液晶化合物取向层转印用取向薄膜制造技术

提供：用于转印液晶化合物取向层的转印用薄膜、且该转印用薄膜能形成减少了针孔等坏点的发生的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)。其特征在于，其为用于将液晶化合物取向层转印至对象物的取向薄膜，取向薄膜的脱模面的表面粗糙度(SRa)为1nm以上且30nm以下，或其特征在于，取向薄膜的与脱模面相反侧的面的表面粗糙度(SRa)为1nm以上且50nm以下，且取向薄膜的与脱模面相反侧的面的十点表面粗糙度(SRz)为10nm以上且1500nm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶化合物取向层转印用取向薄膜
本专利技术涉及用于转印液晶化合物取向层的转印用薄膜。更详细而言，涉及：在制造层叠有由液晶化合物取向层形成的相位差层的圆偏光板等偏光板、相位差板时、制造具有由液晶化合物取向层形成的偏光层的偏光板时等能够使用的、用于转印液晶化合物取向层的转印用薄膜。
技术介绍
以往，图像显示装置中，为了降低外来光的反射，在图像显示面板的观看者侧的面板面配置圆偏光板。该圆偏光板由直线偏光板与λ/4等相位差薄膜的层叠体构成，通过直线偏光板将面向图像显示面板的面板面的外来光转换为直线偏振光，然后，通过λ/4等相位差薄膜转换为圆偏振光。基于圆偏振光的外来光在图像显示面板的表面进行反射时偏光面的旋转方向倒转，该反射光相反地通过λ/4等相位差薄膜转换为由直线偏光板遮光的方向的直线偏振光，之后通过直线偏光板遮光，因此，可抑制对外部的出射。如此，圆偏光板使用的是，在偏光板上贴合有λ/4等相位差薄膜者。作为相位差薄膜，使用有环状烯烃(参照专利文献1)、聚碳酸酯(参照专利文献2)、三乙酰纤维素的拉伸薄膜(参照专利文献3)等单独的相位差薄膜。另外，作为相位差薄膜，使用有在透明薄膜上具有由液晶化合物形成的相位差层的层叠体的相位差薄膜(参照专利文献4、5)。记载了上述中在设置由液晶化合物形成的相位差层(液晶化合物取向层)时，可以将液晶化合物转印。另外，专利文献6等中已知通过将由液晶化合物形成的相位差层转印至透明薄膜而制成相位差薄膜的方法。通过这种转印法，还已知在透明薄膜上设置由λ/4等的液晶化合物形成的相位差层而形成λ/4薄膜的方法(参照专利文献7、8)。这些转印法中，作为转印用的基材，介绍了各种基材，其中，大量示例了聚酯、三乙酰纤维素、环状聚烯烃等透明树脂薄膜。然而，将使用这些透明树脂薄膜作为转印用的薄膜基材而制造的相位差层层叠偏光板(圆偏光板)用于图像显示装置的防反射用的情况下，有时产生针孔状、刮痕状的漏光，成为问题。另外，还已知有如下方法：将层叠在转印用薄膜上的包含液晶化合物和二色性色素的偏光层(液晶化合物取向层)转印至保护膜，从而制造偏光板，但该情况下也与上述同样地有时产生针孔状、刮痕状的漏光，成为问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-56322号公报专利文献2：日本特开2004-144943号公报专利文献3：日本特开2004-46166号公报专利文献4：日本特开2006-243653号公报专利文献5：日本特开2001-4837号公报专利文献6：日本特开平4-57017号公报专利文献7：日本特开2014-071381号公报专利文献8：日本特开2017-146616号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本专利技术是以上述现有技术的课题作为背景而作出的。即，本专利技术的目的在于，想要提供：用于转印液晶化合物取向层的转印用薄膜、且该转印用薄膜能形成减少了针孔等坏点的发生的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)。用于解决问题的方案本专利技术人为了达成上述目的，对在使用聚酯薄膜等透明树脂薄膜作为转印用的薄膜基材而制造的相位差层层叠偏光板(圆偏光板)中产生针孔等坏点的原因进行了研究。其结果发现：这些薄膜基材的表面的微小结构对形成于这些薄膜基材上的由液晶化合物形成的相位差层中的液晶化合物的取向状态、相位差产生较大的影响，有时得不到符合设计的取向状态、相位差，因此，产生针孔等坏点。而且，本专利技术人着眼于这些微小结构中以特定的参数表示的薄膜基材的表面粗糙度，发现：通过使用该表面粗糙度被控制为特定的范围内的薄膜基材，从而能形成减少了针孔等坏点的发生的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)而不产生上述以往的问题，至此完成了第一专利技术。进而发现，薄膜基材通常在制造后以卷取为卷状的状态被保存并供给，因此，在其之间，使薄膜基材的脱模面(薄膜基材的二个表面中、形成有由液晶化合物形成的相位差层、偏光层的面)跟其相反侧的面(背面)以加压状态接触，背面的微小结构有时转印至脱模面，因此，背面的微小结构的影响也较大。而且，本专利技术人着眼于背面的微小结构中以特定的参数表示的薄膜基材的表面粗糙度，发现：通过使用该表面粗糙度被控制为特定的范围内的薄膜基材，从而能形成减少了针孔等坏点的发生的相位差层、偏光层(液晶化合物取向层)而不产生上述以往的问题，至此完成了第二专利技术。即，第一专利技术具有以下的(1)～(9)的构成。(1)一种液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，其为用于将液晶化合物取向层转印至对象物的取向薄膜，取向薄膜的脱模面的表面粗糙度(SRa)为1nm以上且30nm以下。(2)根据(1)所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜的脱模面的十点表面粗糙度(SRz)为5nm以上且200nm以下。(3)根据(1)或(2)所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜为聚酯薄膜。(4)一种液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，其为层叠有液晶化合物取向层与取向薄膜的层叠体，取向薄膜为(1)～(3)中任一项所述的取向薄膜。(5)一种液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：使偏光板与(4)所述的层叠体的液晶化合物取向层面粘贴而形成中间层叠体的工序；和，从中间层叠体剥离取向薄膜的工序。(6)一种液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法，其特征在于，其为检查(4)所述的层叠体中的液晶化合物取向层的取向状态的方法，所述检查方法包括如下工序：从层叠体的取向薄膜面照射具有跟取向薄膜的取向方向、或跟与取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流动方向、或跟与流动方向正交的方向平行的电场振动方向的直线偏振光，在液晶化合物取向层面侧进行光接收。(7)一种液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法，其特征在于，其为检查(4)所述的层叠体中的液晶化合物取向层的取向状态的方法，所述检查方法包括如下工序：从层叠体的液晶化合物取向层面照射椭圆偏振光，在取向薄膜面侧进行光接收。(8)一种液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法，其特征在于，其为检查(4)所述的层叠体中的液晶化合物取向层的取向状态的方法，所述检查方法包括如下工序：从层叠体的取向薄膜面照射具有跟取向薄膜的取向方向、或跟与取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流动方向、或跟与流动方向正交的方向平行的电场振动方向的直线偏振光的工序；用设置于层叠体的液晶化合物取向层侧的镜面反射板，使透过层叠体的光反射的工序；和，在取向薄膜侧，将反射后的光进行光接收的工序。(9)一种液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法，其特征在于，其为检查(4)所述的层叠体中的液晶化合物取向层的取向状态的方法，所述检查方法至少包括如下工序：向层叠体照射偏振光而使偏振光通过层叠体的工序；和，将通过了层叠体的偏振光进行光接收的工序，通过层叠体的取向薄膜的偏振光为具有跟取向薄膜的取向方向、或跟与取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流动方向、或本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，其为用于将液晶化合物取向层转印至对象物的取向薄膜，取向薄膜的脱模面的表面粗糙度(SRa)为1nm以上且30nm以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181026 JP 2018-201940;20181107 JP 2018-209662;201.一种液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，其为用于将液晶化合物取向层转印至对象物的取向薄膜，取向薄膜的脱模面的表面粗糙度(SRa)为1nm以上且30nm以下。


2.根据权利要求1所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜的脱模面的十点表面粗糙度(SRz)为5nm以上且200nm以下。


3.根据权利要求1或2所述的液晶化合物取向层转印用取向薄膜，其特征在于，取向薄膜为聚酯薄膜。


4.一种液晶化合物取向层转印用层叠体，其特征在于，其为层叠有液晶化合物取向层与取向薄膜的层叠体，取向薄膜为权利要求1～3中任一项所述的取向薄膜。


5.一种液晶化合物取向层层叠偏光板的制造方法，其特征在于，包括如下工序：使偏光板与权利要求4所述的层叠体的液晶化合物取向层面贴合而形成中间层叠体的工序；和，从中间层叠体剥离取向薄膜的工序。


6.一种液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法，其特征在于，其为检查权利要求4所述的层叠体中的液晶化合物取向层的取向状态的方法，所述检查方法包括如下工序：从层叠体的取向薄膜面照射具有跟取向薄膜的取向方向、或跟与取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流动方向、或跟与流动方向正交的方向平行的电场振动方向的直线偏振光，在液晶化合物取向层面侧进行光接收。


7.一种液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法，其特征在于，其为检查权利要求4所述的层叠体中的液晶化合物取向层的取向状态的方法，所述检查方法包括如下工序：从层叠体的液晶化合物取向层面照射椭圆偏振光，在取向薄膜面侧进行光接收。


8.一种液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法，其特征在于，其为检查权利要求4所述的层叠体中的液晶化合物取向层的取向状态的方法，所述检查方法包括如下工序：从层叠体的取向薄膜面照射具有跟取向薄膜的取向方向、或跟与取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流动方向、或跟与流动方向正交的方向平行的电场振动方向的直线偏振光的工序；用设置于层叠体的液晶化合物取向层侧的镜面反射板，使透过层叠体的光反射的工序；和，在取向薄膜侧，将反射后的光进行光接收的工序。


9.一种液晶化合物取向层转印用层叠体的检查方法，其特征在于，其为检查权利要求4所述的层叠体中的液晶化合物取向层的取向状态的方法，所述检查方法至少包括如下工序：向层叠体照射偏振光而使偏振光通过层叠体的工序；和，将通过了层叠体的偏振光进行光接收的工序，
通过层叠体的取向薄膜的偏振光为具有跟取向薄膜的取向方向、或跟与取向方向正交的方向、或跟取向薄膜的流动方向、或跟与流动方向正交的方向平行的电场振动方向的直线偏振光，或
通过层叠体的液晶化合物取向层面的偏振光...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木靖，村田浩一，
申请(专利权)人：东洋纺株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP