电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体技术

本发明专利技术能够提供一种电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体，所述电子器件层叠体的制造方法中，在用阻气膜密封有机EL器件等电子器件时，能够减小粘接剂层的厚度以防止元件的劣化且能够制作高挠性的电子器件层叠体。所述电子器件层叠体的制造方法包括：准备阻气膜的工序，所述阻气膜具有：依次具有热熔接层、无机层及有机层的密封层及在密封层的有机层侧以能够从密封层剥离的方式层叠的基板；热压接工序，使热熔接层侧朝向元件形成面侧而将阻气膜进行加热及加压而压接于电子器件的具有凹凸的元件形成面上；及剥离工序，从密封层剥离基板，无机层的厚度为100nm以下，热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体
本专利技术涉及一种电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体。
技术介绍
有机EL(电致发光)材料对水分非常弱。因此，通常已知在使用了有机EL材料的有机EL器件中，用具有阻气性的钝化膜密封有机EL元件。并且，作为钝化膜的形成材料，例示有显现阻气性的氮化硅、氧化硅及氧氮化硅等无机材料。然而，由于有机EL材料不耐于热，因此钝化膜必须以低能量形成，以免在形成钝化膜时对有机EL材料造成损伤。因此，为了用钝化膜获得充分的阻气性，需要制成厚的钝化膜、或者形成多层钝化膜。然而，若加厚钝化膜或者形成多层钝化膜，则会导致柔性差。相对于此，提出了使用了高阻气性能的粘接剂的密封方法。使用高阻气性能的粘接剂的方法比用钝化膜的密封更灵活。然而，在使粘接剂层本身具有阻气性的结构中，阻气性低于具有无机层作为阻气层的结构，因此在用于要求窄边框化的显示器等的有机EL器件中无法充分地保护有机EL元件而导致有机EL元件劣化。并且，有可能由于粘接剂中所含的水分及残余溶剂等的影响而导致有机EL元件劣化。并且，作为高柔性的有机EL器件的结构，提出了使用经由粘接剂(粘合剂)来贴合阻气膜的密封方法。使用阻气膜的方法中，在与有机EL元件不同的基板上形成显现阻气性的氮化硅、氧化硅及氧氮化硅等的无机层，因此能够以高能量形成无机层，因此能够形成薄且具有高阻气性的无机层。因此，关于通过使用阻气膜密封有机EL元件的方法制作的有机EL器件，能够制成比通过用钝化膜密封有机EL元件的方法制作的有机EL器件柔性优异的有机EL器件。因此，通过与使用树脂薄膜作为元件基板的结构组合，能够制成具有柔性的有机EL显示器及形成为三维曲面的有机EL器件。并且，使用阻气膜的方法中，生产率也比利用钝化膜的密封优异。例如，在专利文献1中记载了一种有机EL层叠体，其是通过粘接剂来将具有使用有机EL材料的发光元件及覆盖该发光元件的钝化膜的有机EL器件与透明的密封基板进行粘接而成，所述有机EL层叠体中，有机EL器件为朝向密封基板侧进行发光的顶部发光型，密封基板为在支撑体上具有1个以上的无机膜与成为该无机膜的基底的有机膜的组合的、表层为无机膜的阻气膜，使钝化膜与表层的无机膜对置而通过粘接剂来将有机EL器件与阻气膜进行粘接，粘接剂填充于钝化膜与表层的无机膜之间的整个区域中，进而，有机EL器件的端部中的、钝化膜与表层的无机膜之间的间隙比发光元件的位置上的、钝化膜与表层的无机膜之间的间隙窄。并且，在专利文献2中记载了一种阻气膜，其具有：基板；阻气层，设置于基板的一个面的、具有1个以上的无机层及成为无机层的形成面的有机层的组合；及剥离有机层，设置于基板与阻气层之间，且与有机层粘附，并且用于从基板剥离。在专利文献2中记载了将阻气层从该阻气膜经由粘接层而转印到有机EL元件上并进行密封。以往技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-186850号公报专利文献2：日本特开2017-043062号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题然而，在经由粘接剂贴合阻气膜的密封方法中，水分从粘接剂层的端面侵入成为问题。相对于此，在专利文献1中记载了：通过使端部中的粘接剂层的厚度(钝化膜与无机膜之间的间隙)比发光元件(有机EL元件)的位置上的厚度(钝化膜与无机膜之间的间隙)窄来抑制水分从粘接剂层的端面侵入。然而，专利文献1中所记载的贴合方法中，即使粘接剂层的厚度薄，也只能设为1μm左右，因此为了抑制由于从粘接剂层的端面侵入的水分而使有机EL元件劣化，需要设置阻气性高的钝化膜。因此，与仅具有钝化膜的结构相比，能够减小钝化膜的厚度，但是需要一定程度的厚度而难以获得更高的挠性。并且，若粘接剂层厚，则有可能由于粘接剂中所含的水分及残余溶剂等的影响而导致有机EL元件劣化。并且，即使在使用如专利文献2中所记载的转印型阻气膜的情况下，也具有与专利文献1相同的问题。如上所述，为了抑制水分从粘接剂层的端面侵入，需要减小端面上的粘接剂层的厚度。并且，为了抑制粘接剂中所含的水分及残余溶剂等的影响，也需要进一步减小粘接剂层的厚度。然而，在有机EL器件中，有机EL元件在元件基板上排列多个而形成，且有机EL器件的表面具有凹凸。在用阻气膜密封有机EL器件时，用阻气膜覆盖多个有机EL元件而进行密封。因此，对于具有凹凸的表面，需要将有机EL器件与阻气膜之间的间隙(粘接剂层的厚度)控制为更薄而贴合阻气膜，但是难以将贴合时的粘接剂层的厚度控制为薄。在专利文献1及专利文献2中未记载关于在将阻气膜贴合于这样的具有凹凸的表面上时，能够减小粘接剂层的厚度的贴合方法。本专利技术的课题在于解决这样的问题，且提供一种电子器件层叠体的制造方法及电子器件层叠体，所述电子器件层叠体的制造方法中，在用阻气膜密封有机EL器件等电子器件时，能够减小粘接剂层的厚度以防止元件的劣化且能够制作高挠性的电子器件层叠体。用于解决技术课题的手段本专利技术通过以下结构来解决课题。[1]一种电子器件层叠体的制造方法，其包括：准备阻气膜的工序，所述阻气膜具有：依次具有热熔接层、无机层及有机层的密封层及在密封层的有机层侧以能够从密封层剥离的方式层叠的基板；热压接工序，使热熔接层侧朝向元件形成面侧而将阻气膜进行加热及加压而压接于电子器件的具有凹凸的元件形成面上；及剥离工序，从密封层剥离基板，无机层的厚度为100nm以下，热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃。[2]根据[1]所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，在热压接工序中，调节加热温度和所加压的压力，以使热压接后的、端部中的无机层与电子器件之间的距离小于100nm。[3]根据[1]或[2]所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，电子器件为有机电致发光器件。[4]根据[1]至[3]中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，在热压接工序中，使用辊进行对阻气膜的加热及加压。[5]根据[1]至[4]中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，在热压接工序中，从基板侧进行加热。[6]根据[5]所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，在热压接工序中，从电子器件侧进行加热。[7]根据[6]所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，基板侧的加热温度高于电子器件侧的加热温度。[8]根据[1]至[7]中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，基板为三乙酰纤维素薄膜。[9]根据[1]至[8]中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，基板的厚度为0.1μm～100μm。[10]一种电子器件层叠体，其具有：电子器件，元件形成面具有凹凸；及转印层，依次具有层叠于元件形成面上的热熔接层、无机层及有机层，无机层的厚度为100nm以下，热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子器件层叠体的制造方法，其包括：/n准备阻气膜的工序，所述阻气膜具有密封层和基板，该密封层是依次具有热熔接层、无机层及有机层的密封层，该基板是在所述密封层的所述有机层侧以能够从所述密封层剥离的方式层叠的基板；/n热压接工序，使所述热熔接层侧朝向下述元件形成面侧而将所述阻气膜进行加热及加压而压接于电子器件的具有凹凸的元件形成面上；及/n剥离工序，从所述密封层剥离所述基板，/n所述无机层的厚度为100nm以下，/n所述热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180927 JP 2018-1819721.一种电子器件层叠体的制造方法，其包括：
准备阻气膜的工序，所述阻气膜具有密封层和基板，该密封层是依次具有热熔接层、无机层及有机层的密封层，该基板是在所述密封层的所述有机层侧以能够从所述密封层剥离的方式层叠的基板；
热压接工序，使所述热熔接层侧朝向下述元件形成面侧而将所述阻气膜进行加热及加压而压接于电子器件的具有凹凸的元件形成面上；及
剥离工序，从所述密封层剥离所述基板，
所述无机层的厚度为100nm以下，
所述热熔接层的玻璃化转变温度为20℃～180℃。


2.根据权利要求1所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
在所述热压接工序中，调节加热温度和所加压的压力，以使热压接后的、端部中的所述无机层与所述电子器件之间的距离小于100nm。


3.根据权利要求1或2所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
所述电子器件为有机电致发光器件。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子器件层叠体的制造方法，其中，
在所述热压接工序中，使用辊进行对所述阻气膜的加热及加压。


5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩濑英二郎，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP