可扩展的双列直插式内存模块制造技术

一种可扩展的双列直插式内存模块(DIMM)，包括：具有基本内存空间的动态随机存取存储器(DRAM)；耦合至DRAM的DIMM内存控制器；被配置成将DIMM耦合至计算装置的DIMM连接器的内存接口；以及第一扩展接口，其被配置成将所述DIMM耦合至具有第一远端内存空间的第一远端内存模块，其中DIMM内存控制器被配置成映射DIMM内存空间，所述DIMM内存空间包括DRAM的基本内存空间和所述第一远端内存模块的第一远端内存空间。当DIMM耦合至计算装置时，所述DIMM内存空间可通过所述内存接口被所述计算装置访问。

【技术实现步骤摘要】
可扩展的双列直插式内存模块
本申请涉及一种可扩展的内存，并且更具体地涉及一种用于可扩展的内存子系统的可扩展的内存双列直插式内存模块(DIMM)。
技术介绍
计算装置的内存通常受到物理空间约束的限制。例如，因为计算装置的主板上的空间有限，只有固定数量的内存DIMM的插槽/槽可容纳在主板上。一旦所有内存DIMM插槽/槽的每一个均已插入一个内存DIMM，则计算装置的内存子系统将被“扩展”至最大容量。因此，增加内存DIMM上的每个内存芯片的内存容量成了增加内存子系统容量的典型方案。然而，尽管后来出现具有更大内存容量的新生代的内存DIMM，计算装置可能不能够容纳异质类型的内存DIMM的混合。基本上，用户必须接收受限制的系统内存容量，并且相应地将就于低于计算装置的最佳计算性能的计算性能。
技术实现思路
根据一个方面，本公开提供一种可扩展的双列直插式内存模块(DIMM)，所述DIMM包括：动态随机存取存储器(DRAM)，所述DRAM具有基本内存空间；DIMM内存控制器，所述DIMM内存控制器耦合至所述DRAM；内存接口，所述内存接口被配置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可扩展的双列直插式内存模块(DIMM)，其特征在于，所述DIMM包括：/n动态随机存取存储器(DRAM)，所述DRAM具有基本内存空间；/nDIMM内存控制器，所述DIMM内存控制器耦合至所述DRAM；/n内存接口，所述内存接口被配置成将所述DIMM耦合至计算装置的DIMM连接器；以及/n第一扩展接口，所述第一扩展接口被配置成将所述DIMM耦合至第一远端内存模块，所述第一远端内存模块包括第一远端内存空间，其中DIMM内存控制器被配置成映射DIMM内存空间，所述DIMM内存空间包括所述DRAM的基本内存空间和所述第一远端内存模块的第一远端内存空间，其中当所述DIMM耦合至所述计算装置时，...

【技术特征摘要】
1.一种可扩展的双列直插式内存模块(DIMM)，其特征在于，所述DIMM包括：
动态随机存取存储器(DRAM)，所述DRAM具有基本内存空间；
DIMM内存控制器，所述DIMM内存控制器耦合至所述DRAM；
内存接口，所述内存接口被配置成将所述DIMM耦合至计算装置的DIMM连接器；以及
第一扩展接口，所述第一扩展接口被配置成将所述DIMM耦合至第一远端内存模块，所述第一远端内存模块包括第一远端内存空间，其中DIMM内存控制器被配置成映射DIMM内存空间，所述DIMM内存空间包括所述DRAM的基本内存空间和所述第一远端内存模块的第一远端内存空间，其中当所述DIMM耦合至所述计算装置时，所述DIMM内存空间可通过所述内存接口被所述计算装置访问。


2.如权利要求1所述的DIMM，其特征在于，所述DIMM内存控制器还被配置成使用第一地址映射到第二地址，其中所述第一地址被确定成所述DIMM内存空间内的地址，所述第二地址被确定成所述第一远端内存空间内的地址。


3.一种可扩展内存子系统，其特征在于，所述可扩展内存子系统包括：
如权利要求1所述的双列直插式内存模块(DIMM)；以及
第一远端内存模块，所述第一远端内存模块通过所述DIMM的第一扩展接口耦合至所述DIMM。


4.如权利要求3所述的可扩展内存子系统，其特征在于，所述第一远端内存模块还包括：
第一远端内存控制器，所述第一远端内存控制器被配置成界定第一远端内存空间，所述第一远端内存控制器还被配置成使用第二地址映射到第三地址，其中所述第二地址被确定成所述第一远端内存空间内的地址，并且其中所述第二地址由DIMM内存控制器从所述第一地址转换而成。


5.如权利要求4所述的可扩展内存子系统，其特征在于，所述DIMM内存控制器被配置成提供内存映射图，所述内存映射图由所述第一远端内存空间和所述基本内存空间聚合而成。


6.如权利要求3所述的可扩展内存子系统，其特征在于，所述可扩展内存子系统还包括：
第二远端内存模块，所述第二远端内存模块界定第二远端内存空间，所述第二远端内存模块通过第二扩展接口耦合至第一远端内存模块，其中所述第一远端内存模块还包括：
第一远端内存控制器，所述第一远端内存控制器被配置成使用第二地址映射到第三地址，其中所述第三地址被确定成所述第二远端内存空间内的地址，并且所述第二地址被确定成所述第一远端内存模块的第一远端内存空间内的地址，并且其中所述第二地址由DIMM内存控制器从所述第一地址转换而成。


7.如权利要求6所述的可扩展内存子系统，其特征在于，所述第一远端内存控制器被配置成提供内存映射图，所述内存映射图由所述第一远端内存空间和所述第二远端内存空间聚合而成。


8.一种可扩展的内存模块，其特征在于，所述内存模块包括：
动态随机存取存储器(DRAM)，所述DRAM包括DRAM内存空间；
非易失性内存(NVM)，所述NVM包括NVM内存空间；以及
内存控制器，所述内存控制器被配置成映射第一内存空间，所述第一内存空间包括DRAM内存空间和NVM内存空间，其中所述内存控制器还被配置成在第一内存空间内确定第一地址。


9.如权利要求8所述的内存模块，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢裕伟，陈柏嘉，张莉萍，夏代威，
申请(专利权)人：联想企业解决方案新加坡有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG