【技术实现步骤摘要】
具有标记元件的基底、包括其的容器以及其生产方法
本专利技术涉及一种具有标记元件的基底、包括这种基底的容器以及用于生产具有标记元件的基底、优选地根据本专利技术的基底的方法。
技术介绍
在现有技术中,通常的做法是使用识别部件来使物体、如容器可识别。这方面在制药领域中尤其重要,在该领域中,通常要求用于容纳药物组合物的容器(如小瓶、注射器、药筒等)具有允许识别每个独立容器的部件。例如,这对于填充、路径选择、存储、分派期间自动处理容器以及确保质量和安全标准非常重要,这些标准通常要求每个容器在其生命周期中具有高的可追溯性。所述识别部件通常设计为标记元件的形式,标记元件则用于满足上述要求。到目前为止,通常在每个容器上贴上标签并在标签上打印独特的识别码如条形码。在其他应用中,已经借助使用油墨的印刷工艺将独特的识别码直接转移到容器上。因此,两种方法都需要打印的码。一旦在容器和独特的识别码之间建立连接,就可以通过读取相应的独特的识别码识别容器。然而,在使用期间将标签贴在表面上或使用打印机往往很慢且复杂,因此通常代表生产线上的瓶颈。这些打印的码的大小往往受打印方法的限制,并且不能充分减小以创建所需的小码。特别是对于小型容器,很难或甚至不能提供足够大的区域以将标签粘附于其上。容器往往呈现出复杂的几何形状,这使得难以利用标签或打印机将识别码粘附于容器。此外,事实证明,在容器的进一步处理或使用期间,如果容器暴露于水或其他极端条件,则存在容器的标签脱落或使用油墨直接印刷于容器上的码消失的风险。另外,事实还证明,普遍的问题是 ...
【技术保护点】
1.一种具有标记元件的基底,/n其中,所述标记元件在所述基底的至少一个第一表面区域和所述基底的至少一个第二表面区域上延伸;/n其中,在所述第一表面区域上,对于所述第一表面区域的至少一个表面粗糙度,所述基底具有至少一个第一粗糙度值;在所述第二表面区域上,对于所述第二表面区域的表面粗糙度,所述基底具有至少一个第二粗糙度值;/n其中,在沿至少部分地穿过所述第一表面区域和第二表面区域的至少一条切割线的基底的至少一个高度轮廓中,沿与所述第一表面区域相对应的所述高度轮廓的第一部分的基底的高度大于沿与所述第二表面区域相对应的所述高度轮廓的第二部分的基底的高度;/n其中,在所述高度轮廓中,第二部分的最大高度点或至少一个平均高度与第一部分的最小高度点或至少一个平均高度之间的高度差的绝对值定义为深度值;/n其中,所述深度值与第二粗糙度值的比例在2到35之间。/n
【技术特征摘要】
20191104 EP 19207008.41.一种具有标记元件的基底,
其中,所述标记元件在所述基底的至少一个第一表面区域和所述基底的至少一个第二表面区域上延伸;
其中,在所述第一表面区域上,对于所述第一表面区域的至少一个表面粗糙度,所述基底具有至少一个第一粗糙度值;在所述第二表面区域上,对于所述第二表面区域的表面粗糙度,所述基底具有至少一个第二粗糙度值;
其中,在沿至少部分地穿过所述第一表面区域和第二表面区域的至少一条切割线的基底的至少一个高度轮廓中,沿与所述第一表面区域相对应的所述高度轮廓的第一部分的基底的高度大于沿与所述第二表面区域相对应的所述高度轮廓的第二部分的基底的高度;
其中,在所述高度轮廓中,第二部分的最大高度点或至少一个平均高度与第一部分的最小高度点或至少一个平均高度之间的高度差的绝对值定义为深度值;
其中,所述深度值与第二粗糙度值的比例在2到35之间。
2.根据权利要求1所述的基底,
其中,所述表面粗糙度为在相应表面区域的至少一部分上的平均表面粗糙度或均方根表面粗糙度。
3.根据前述权利要求中任一项所述的基底,
其中,所述第一粗糙度值比第二粗糙度值小10、20、30、40、50、60、70、80、90或100倍,所述第一粗糙度值在0.5至20nm之间、优选地在1至10nm之间、更优选地在1至5nm之间,和/或所述第二粗糙度值在5至1000nm之间、优选地在100至700nm之间、更优选地在100至300nm之间或300至500nm之间。
4.根据前述权利要求中任一项所述的基底,
其中,高度值由所述高度轮廓中第一部分的最大高度点处的高度定义;
其中,所述高度值与深度值的比例在100至2000之间,和/或其中,所述高度在0.1至20mm之间、更优选地在0.5至15mm之间、最优选地在0.7至1.7mm之间。
5.根据前述权利要求中任一项所述的基底,
其中,在所述第一表面区域之上或之下,对于所述第一表面区域中或位于其下面的基底的至少一个不同深度处的两种材料的至少一个浓度比,所述基底具有至少一个第一比值;
其中,在所述第二表面区域之上或之下,对于所述第二表面区域中或位于其下面的基底的至少一个不同深度处的两种材料的至少一个浓度比,所述基底具有至少一个第二比值;
优选地,关于所述第一比值和第二比值,将所述基底设计成使得耐水解性提高,特别是与其他基底设计相比。
6.根据权利要求5所述的基底,其中,
(i)所述两种材料的浓度比为材料B与Si、Na与Si、Ca与Si和/或Al与Si的浓度比;
(ii)所述不同深度为相应表面区域以下达2μm、优选地达1μm、更优选地达0.5μm、甚至更优选地达0.2μm的深度;和/或
(iii)通过至少一种ToF-SIMS测量、特别是在不同深度的至少一个表层的至少一种ToF-SIMS测量,在相应表面区域的至少一个位置处获得和/或能够获得所述两种材料的浓度比。
7.根据前述权利要求中任一项所述的基底,
其中,所述基底至少部分包括玻璃、尤其是硅酸盐玻璃如铝硅酸盐玻璃和/或硼硅酸盐玻璃;至少一种聚合物材料如环烯烃共聚物(COC)或环烯烃聚合物(COP)。
8.根据前述权利要求中任一项所述的基底,
其中,所述标记元件包括至少一个雕刻在所述基底中的空腔,其优选地呈至少一个点状和/或线状元件的形式;优选地,所述标记元件包括多个雕刻在所述基底中的空腔,其优选地呈多个点状和/或线状元件的形式;
其中,优选地,(i)所述标记元件呈至少一个矩阵码、优选地至少一个点矩阵码、至少一个一维数据编码、至少一个二维数据编码和/或至少一个三维数据编码的形式;(ii)第一表面区域至少部分不与所述空腔的表面重叠和/或第二表面区域为所述空腔的表面的至少一部分、优选地中心部分,或者与所述空腔的表面相对应,和/或(iii)第一表面区域为与所述标记元件的至少一个区域相对应的表面的至少一部分,所述至少一个...
【专利技术属性】
技术研发人员:O·苏赫,S·卡沃斯,C·布鲁宁,
申请(专利权)人:肖特股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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