主动元件制造技术

本发明专利技术公开了一种主动元件，包括基板、第一电极、第二电极、有机半导体层、绝缘层以及栅极。第一电极的第一侧壁面对第二电极的第一侧壁。第一电极的第二侧壁面对第二电极的第二侧壁。第一电极的第一侧壁与第二电极的第一侧壁之间的距离大于第一电极的第二侧壁与第二电极的第二侧壁之间的距离。有机半导体层填入第一电极与第二电极之间的间隙。有机半导体层接触第一电极的第一侧壁与第二侧壁以及第二电极的第一侧壁与第二侧壁。绝缘层覆盖有机半导体层。栅极位于绝缘层上。

【技术实现步骤摘要】
主动元件
本专利技术是有关于一种主动元件，且特别是有关于一种包括有机半导体层的主动元件。
技术介绍
由于有机薄膜晶体管(Organicthin-filmtransistor，OTFT)具轻薄、可挠性(Flexibility)、制程温度低等优点与特性，因此已广泛地应用于液晶显示器、有机发光显示器、电泳显示器等显示装置中。为了使显示装置能够有轻以及薄等优点，有机薄膜晶体管的尺寸越来越小。然而，在小尺寸的有机薄膜晶体管中，半导体通道层靠近电极的边缘处容易出现较难控制的边缘电流(fringecurrent)，导致薄膜晶体管出现漏电以及可靠度不足的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种主动元件，可以改善第一电极与第二电极之间的边缘电流对主动元件的可靠度所产生的影响。本专利技术的至少一实施例提供一种主动元件。主动元件包括基板、第一电极、第二电极、有机半导体层、绝缘层以及栅极。第一电极以及第二电极位于基板上。第一电极的第一侧壁面对第二电极的第一侧壁。第一电极的第二侧壁面对第二电极的第二侧壁。第一电极的第一侧壁与第二电极的第一侧壁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种主动元件，其特征在于，包括：/n一基板；/n一第一电极以及一第二电极，位于该基板上，其中该第一电极的第一侧壁面对该第二电极的第一侧壁，且该第一电极的第二侧壁面对该第二电极的第二侧壁，其中该第一电极的该第一侧壁与该第二电极的该第一侧壁之间的距离大于该第一电极的该第二侧壁与该第二电极的该第二侧壁之间的距离；/n一有机半导体层，覆盖该第一电极以及该第二电极，且填入该第一电极与该第二电极之间的间隙，且接触该第一电极的该第一侧壁、该第二电极的该第一侧壁、该第一电极的该第二侧壁与该第二电极的该第二侧壁；/n一绝缘层，覆盖该有机半导体层；以及/n一栅极，位于该绝缘层上。/n

【技术特征摘要】
20200421 TW 1091132321.一种主动元件，其特征在于，包括：
一基板；
一第一电极以及一第二电极，位于该基板上，其中该第一电极的第一侧壁面对该第二电极的第一侧壁，且该第一电极的第二侧壁面对该第二电极的第二侧壁，其中该第一电极的该第一侧壁与该第二电极的该第一侧壁之间的距离大于该第一电极的该第二侧壁与该第二电极的该第二侧壁之间的距离；
一有机半导体层，覆盖该第一电极以及该第二电极，且填入该第一电极与该第二电极之间的间隙，且接触该第一电极的该第一侧壁、该第二电极的该第一侧壁、该第一电极的该第二侧壁与该第二电极的该第二侧壁；
一绝缘层，覆盖该有机半导体层；以及
一栅极，位于该绝缘层上。


2.如权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该第一电极的该第一侧壁与该第二电极的该第一侧壁之间的距离为L1，该第二侧壁与该第二电极的该第二侧壁之间的距离为L2，L1与L2的差值介于2微米至10微米。


3.如权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该有机半导体层的材料包括多环芳族烃随机共聚物、聚乙炔、聚对苯二甲酰及其衍生物、聚苯二甲酰及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯硫酚及其衍生物、聚呋喃及其衍生物、聚苯胺及其衍生物或其他合适材料或以上材料的组合。


4.如权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该第一电极的该第一侧壁与该第二电极的该第一侧壁之间的距离介于5微米至30微米。


5.如权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该第一电极具有朝向该第二电极的凸块，且该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：许世华，陈维翰，陈敬文，赖颖辉，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71