主动元件制造技术

本发明专利技术公开了一种主动元件，包括基板、第一电极、第二电极、有机半导体层、绝缘层以及栅极。第一电极的第一侧壁面对第二电极的第一侧壁。第一电极的第二侧壁面对第二电极的第二侧壁。第一电极的第一侧壁与第二电极的第一侧壁之间的距离大于第一电极的第二侧壁与第二电极的第二侧壁之间的距离。有机半导体层填入第一电极与第二电极之间的间隙。有机半导体层接触第一电极的第一侧壁与第二侧壁以及第二电极的第一侧壁与第二侧壁。绝缘层覆盖有机半导体层。栅极位于绝缘层上。

【技术实现步骤摘要】
主动元件
本专利技术是有关于一种主动元件，且特别是有关于一种包括有机半导体层的主动元件。
技术介绍
由于有机薄膜晶体管(Organicthin-filmtransistor，OTFT)具轻薄、可挠性(Flexibility)、制程温度低等优点与特性，因此已广泛地应用于液晶显示器、有机发光显示器、电泳显示器等显示装置中。为了使显示装置能够有轻以及薄等优点，有机薄膜晶体管的尺寸越来越小。然而，在小尺寸的有机薄膜晶体管中，半导体通道层靠近电极的边缘处容易出现较难控制的边缘电流(fringecurrent)，导致薄膜晶体管出现漏电以及可靠度不足的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种主动元件，可以改善第一电极与第二电极之间的边缘电流对主动元件的可靠度所产生的影响。本专利技术的至少一实施例提供一种主动元件。主动元件包括基板、第一电极、第二电极、有机半导体层、绝缘层以及栅极。第一电极以及第二电极位于基板上。第一电极的第一侧壁面对第二电极的第一侧壁。第一电极的第二侧壁面对第二电极的第二侧壁。第一电极的第一侧壁与第二电极的第一侧壁之间的距离大于第一电极的第二侧壁与第二电极的第二侧壁之间的距离。有机半导体层覆盖第一电极以及第二电极。有机半导体层填入第一电极与第二电极之间的间隙。有机半导体层接触第一电极的第一侧壁、第二电极的第一侧壁、第一电极的第二侧壁与第二电极的第二侧壁。绝缘层覆盖有机半导体层。栅极位于绝缘层上。本专利技术的至少一实施例提供一种主动元件。主动元件包括基板、第一电极、第二电极、有机半导体层、绝缘层以及栅极。第一电极以及第二电极位于基板上。第一电极的第一侧壁面对第二电极的第一侧壁。第一电极的第二侧壁面对第二电极的第二侧壁。第一电极的第一侧壁与第二电极的第一侧壁之间的距离大于第一电极的第二侧壁与第二电极的第二侧壁之间的距离。有机半导体层覆盖第一电极以及第二电极。有机半导体层填入第一电极与第二电极之间的间隙。有机半导体层于第一电极的第一侧壁的法线方向上以及第一电极的第二侧壁的法线方向上重叠于第一电极。有机半导体层于第二电极的第一侧壁的法线方向上以及第二电极的第二侧壁的法线方向上重叠于第二电极。绝缘层覆盖有机半导体层。栅极位于绝缘层上。附图说明图1A至图6A是本专利技术的一实施例的一种主动元件的制造方法的上视示意图。图1B至图6B分别是图1A至图6A的线A-A’与B-B’的剖面示意图。图7是本专利技术的一实施例的一种主动元件的上视示意图。图8是本专利技术的一实施例的一种主动元件的上视示意图。其中，附图标记：10、20、30:主动元件100:基板110:缓冲层120:转接电极130:第一导电层132:第一电极134:第二电极136:数据线140:半导体材料层140’:有机半导体层142:通道区150:第一绝缘材料层150’:第一绝缘层160:第二绝缘层170:第二导电层172:栅极174:扫描线176:电容电极180:保护层190:像素电极D1、E1、E2:方向GP:间隙H1、H2:开口L1、L2、L3:距离L4:长度S1a、S1b:第一侧壁S2a、S2b:第二侧壁S3a、S3b:第三侧壁具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。图1A至图6A是本专利技术的一实施例的一种主动元件的制造方法的上视示意图。图1B至图6B分别是图1A至图6A的线A-A’与B-B’的剖面示意图。为方便说明，图1B省略绘示了缓冲层110以及第一绝缘材料层150。请参考图1A与图1B，形成缓冲层110于基板100上。基板100为金属基板、玻璃基板或是可挠性基板。当基板100为可挠性基板时，其材料包括可挠性的材料(例如括聚酰胺(Polyamide，PA)聚亚酰胺(Polyimide，PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methylmethacrylate)，PMMA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、玻璃纤维强化塑胶(fiberreinforcedplastics，FRP)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、环氧树脂或其它合适的材料或前述至少二种的组合)，但不限于此。缓冲层110例如为单层或多层结构，其材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其他合适的材料或两种以上的材料的组合。在一些实施例中，缓冲层110可作为阻水阻气层。选择性地形成转接电极120于基板100上。在本实施例中，形成转接电极120于缓冲层110上。转接电极120的材质例如可包括抗氧化的材料，例如包括金属(例如钛、钼、钨、金、铂、铬、镍、钯、钴的其中至少一者、上述材料的复合层、或上述材料的合金)或金属氧化物材料(例如铟锡氧化物、铟锌氧化物、掺氟的氧化铟)或金属氮化物导电材料(例如氮化钛或氮化钼)或上述材料的组合。形成第一导电层130于基板100上。在本实施例中，形成第一导电层130于缓冲层110以及转接电极120上。第一导电层130包括第一电极132、第二电极134以及数据线136，其中数据线136连接第一电极132，且第二电极134覆盖部分转接电极120。第一导电层130为单层或多层结构。基于导电性的考量，第一导电层130一般是使用金属材料，但本专利技术不以此为限。在其他实施例中，第一导电层130可以使用银或非银的导电材料，例如：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物或其它合适的材料或是金属材料与其它导材料的堆叠层。形成半导体材料层140于第一导电层130以及转接电极120上。半导体材料层140包覆第一电极132、第二电极134、数据线136以及转接电极120。在一些实施例中，半导体材料层140的材料包括多环芳族烃随机共聚物(例如苯并硫属元素杂环戊烯并苯并硫属元素杂环戊烯单体单元、茀单体单元或三芳基胺单体单元)、聚乙炔、聚对苯二甲酰及其衍生物、聚苯二甲酰及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯硫酚及其衍生物、聚呋喃及其衍生物、聚苯胺及其衍生物或其他合适材料或以上材料的组合。在一些实施例中，半导体材料层140包括以下列化合物中的至少一者：2,7-二溴[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩、2,7-双[(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧杂环戊硼烷-2-基)]-9,9-二-正辛基茀以及2-(4-(二苯基胺基)苯基)-2-甲基丙腈。形成第一绝缘材料层150于半导体材料层140上。第一绝缘材料层150为单层或多层结构，且第一绝缘材料层150的材料例如包括氟聚合物(如CytopTM系列的含氟聚合物、TeflonAFTM系列的含氟聚合物或以上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种主动元件，其特征在于，包括：/n一基板；/n一第一电极以及一第二电极，位于该基板上，其中该第一电极的第一侧壁面对该第二电极的第一侧壁，且该第一电极的第二侧壁面对该第二电极的第二侧壁，其中该第一电极的该第一侧壁与该第二电极的该第一侧壁之间的距离大于该第一电极的该第二侧壁与该第二电极的该第二侧壁之间的距离；/n一有机半导体层，覆盖该第一电极以及该第二电极，且填入该第一电极与该第二电极之间的间隙，且接触该第一电极的该第一侧壁、该第二电极的该第一侧壁、该第一电极的该第二侧壁与该第二电极的该第二侧壁；/n一绝缘层，覆盖该有机半导体层；以及/n一栅极，位于该绝缘层上。/n

【技术特征摘要】
20200421 TW 1091132321.一种主动元件，其特征在于，包括：
一基板；
一第一电极以及一第二电极，位于该基板上，其中该第一电极的第一侧壁面对该第二电极的第一侧壁，且该第一电极的第二侧壁面对该第二电极的第二侧壁，其中该第一电极的该第一侧壁与该第二电极的该第一侧壁之间的距离大于该第一电极的该第二侧壁与该第二电极的该第二侧壁之间的距离；
一有机半导体层，覆盖该第一电极以及该第二电极，且填入该第一电极与该第二电极之间的间隙，且接触该第一电极的该第一侧壁、该第二电极的该第一侧壁、该第一电极的该第二侧壁与该第二电极的该第二侧壁；
一绝缘层，覆盖该有机半导体层；以及
一栅极，位于该绝缘层上。


2.如权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该第一电极的该第一侧壁与该第二电极的该第一侧壁之间的距离为L1，该第二侧壁与该第二电极的该第二侧壁之间的距离为L2，L1与L2的差值介于2微米至10微米。


3.如权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该有机半导体层的材料包括多环芳族烃随机共聚物、聚乙炔、聚对苯二甲酰及其衍生物、聚苯二甲酰及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、聚苯硫酚及其衍生物、聚呋喃及其衍生物、聚苯胺及其衍生物或其他合适材料或以上材料的组合。


4.如权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该第一电极的该第一侧壁与该第二电极的该第一侧壁之间的距离介于5微米至30微米。


5.如权利要求1所述的主动元件，其特征在于，该第一电极具有朝向该第二电极的凸块，且该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：许世华，陈维翰，陈敬文，赖颖辉，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71