于，所述安装基座为金属材质。


8.根据权利要求1所述的一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，其特征在于，所述安装基座和所述喷淋头的外围通过固定装置固定连接。


9.根据权利要求1所述的一种用于半导体处理装置的喷淋头组件，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周艳，徐朝阳，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31