一种蒸发源离子轰击刻蚀装置制造方法及图纸

技术编号:28376565 阅读:34 留言:0更新日期:2021-05-08 00:04
本实用新型专利技术涉及公开了一种蒸发源离子轰击刻蚀装置,其包括真空室,真空室后侧固定连接蒸发源,蒸发源前端面与真空室内部连通,蒸发源旁边设置有在真空室外部的弧电源,弧电源负极和蒸发源通过电线电性连接,蒸发源的前端面上固定连接Ti靶,Ti靶前侧设置挡板,挡板在真空室内,挡板转动连接在真空室右端面上,挡板前侧间隔设置有水冷阳极,水冷阳极在真空室内,弧电源正极和水冷阳极通过电线电性连接,水冷阳极前侧间隔设置工作转架,工作转架在真空室内,工作转架转动连接在真空室左端面上,真空室外部设置有偏压电源且偏压电源正极和真空室通过电线电性连接,偏压电源负极和工作转架通过电线电性连接,本发明专利技术具有快速对材料表面清洗刻蚀的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种蒸发源离子轰击刻蚀装置
本技术涉及材料表面清洗刻蚀的
,尤其是涉及一种蒸发源离子轰击刻蚀装置。
技术介绍
目前随着对材料的要求提高,诞生了很多的材料表面处理的技术,越来越多的材料需要通过表面涂层或者渗碳等技术手段来提高材料的耐磨性,耐热性,抗冲击性能的等,在材料涂层之前需要进行表面清洗刻蚀,传统使用辉光放电的方法对材料表面进行清洗刻蚀,其清洗刻蚀的质量直接决定了涂层的质量。在公告号CN111081609A的中国专利技术专利公开了一种新型环保真空离子镀膜自动化生产线。它包括清洗刻蚀液供给装置、清洗刻蚀槽、溢流装置、第一供液管、第二供液管、固废收集装置、第一固废收集管、第二固废收集管、布流板、供液装置、供液泵、气泡发生器、回液槽、回液管、热液供应装置、水浴管、供液槽、第一出液端部、第二出液端部、加热装置、液体槽。上述现有技术方案存在以下缺陷:清洗刻蚀设备复杂,操作难度高清洗刻蚀速度慢。针对上述技术需要设计一种结构简单、清洗刻蚀速度快的设备。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足,本技术的目的是提供一种蒸发源离子轰击刻蚀装置,其具有快速对材料进行表面清洗刻蚀、涂层的功能。本技术的上述专利技术目的是通过以下技术方案实现的:一种蒸发源离子轰击刻蚀装置,包括真空室,所述真空室后侧固定设置有蒸发源,所述蒸发源前端面与真空室内部连通,所述蒸发源后侧间隔设置有一个弧电源,所述弧电源负极与蒸发源通过电线电性连接,所述蒸发源的前端面上固定连接Ti靶,所述Ti靶在真空室内部,所述Ti靶前侧间隔设置有挡板,所述挡板在真空室内,所述挡板固定连接在真空室右端面上,所述挡板前侧间隔设置有水冷阳极,所述水冷阳极在真空室内,所述水冷阳极固定连接在真空室左端面内壁上,所述弧电源正极与水冷阳极通过电线电性连接,所述水冷阳极前侧间隔设置有工作转架,所述工作转架在真空室内,所述工作转架固定连接在真空室左端面上,所述真空室前侧外部设置有偏压电源且偏压电源正极与真空室通过电线电性连接,偏压电源负极与工作转架通过电线电性连接。进一步的,所述弧电源的正极还与真空室通过电线电性连接。进一步的,所述挡板是第一板条和第二板条组成的L板,所述第二板条一的端固定连接位于Ti靶和水冷阳极中间且垂直于真空室右端面的第一板条,所述第二板条的另一端固定连接垂直于真空室右端面的第一圆杆,所述第一圆杆穿设在真空室右端面中间位置。进一步的,所述水冷阳极内部有冷却水路,所述冷却水路的进水口和出水口位于水冷阳极的同一侧。进一步的,所述工作转架是由四根横杆组成的一个矩形框架,所述工作转架左端面与真空室左端面平行,所述工作转架左端面与真空室左侧内壁有间隔,所述工作转架的左端面上固定连接第二圆杆,所述圆杆在工作转架左端面中间,所述第二圆杆与工作转架左端面垂直,所述第二圆杆穿设在真空室左端面上。进一步的,在所述第二圆杆位于真空室的左端面外侧的部分上套设有第一齿轮;所述真空室左端面外壁上固定设置一个电机,所述电机转动杆上套设有第二齿轮,第二齿轮与第一齿轮啮合。综上所述,本技术包括以下至少一种有益技术效果。1.本方案使用时弧电源负极与蒸发源通过电线电性连接,弧电源在正极与水冷阳极通过电线电性连接,弧电源工作,蒸发源蒸发固定在其上面的Ti靶,Ti靶会释放Ti离子,Ti离子直线运动,被Ti靶与水冷阳极之间的挡板拦截,蒸发源在释放Ti离子的同时释放出电子,电子带负电荷且水冷阳极带正电荷,所以电子会绕过Ti靶与水冷阳极之间的挡板向水冷阳极运动,挡板和水冷阳极之间有氩气,电子在运动过程中撞击氩气,会电离氩气产生氩离子,氩离子带正电荷,工件转架在偏压电源的作用下是负偏压,氩离子在负偏压的作用下继续向被工作转架固定连接的工件运动,轰击工件表面,可以对工件表面进行清洗刻蚀。2.本方案通过设置的可以转动的挡板,本方案可以同时具有金属离子轰击和表面涂层的技术效果。附图说明图1是本实施例的立体示意图。图2是本实施例的俯视图。图3是本实施例的A-A面的截面示意图。图4是本实施例的B-B截面示意图。图5是本实施例的的挡板和第一圆杆的立体示意图。图6是本实施例的弧电源、蒸发源、Ti靶、水冷阳极、工作转架、挡板、偏压电源的立体结构示意图。图中,1、弧电源。2、偏压电源。3、真空室。6、蒸发源。7、Ti靶。8、第二齿轮。9、第一齿轮。10、挡板。11、水冷阳极。12、支撑板。13、第一板条。14、第二板条。30、工作转架。35、第二圆杆。37、电机。50、第一圆杆。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一个实施例,不是全部的实施例。本实施例的实施原理为:参照图1和图2、图3、图4、图5所示,为本实施例公布的一种蒸发源离子轰击刻蚀装置,包括真空室3,真空室3后侧固定连接有一个蒸发源6,蒸发源6前端面与真空室3内部连通,蒸发源6后侧间隔设置有一个弧电源1,蒸发源6与弧电源1负极通过电线电性连接,蒸发源6的前端面上固定设置有Ti靶7,Ti靶7在真空室3内部,Ti靶7前侧间隔设置有一个挡板10,挡板10挡板是由第一板条13和第二板条14组成的L板,第二板条14的一端固定连接位于Ti靶7和水冷阳极11中间且垂直于真空室3右端面的第一板条13,第二板条14另一端固定连接垂直于真空室3右端面的第一圆杆50,所述第一圆杆50穿设在真空室3右端面中间位置,在第一圆杆50转动的时候可以带动挡板10在真空室3内转动,真空室3内部设有工作转架30,工作转架30通过第二圆杆35穿设在真空室3的左端面上,工作转架30与挡板10之间设置有水冷阳极11,水冷阳极11与弧电源1正极通过电线电性连接且弧电源还与真空室3通过电线电性连接,真空室3前侧间隔设置有偏压电源2且偏压电源2正极与真空室3通过电线电性连接,偏压电源2负极与工作转架30通过电线电性连接。综上所述,Ti靶7、挡板10、水冷阳极11和工作转架30在真空室3内部空间中由真空室3内壁向真空室3中心方向依次间隔分布。打开弧电源1的开关,断开弧电源1与真空室3之间的连接电线,蒸发源6和水冷阳极11开始工作,蒸发源6蒸发Ti靶7使Ti靶7释放出Ti离子且同时释放出电子,Ti离子直线运动,会被挡板10拦截,因为电子带负电荷且水冷阳极带11正电荷,所以电子会在水冷阳极11的作用下绕过挡板向水冷阳极11移动,在Ti靶7与水冷阳极11之间有一块挡板10,挡板10和水冷阳极11之间有氩气,电子在水冷阳极11的作用下移动撞击到挡板10上,然后在水冷阳极11的作用下绕过挡板10向水冷阳极11移动,因为水冷阳极11与挡板10之间有氩气,所以电子在挡板10与水冷阳极11之间运动的时候会电离氩气产生带正电荷的氩离子,氩离子在偏压电源2的作用下继续运动到达工件表面,可以对工件表面进行清洗刻蚀。如图5所示,本实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蒸发源离子轰击刻蚀装置,包括真空室(3),其特征在于:所述真空室(3)后侧固定连接蒸发源(6),所述蒸发源(6)前端面与真空室(3)内部连通,所述蒸发源(6)旁边设置有一个位于真空室(3)外部的弧电源(1),所述弧电源(1)负极和蒸发源(6)通过电线电性连接,所述蒸发源(6)的前端面上固定连接Ti靶(7),所述Ti靶(7)在真空室(3)内,所述Ti靶(7)前侧间隔设置有挡板(10),所述挡板(10)在真空室(3)内,所述挡板(10)转动连接在真空室(3)右端面上,所述挡板(10)前侧间隔设置有水冷阳极(11),所述水冷阳极(11)在真空室(3)内,所述水冷阳极(11)固定连接在真空室(3)左端面内壁上,所述弧电源(1)正极和水冷阳极(11)通过电线电性连接,所述水冷阳极(11)前侧间隔设置有工作转架(30),所述工作转架(30)在真空室(3)内,所述工作转架(30)转动连接在真空室(3)左端面上,所述真空室(3)外部设置有偏压电源(2)且偏压电源(2)正极和真空室(3)通过电线电性连接,偏压电源(2)负极和工作转架(30)通过电线电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种蒸发源离子轰击刻蚀装置,包括真空室(3),其特征在于:所述真空室(3)后侧固定连接蒸发源(6),所述蒸发源(6)前端面与真空室(3)内部连通,所述蒸发源(6)旁边设置有一个位于真空室(3)外部的弧电源(1),所述弧电源(1)负极和蒸发源(6)通过电线电性连接,所述蒸发源(6)的前端面上固定连接Ti靶(7),所述Ti靶(7)在真空室(3)内,所述Ti靶(7)前侧间隔设置有挡板(10),所述挡板(10)在真空室(3)内,所述挡板(10)转动连接在真空室(3)右端面上,所述挡板(10)前侧间隔设置有水冷阳极(11),所述水冷阳极(11)在真空室(3)内,所述水冷阳极(11)固定连接在真空室(3)左端面内壁上,所述弧电源(1)正极和水冷阳极(11)通过电线电性连接,所述水冷阳极(11)前侧间隔设置有工作转架(30),所述工作转架(30)在真空室(3)内,所述工作转架(30)转动连接在真空室(3)左端面上,所述真空室(3)外部设置有偏压电源(2)且偏压电源(2)正极和真空室(3)通过电线电性连接,偏压电源(2)负极和工作转架(30)通过电线电性连接。


2.根据权利要求1所述的一种蒸发源离子轰击刻蚀装置,其特征在于:所述弧电源(1)的正极和真空室(3)通过电线电性连接。


3.根据权利要求1所述的一种蒸发源离子轰击刻蚀装置,其特征在于:所述挡板(10)是第一板条(13)...

【专利技术属性】
技术研发人员:卢国英石昌仑兰睿
申请(专利权)人:常州夸克涂层科技有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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