【技术实现步骤摘要】
一种基于有机溶液的柔性忆阻器及制备方法
本专利技术涉及微纳电子器件和非线性电路应用领域，尤其涉及一种基于有机溶液的柔性忆阻器及制备方法。
技术介绍
忆阻器，又名记忆电阻，被认为是电阻、电感和电容之外的第四种电路基本原件。被视为下一道非易失性存储器技术，能够实现0/1存储，具有高速、低功耗、易集成，以及与CMOS工艺兼并等优势，能够满足下一代高密度信息存储和高性能计算对通用型电子存储器的性能需求。1971年，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授(Leonchua)从物理量的对称性和完备性的角度考虑，预测该电路元件为第四种基本电路元件。2008年，惠普实验室首次在实验中构筑了实物忆阻器，证明了蔡少棠教授的预测，得到了科学界的广泛关注和认同。忆阻器实际就是一个具有电荷记忆功能的非线性电阻，并兼具密度高、尺寸小、功耗低、非易失性等特点，被认为是发展下一代新型非易失性存储技术的理想方案之一。随着惠普实验室的发现，各大科研究机构和高校也都纷纷投入对忆阻器的研究之中，成为信息、材料领域的研究热点。此外，忆阻器的阻变行为与生物体神经可塑性有着高度...
【技术保护点】
1.一种基于有机溶液的柔性忆阻器，其特征在于，包括正极、负极以及阻变介质，所述正极为金属，所述负极为碳，所述阻变介质为基于n-Bu
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种基于有机溶液的柔性忆阻器，其特征在于，包括正极、负极以及阻变介质，所述正极为金属，所述负极为碳，所述阻变介质为基于n-Bu4NPF6的乙腈(CH3CN)有机溶液，阻变介质作为P型半导体材料，在偏压下产生的空穴和电子作为载流子，通过空穴和电子迁移产生量的变化来引起器件电阻量的变化。
2.根据权利要求1所述的一种基于有机溶液的柔性忆阻器，其特征在于，所述正极采用的金属包括金Au、银Ag、铜Cu、铂Pt、铝Al、锌Zn中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的一种基于有机溶液的柔性忆阻器，其特征在于，所述负极采用碳纤维纸或玻碳电极。
4.根据权利要求1所述的一种基于有机溶液的柔性忆阻器，其特征在于，溶液中n-Bu4NPF6与乙腈CH3CN的摩尔比例为X:1，其中0<X<1。
5.根据权利要求1所述的一种基于有机溶液的柔性忆阻器，其特征在于，可密封容器选择柔性材料铝塑膜。
技术研发人员：郭梅，窦刚，刘建栋，
申请(专利权)人：山东科技大学，
类型：发明
国别省市：山东;37
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