电平移位电路以及集成电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种电平移位电路以及集成电路，该电平移位电路包括：一负载单元，用以接收电源电压信号以及第一控制信号以产生栅极控制信号；一输入单元，用以接收输入信号以使所述栅极控制信号接地；以及多个偏置单元，设于所述负载单元和所述输入单元之间，所述多个偏置单元用以接收偏置电压信号以使所述栅极控制信号传输至所述输入单元，多个所述偏置单元相互串联并耦接至所述负载单元；其中，所述电平移位电路用于将第一信号转化成第二信号，所述第二信号的电压大于所述第一信号的电压。本实用新型专利技术可以提高电平移位电路的鲁棒性。

【技术实现步骤摘要】
电平移位电路以及集成电路
本技术涉及集成电路领域，具体涉及一种电平移位电路以及集成电路。
技术介绍
电平移位电路将低压逻辑控制信号转换为高压逻辑控制信号，实现低压逻辑输入级对高压逻辑输出级的控制，在显示驱动以及闪存等方面有广泛的应用。在液晶显示器的源极驱动芯片、电源管理芯片、时序控制芯片等应用中，电平移位电路一方面要求较低电压输入，另一方面又要求能在较大电源噪声的情况下正常工作。如图1所示，现有技术提供一种用于LCD模块的扫描驱动器的现有低压输入型电平移位电路，其将一低压数字信号转换为高压数字信号。该电平移位电路包含两个LV(低压)MOS晶体管M1-M2和四个HV(高压)MOS晶体管M3-M6。两个LVNMOS晶体管M1及M2的源极及基板(substrate)连接至接地电压VSSA，漏极分别连接至两个HVNMOS晶体管M5及M6的源极，M5和M6的基板连接至接地电压VSSA，栅极连接至控制信号VB，VB具有合适的电压，可以同时保证M5和M6导通，并且保护LVNMOSM1和M2免受来自高电源电压VDDA的损害，漏极分别连接至两个HVPMOS晶体管M3和M4的漏极，M3和M4的源极及基板连接至电源电压VDDA(例如9伏特或18伏特)。然而在多个驱动较大负载的缓冲同时进行翻转工作时，高电压电源容易产生较大噪声，在高电源噪声影响下，现有技术提供的电平移位电路会出现一些问题，例如：首先，输出信号状态切换的时间会增加。第二，可能在所有六个晶体管M1-M6皆导通时产生DC电流路径，从而消耗较大电流。第三，由于DC电流栓锁(latch)而使得转态(switchingstates)失败。进而造成现有技术提供的电平移位电路在低电压输入，在较大电源噪声的情况容易出现不能正常工作的问题。
技术实现思路
本技术提供一种电平移位电路以及集成电路，用以解决电平移位电路在低电压输入，在较大电源噪声的情况容易出现不能正常工作的问题。根据本技术的第一方面，本技术提供一种电平移位电路，包括：一负载单元，用以接收电源电压信号以及第一控制信号以产生栅极控制信号；一输入单元，用以接收输入信号以使所述栅极控制信号接地；以及多个偏置单元，设于所述负载单元和所述输入单元之间，所述多个偏置单元用以接收偏置电压信号以使所述栅极控制信号传输至所述输入单元，多个所述偏置单元相互串联并耦接至所述负载单元，所述多个偏置单元包括第一偏置单元、第二偏置单元以及第三偏置单元，所述第一偏置单元用于限制所述输入单元的漏级电位，所述第二偏置单元用于限制第一偏置单元的漏级电位，所述第三偏置单元用于提供所述负载单元的栅极控制电源；其中，所述电平移位电路用于将第一信号转化成第二信号，所述第二信号的电压大于所述第一信号的电压。在一些实施例中，所述输入单元包括：第一开关管以及第二开关管，所述第一开关管和所述第二开关管的基板及源级均连接至接地电压信号，所述第一开关管和所述第二开关管的栅极连接分别连接至输入信号和反向输入信号；所述多个偏置单元包括：第三开关管和第四开关管，所述第三开关管和所述第四开关管的基板均连接至接地电压信号，所述第三开关管和所述第四开关管的源级分别连接至所述第一开关管和所述第二开关管的漏级，所述第三开关管和所述第四开关管的栅极均连接至第一偏置电压信号；第五开关管和第六开关管，所述第五开关管和所述第六开关管的基板均连接至接地电压信号，所述第五开关管和所述第六开关管的源级分别连接至所述第三开关管和所述第四开关管的漏级，所述第五开关管和所述第六开关管的栅极均连接至第二偏置电压信号；第七开关管和第八开关管，所述第七开关管和所述第八开关管的基板均连接至电源电压信号，所述第七开关管和所述第八开关管的漏级分别连接至所述第五开关管和所述第六开关管的漏极，所述第七开关管和所述第八开关管的栅极均连接至第三偏置电压信号；所述负载单元包括：第九开关管和第十开关管，所述第九开关管和所述第十开关管的基板和源极均连接至电源电压信号，所述第九开关管和所述第十开关管的漏极连接至所述第七开关管和所述第八开关管的源极，所述第九开关管的栅极分别耦接至所述第六开关管和所述第八开关管的漏极，所述第十开关管的栅极分别耦接至所述第五开关管和所述第七开关管的漏极；其中，所述第五开关管和所述第七开关管的漏极为所述电平移位电路的第一输出端，所述第六开关管和所述第八开关管的漏极为所述电平移位电路的第二输出端。在一些实施例中，所述第一开关管和所述第二开关管为第一N型晶体管或第一P型晶体管的一种。在一些实施例中，所述第三开关管和所述第四开关管为第二N型晶体管或第二P型晶体管的一种。在一些实施例中，所述第五开关管和所述第六开关管为第二N型晶体管或第二P型晶体管的一种。在一些实施例中，所述第七开关管和所述第八开关管为第二N型晶体管或第二P型晶体管的一种。在一些实施例中，所述第九开关管和所述第十开关管为第二N型晶体管或第二P型晶体管的一种。根据本技术的第二方面，本技术提供一种集成电路，包括如上述的电平移位电路。在一些实施例中，所述集成电路还包括：偏置电压发生器，用于为所述电平移位电路提供多个偏置电压信号，所述多个偏置电压信号包括：电源电压信号、接地电压信号、第一控制电压信号、第二控制电压信号以及第三控制电压信号。与现有技术相比，本技术的有益效果：在不增加过多的版图面积的情况下，保证低压输入的快速转态，同时有效减少电源噪声对电平移位电路的影响，从而增加电平移位电路的鲁棒性。附图说明图1为现有技术提供的一种电平移位电路的结构示意图图2为本技术实施例提供的一种电平移位电路的结构示意图。图3a-3c为图2所示的电平移位电路的电路仿真图。图4为本技术实施例提供的一种集成电路的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图2所示，本技术实施例提供一种电平移位电路，该电平移位电路用于将第一信号转化成第二信号，所述第二信号的电压大于所述第一信号的电压。该电平移位电路包括输入单元21、多个偏置单元22以及负载单元23。其中多个偏置单元22包括第一偏置单元221、第二偏置单元222以及第三偏置单元223。负载单元23用以接收电源电压信号(VDDA)以及第一控制信号(VDDA)以产生栅极控制信号(VOUT、VOUTB)。多个偏置单元22设于负载单元23和输入单元21之间，多个偏置单元22用以接收偏置电压信号(VB1、VB2、VB3)以使栅极控制信号(VOUT、VOUTB)传输至输入单元21，多个偏置单元22相互串联并耦接至负载单元23。输入单元21用以接收输入信号(VIN、VINB)以使栅极控制信本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电平移位电路，其特征在于，包括：/n一负载单元，用以接收电源电压信号以及第一控制信号以产生栅极控制信号；/n一输入单元，用以接收输入信号以使所述栅极控制信号接地；以及/n多个偏置单元，设于所述负载单元和所述输入单元之间，所述多个偏置单元用以接收偏置电压信号以使所述栅极控制信号传输至所述输入单元，多个所述偏置单元相互串联并耦接至所述负载单元，所述多个偏置单元包括第一偏置单元、第二偏置单元以及第三偏置单元，所述第一偏置单元用于限制所述输入单元的漏级电位，所述第二偏置单元用于限制第一偏置单元的漏级电位，所述第三偏置单元用于提供所述负载单元的栅极控制电源；/n其中，所述电平移位电路用于将第一信号转化成第二信号，所述第二信号的电压大于所述第一信号的电压，。/n

【技术特征摘要】
1.一种电平移位电路，其特征在于，包括：
一负载单元，用以接收电源电压信号以及第一控制信号以产生栅极控制信号；
一输入单元，用以接收输入信号以使所述栅极控制信号接地；以及
多个偏置单元，设于所述负载单元和所述输入单元之间，所述多个偏置单元用以接收偏置电压信号以使所述栅极控制信号传输至所述输入单元，多个所述偏置单元相互串联并耦接至所述负载单元，所述多个偏置单元包括第一偏置单元、第二偏置单元以及第三偏置单元，所述第一偏置单元用于限制所述输入单元的漏级电位，所述第二偏置单元用于限制第一偏置单元的漏级电位，所述第三偏置单元用于提供所述负载单元的栅极控制电源；
其中，所述电平移位电路用于将第一信号转化成第二信号，所述第二信号的电压大于所述第一信号的电压，。


2.如权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于，
所述输入单元包括：
第一开关管以及第二开关管，所述第一开关管和所述第二开关管的基板及源级均连接至接地电压信号，所述第一开关管和所述第二开关管的栅极连接分别连接至输入信号和反向输入信号；
所述多个偏置单元包括：
第三开关管和第四开关管，所述第三开关管和所述第四开关管的基板均连接至接地电压信号，所述第三开关管和所述第四开关管的源级分别连接至所述第一开关管和所述第二开关管的漏级，所述第三开关管和所述第四开关管的栅极均连接至第一偏置电压信号；
第五开关管和第六开关管，所述第五开关管和所述第六开关管的基板均连接至接地电压信号，所述第五开关管和所述第六开关管的源级分别连接至所述第三开关管和所述第四开关管的漏级，所述第五开关管和所述第六开关管的栅极均连接至第二偏置电压信号；
第七开关管和第八开关管，所述第七开关管和所述第八开关管的基板均连接至电源电压信号，所述第七开关管和所述第八开关管的漏级分别连接至所述第五开关管和所述第六开关管的漏极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李臻，南帐镇，
申请(专利权)人：北京奕斯伟计算技术有限公司，合肥奕斯伟集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11