NFTL算法适配NAND Flash的方法、存储设备技术

本发明专利技术公开了NFTL算法适配NANDFlash的方法、存储设备，包括步骤：将写入NANDFlash的物理地址与NFTL算法计算得到的地址进行重映射，完成数据写入到NANDFlash的地址是连续的等。本发明专利技术能够让NFTL算法在MLC和TLCNANDFlash上适配，解决NFTL管理算法不能较好适配高工艺NANDFlash的问题，对开发高速存储设备具有实际意义，可广泛应用于存储设备的NANDFlash的管理等。

【技术实现步骤摘要】
NFTL算法适配NANDFlash的方法、存储设备
本专利技术涉及存储设备的NANDFlash的管理领域，更为具体的，涉及NFTL算法适配NANDFlash的方法、存储设备。
技术介绍
半导体行业的蓬勃发展，出现了高性能的存储器NANDFlash，NANDFlash存储器使用半导体作为存储设备，具有高速、低能耗和防震等优点，它被广泛应用到U盘，SD卡等便携式存储设备和现在最流行的固态硬盘当中。目前，NANDFlash分为了SLC、MLC以及TLC等几类。其中，SLC即Single-LevelCell，意味着每个存储单元只存放1bit信息，靠浮置闸里电子捕获状态的有或无来输出成数据(即使在0的状态浮置闸里其实还是有电子，但不多)，也就是最简单的0与1。MLC即Multi-LevelCell，意味着每个存储单元可存放2bit信息，浮置闸里电子的量会分为高、中、低与无四种状态，转换为二进制后变成00、01、10、11。TLC即Triple-LevelCell，更进一步将浮置闸里的电子捕获状态分成八种，换算成二进制的000、001、01本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.NFTL算法适配NAND Flash的方法，其特征在于，将写入NANDFlash的物理地址与NFTL算法计算得到的地址进行重映射，完成数据写入到NANDFlash的地址是连续的。/n

【技术特征摘要】
1.NFTL算法适配NANDFlash的方法，其特征在于，将写入NANDFlash的物理地址与NFTL算法计算得到的地址进行重映射，完成数据写入到NANDFlash的地址是连续的。


2.根据权利要求2所述的NFTL算法适配NANDFlash的方法，其特征在于，使用数据结构PAGE_REMAP记录写入NANDFlash的物理页号和记录NFTL算法通过计算得到的、需要写入NANDFlash之间的映射关系；所述数据结构PAGE_REMAP的空闲单元编号作为数据写入的页偏移量，空闲单元编号依次累加。


3.根据权利要求2所述的NFTL算法适配NANDFlash的方法，其特征在于，包括NFTL算法写入数据流程：
S1，NFTL算法根据主机下发的地址LOG_ADDR计算得到需要写入数据块逻辑地址LOG_BLOCK_ADDR以及页偏移量LOG_PAGE_OFFSET；
S2，NFTL算法查询块映射表，得到该LOG_BLOCK_ADDR对应的物理块地址PHY_BLOCK_ADDR；
S3，查询PHY_BLOCK_ADDR是否存在对应的PAGE_REMAP映射表；
S4，若没有，则构建PAGE_REMAP数据结构，查找PAGE_REMAP的空闲单元FREE_PAGE_NUM，往PHY_BLOCK_ADDR块的FREE_PAGE_NUM...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志奇，何欣霖，何卫国，
申请(专利权)人：成都三零嘉微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51