发光二极管芯片分选方法技术

本公开提供了一种发光二极管芯片分选方法，属于发光二极管技术领域。若存在第x需求芯片对应的光电参数范围位于第n需求芯片对应的光电参数范围内的情况，且所述第x需求芯片的数量小于所述第n需求芯片的数量，则可以在第n需求芯片中确定第x需求芯片占比最高的分选区域，并将该分选区域内的第x需求芯片均分选至第一载膜上，使得足够的第x需求芯片被有效快速地分选出第一载膜。不会出现光电范围参数存在重叠的两批需求芯片中，挑选了大数量批次需求芯片而导致小数量批次需求芯片数量不足的问题，也就不用额外制作外延片来满足小数量批次需求芯片，解决芯片挑选批次的同时降低了芯片制备成本。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片分选方法
本公开涉及到了发光二极管
，特别涉及到一种发光二极管芯片分选方法。
技术介绍
发光二极管是一种应用非常广泛的发光器件，常用于通信号灯、汽车内外灯、城市照明和景观照明等，发光二极管外延片则是用于制备发光二极管的基础结构。在将发光二极管外延片制备为发光二极管芯片的过程中，至少需要经过切割，并对切割之后得到的芯片进行光电测试、挑选与封装。对于同一外延片制备得到的多个芯片，通常会基于不同的需求分为多批芯片进行分拣处理，如果多批芯片之间对应的需求光电参数存在重叠，例如某一批芯片的需求光电参数范围位于另一批芯片的需求光电参数范围内，某一批芯片分拣完毕之后，容易出现另一批芯片分散过渡难以分拣或剩余的芯片数量不满足另一批芯片的需求数量的情况，这种情况下会需要额外制备一炉外延片来满足另一批芯片的分选制作，造成芯片整体制备成本提高的问题。
技术实现思路
本公开实施例提供了一种发光二极管芯片分选方法，可以满足不同数量级需求的批次的芯片分选的同时降低成本。所述技术方案如下：本公开实施例提供了一种发光二极管芯片分选方法，所述发光二极管芯片分选方法包括：提供位于晶圆上的多个芯片；根据所述多个芯片的光电参数，将所述多个芯片划分为良性芯片与不良芯片，所述良性芯片包括第一需求芯片、第二需求芯片、…、第n-1需求芯片，第x需求芯片对应的光电参数范围位于所述第n需求芯片对应的光电参数范围内，且所述第x需求芯片的数量小于所述第n需求芯片的数量，n为整数且大于或等于3，x为整数且x大于或等于1，x<n；在所述第n需求芯片中确定所述第x需求芯片占比最高的分选区域；将所述分选区域内的所述第x需求芯片分选至第一载膜上；分选出所述第n需求芯片。可选地，所述在所述第n需求芯片中确定所述第x需求芯片占比最高的分选区域，包括：以一平行所述晶圆的表面、且面积固定的图形在所述晶圆的表面内移动；将所述图形内所述第x需求芯片相对所述第n需求芯片占比最高的区域作为所述分选区域。可选地，所述在所述第n需求芯片中确定所述第x需求芯片占比最高的分选区域，包括：根据光电参数将所述晶圆的表面划分为良性芯片区域与不良芯片区域；以一平行所述晶圆的表面、且面积固定的图形在所述良性芯片区域内移动；将所述图形内所述第x需求芯片相对所述第n需求芯片占比最高的区域作为所述分选区域。可选地，所述在所述第n需求芯片中确定所述第x需求芯片占比最高的分选区域，还包括：在所述良性芯片区域内确定所述晶圆上所述第n需求芯片对应的区域；在所述第n需求芯片对应的区域内确定所述第x需求芯片占比最高的分选区域。可选地，所述在所述第n需求芯片中确定所述第x需求芯片占比最高的分选区域，还包括：将所述图形内所述第x需求芯片占比最高的区域作为所述分选区域前，获取所述图形内所述第n需求芯片的数量与所述图形内所有所述第x需求芯片的数量；以所述图形内所有所述第x需求芯片的数量比所述第n需求芯片的数量，得到所述图形内所述第x需求芯片占比。可选地，所述图形为圆形、椭圆形或长方形。可选地，若所述图形为圆形，所述圆形的半径为所述晶圆的半径的0.25～0.7。可选地，所述分选出所述第n需求芯片，包括：分选出除所述第n需求芯片之外的所述良性芯片与所述不良芯片；将所述第n需求芯片倒膜至第二载膜上。可选地，根据所述多个芯片的光电参数，将所述多个芯片划分为良性芯片与不良芯片，包括：根据所述多个芯片的发光亮度、主波长、峰波长、半波宽、工作电压、开启电压、反向电压和漏电流，将所述多个芯片划分为良性芯片与不良芯片。可选地，所述发光二极管芯片分选方法还包括：根据需求数量及光电参数，将所述良性芯片划分为所述第一需求芯片、…、所述第n需求芯。本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果包括：在需要将晶圆上的多个芯片分为不同批次的第一需求芯片、…、第n需求芯片进行处理时，可以先根据多个芯片的光电参数，将多个芯片划分为良性芯片与不良芯片，再从良性芯片中选出第一需求芯片、…、第n需求芯片。在依次批量选出第一需求芯片、…、第n需求芯片的过程中，若存在第x需求芯片对应的光电参数范围位于第n需求芯片对应的光电参数范围内的情况，且所述第x需求芯片的数量小于所述第n需求芯片的数量，则可以在第n需求芯片中确定第x需求芯片占比最高的分选区域，并将该分选区域内的第x需求芯片均分选至第一载膜上，使得足够的第x需求芯片被有效快速地分选出第一载膜。在第n需求芯片的数量得到保证的前提下，再分选出的第n需求芯片。不会出现光电范围参数存在重叠的两批需求芯片中，挑选了大数量批次需求芯片而导致小数量批次需求芯片数量不足的问题，也就不用额外制作外延片来满足小数量批次需求芯片，解决芯片挑选批次的同时降低了芯片制备成本。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本公开实施例提供的一种发光二极管芯片分选方法流程图；图2是本公开实施例提供的另一种发光二极管芯片分选方法流程图；图3是本公开实施例提供的晶圆与芯片的俯视图。具体实施方式为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。图1是本公开实施例提供的一种发光二极管芯片分选方法流程图，如图1所示，本公开实施例提供了一种发光二极管芯片分选方法，发光二极管芯片分选方法包括：S101：提供位于晶圆上的多个芯片。S102：根据多个芯片的光电参数，将多个芯片划分为良性芯片与不良芯片，良性芯片包括第一需求芯片、第二需求芯片、…、第n-1需求芯片，第x需求芯片对应的光电参数范围位于第n需求芯片对应的光电参数范围内，且第x需求芯片的数量小于第n本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片分选方法，其特征在于，所述发光二极管芯片分选方法包括：/n提供位于晶圆上的多个芯片；/n根据所述多个芯片的光电参数，将所述多个芯片划分为良性芯片与不良芯片，所述良性芯片包括第一需求芯片、第二需求芯片、…、第n-1需求芯片，第x需求芯片对应的光电参数范围位于所述第n需求芯片对应的光电参数范围内，且所述第x需求芯片的数量小于所述第n需求芯片的数量，n为整数且大于或等于3，x为整数且x大于或等于1，x<n；/n在所述第n需求芯片中确定所述第x需求芯片占比最高的分选区域；/n将所述分选区域内的所述第x需求芯片分选至第一载膜上；/n分选出所述第n需求芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片分选方法，其特征在于，所述发光二极管芯片分选方法包括：
提供位于晶圆上的多个芯片；
根据所述多个芯片的光电参数，将所述多个芯片划分为良性芯片与不良芯片，所述良性芯片包括第一需求芯片、第二需求芯片、…、第n-1需求芯片，第x需求芯片对应的光电参数范围位于所述第n需求芯片对应的光电参数范围内，且所述第x需求芯片的数量小于所述第n需求芯片的数量，n为整数且大于或等于3，x为整数且x大于或等于1，x<n；
在所述第n需求芯片中确定所述第x需求芯片占比最高的分选区域；
将所述分选区域内的所述第x需求芯片分选至第一载膜上；
分选出所述第n需求芯片。


2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片分选方法，其特征在于，所述在所述第n需求芯片中确定所述第x需求芯片占比最高的分选区域，包括：
以一平行所述晶圆的表面、且面积固定的图形在所述晶圆的表面内移动；
将所述图形内所述第x需求芯片相对所述第n需求芯片占比最高的区域作为所述分选区域。


3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片分选方法，其特征在于，所述在所述第n需求芯片中确定所述第x需求芯片占比最高的分选区域，包括：
根据光电参数将所述晶圆的表面划分为良性芯片区域与不良芯片区域；
以一平行所述晶圆的表面、且面积固定的图形在所述良性芯片区域内移动；
将所述图形内所述第x需求芯片相对所述第n需求芯片占比最高的区域作为所述分选区域。


4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片分选方法，其特征在于，所述在所述第n需求芯片中确定所述第x需求芯片占比最高的分选区域，还包括：
在所述良性芯片区域内确定所述晶圆上所述第n需求芯片对应的区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建南，刘源，林云真，喻海波，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32