半导体装置及电子设备制造方法及图纸

提供一种新颖的半导体装置。半导体装置包括在第一方向上延伸的结构体、在第二方向上延伸的第一导电体及第二导电体。结构体包括第三导电体、第一绝缘体、第一半导体以及第二绝缘体。在结构体与第一导电体交叉的第一交叉部，第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第二半导体以及第三绝缘体设置为同心状。在结构体与第二导电体交叉的第二交叉部，第一绝缘体、第一半导体、第二绝缘体、第四导电体以及第四绝缘体围绕第三导电体设置为同心状。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及电子设备
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置及电子设备。本专利技术的一个方式不限定于上述
本说明书等所公开的专利技术的
涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(compositionofmatter)。因此，具体而言，作为本说明书所公开的本专利技术的一个方式的
的例子可以举出半导体装置、显示装置、液晶显示装置、发光装置、蓄电装置、摄像装置、存储装置、信号处理装置、处理器、电子设备、系统、它们的驱动方法、它们的制造方法或它们的检查方法。
技术介绍
近年来，将中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)、存储装置、传感器等电子构件用于个人计算机、智能手机、数码相机等各种电子设备，并且在微型化及低功耗等各种方面上改良该电子构件。尤其是，上述电子设备等所利用的数据量增加，因此有存储容量较大的存储装置的需求。作为增加存储容量的方法，例如在专利文献1及专利文献2中公开了作为其沟道形成区域使用金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n在第一方向上延伸的结构体；/n在第二方向上延伸的第一导电体；以及/n在所述第二方向上延伸的第二导电体，/n其中，所述结构体包括：/n在所述第一方向上延伸的第三导电体；/n与所述第三导电体相邻的第一绝缘体；/n与所述第一绝缘体相邻的第一半导体；以及/n与所述第一半导体相邻的第二绝缘体，/n在所述结构体与所述第一导电体交叉的第一交叉部，所述半导体装置在所述结构体与所述第一导电体之间包括：/n与所述第二绝缘体相邻的第二半导体；以及/n与所述第二半导体相邻的第三绝缘体，/n在所述结构体与所述第二导电体交叉的第二交叉部，所述结构体包括：/n与所述第二绝缘体相邻的第四导电体；...

【技术特征摘要】
20191031 JP 2019-199005;20191111 JP 2019-203738;201.一种半导体装置，包括：
在第一方向上延伸的结构体；
在第二方向上延伸的第一导电体；以及
在所述第二方向上延伸的第二导电体，
其中，所述结构体包括：
在所述第一方向上延伸的第三导电体；
与所述第三导电体相邻的第一绝缘体；
与所述第一绝缘体相邻的第一半导体；以及
与所述第一半导体相邻的第二绝缘体，
在所述结构体与所述第一导电体交叉的第一交叉部，所述半导体装置在所述结构体与所述第一导电体之间包括：
与所述第二绝缘体相邻的第二半导体；以及
与所述第二半导体相邻的第三绝缘体，
在所述结构体与所述第二导电体交叉的第二交叉部，所述结构体包括：
与所述第二绝缘体相邻的第四导电体；以及
与所述第四导电体相邻的第四绝缘体，
在所述第一交叉部，所述第一绝缘体、所述第一半导体、所述第二绝缘体、所述第二半导体以及所述第三绝缘体围绕所述第三导电体设置为同心状，

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，木村肇，国武宽司，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP