降低闪存设备trim消耗的方法、装置及介质制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种降低闪存设备trim消耗的方法、装置及介质的技术方案，包括：对闪存设备接收的trim命令的进行解析，得到trim命令长度；对比trim命令长度和设定阈值，若trim命令长度小于设定阈值则执行第一trim处理方法，若trim命令长度大于等于设定阈值则执行第二trim处理方法；其中，所述第一trim处理方法通过对将要执行trim的逻辑地址写入特定数据进行trim处理；其中所述第二trim处理方法为在逻辑映射表中删除要执行trim的逻辑地址的映射关系。本发明专利技术的有益效果为：降低小文件trim命令的写入消耗，在实际使用过程中提升了NAND设备的性能和寿命。

【技术实现步骤摘要】
降低闪存设备trim消耗的方法、装置及介质
本专利技术涉及计算机存储设备领域，具体涉及了一种降低闪存设备trim消耗的方法、装置及介质。
技术介绍
NAND(闪存)设备提供了trim(或者discard、erase)机制，用户删除文件时，操作系统可以向NAND设备发送trim命令，经过trim的地址，永远无法读到trim之前存储的数据，即使经过掉电重启，这些地址的数据依然要保持无效。这就要求NAND设备每次处理trim命令时，都需要将处理后的结果存入NAND设备。对于小文件来说，采用unmap(删除映射关系)方式并且将map信息保存至NAND设备中，会造成过多的写入数据量，降低了NAND设备的寿命及性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供了一种降低闪存设备trim消耗的方法、装置及介质，针对不同的trim采用不同的处理方法，降低小文件trim命令的写入消耗。本专利技术的技术方案包括一种降低闪存设备trim消耗的方法，其特征在于，该方法包括：对闪存设备接收的trim命令的进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低闪存设备trim消耗的方法，其特征在于，该方法包括：/n对闪存设备接收的trim命令的进行解析，得到trim命令长度；/n对比trim命令长度和设定阈值，若所述trim命令长度小于设定阈值则执行第一trim处理方法，若所述trim命令长度大于等于设定阈值则执行第二trim处理方法；/n其中，所述第一trim处理方法通过对将要执行trim的逻辑地址写入特定数据进行trim处理；其中所述第二trim处理方法为在逻辑映射表中删除要执行trim的逻辑地址的映射关系。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低闪存设备trim消耗的方法，其特征在于，该方法包括：
对闪存设备接收的trim命令的进行解析，得到trim命令长度；
对比trim命令长度和设定阈值，若所述trim命令长度小于设定阈值则执行第一trim处理方法，若所述trim命令长度大于等于设定阈值则执行第二trim处理方法；
其中，所述第一trim处理方法通过对将要执行trim的逻辑地址写入特定数据进行trim处理；其中所述第二trim处理方法为在逻辑映射表中删除要执行trim的逻辑地址的映射关系。


2.根据权利要求1所述的降低闪存设备trim消耗的方法，其特征在于，所述设定阈值为N个扇区长度，其中N可自定义设置。


3.根据权利要求1所述的降低闪存设备trim消耗的方法，其特征在于，所述第一trim处理方法包括：
使用逻辑写接口对将要执行trim的逻辑地址写入特定的数据，并在逻辑映射表中删除要执...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾裕，
申请(专利权)人：珠海妙存科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44