有机半导体材料制造技术

本发明专利技术提供一种可提供优异的转换效率的有机半导体材料的高分子化合物、材料设计的自由度高的原材料化合物以及它们的制造方法。一种高分子化合物，其特征在于，具有式(1)所示的苯并双噻唑结构单元。[在式(1)中，T1、T2、B1、B2为杂芳基，所述杂芳基各自可独立地被有机硅基、卤原子或烃基取代，所述T1、T2、B1、B2杂芳基中的至少1个被卤原子取代。]

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种含有具有特定的苯并双噻唑骨架和结合有1个以上卤原子的杂环的结构单元的高分子化合物、有机半导体材料及其制造方法、包含该有机半导体材料的有机电子装置以及含有该有机电子装置的太阳能电池组件。

技术介绍

1、有机半导体材料为在有机电子学领域最重要的材料之一，可分类为给电子性的p型有机半导体材料、受电子性的n型有机半导体材料。通过适当地组合p型有机半导体材料、n型有机半导体材料，能够制造各种半导体元件，这样的元件例如可应用于：通过电子和空穴再结合形成的激子的作用下发光的有机电致发光(electroluminescence)、将光转换为电力的有机薄膜太阳能电池、控制电流量或电压量的有机薄膜晶体管。

2、这些之中，由于有机薄膜太阳能电池没有向大气中排放二氧化碳，因此对环境保护有用，此外从简单的构造也易于制造的观点出发，其需求增大。然而，有机薄膜太阳能电池的光电转换效率至今仍不充分。光电转换效率η为通过短路电流密度(jsc)与开路电压(voc)、填充因子(ff)的乘积“η＝开路电压(voc)×短路电流密度(jsc)×填充因子(ff)”计算得出本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高分子化合物，其特征在于，具有式(1)所示的苯并双噻唑结构单元，

2.根据权利要求1所述的高分子化合物，T1、T2分别为下述式(t1)所示的基团，

3.根据权利要求1或2所述的高分子化合物，B1、B2分别为下述式(b1)所示的基团，

4.根据权利要求1～3任一项所述的高分子化合物，杂芳基B1以及B2分别被1个以上的卤原子取代。

5.根据权利要求1～4任一项所述的高分子化合物，杂芳基T1以及T2分别被1个以上的卤原子取代。

6.根据权利要求1～5任一项所述的高分子化合物，其为供体-受体型半导体聚合物。</p>

7.一种...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种高分子化合物，其特征在于，具有式(1)所示的苯并双噻唑结构单元，

2.根据权利要求1所述的高分子化合物，t1、t2分别为下述式(t1)所示的基团，

3.根据权利要求1或2所述的高分子化合物，b1、b2分别为下述式(b1)所示的基团，

4.根据权利要求1～3任一项所述的高分子化合物，杂芳基b1以及b2分别被1个以上的卤原子取代。

5.根据权利要求1～4任一项所述的高分子化合物，杂芳基t1以及t2分别被1个以上的卤原子取代。

6.根据权利要求1～5任一项所述的高分子化合物，其为供体-受体型半导体聚合物。

7.一种有机半导体材料，其含有权利要求1～6任一项所述的高分子化合物。

8.一种式(5)所示的苯并双噻唑化合物，

9.一种式(4)所示的苯并双噻唑化合物，

10.一种式(3)所示的苯并双噻唑化合物，

11.一种式(2)所示的苯并双噻唑化合物，

12.一种式(20)所示的噻吩化合物，

13.一种式(21)所示的噻吩化合物，

【专利技术属性】
技术研发人员：平田红里，今西良树，萩谷一刚，田中光，坂本康博，
申请(专利权)人：东洋纺株式会社，
类型：发明
国别省市：