图像传感器及其制造方法技术

图像传感器包括光敏电路区域、外围电路区域和阻光结构。所述光敏电路区域形成在半导体晶片中，并且包括多个光敏器件。所述外围电路区域形成在所述半导体晶片中。所述阻光结构设置在多个光敏器件中的一个或多个与所述外围电路区域之间。所述阻光结构被配置为阻止至少一部分光到达所述多个光敏器件中的一个或多个，其中漫射光来自所述外围电路区域。所述阻光结构包括与所述半导体晶片的材料不同的材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像传感器及其制造方法
本公开涉及半导体设计与制造领域，更具体地，涉及图像传感器及图像传感器的制造方法。
技术介绍
可以在标准半导体生产线上制造的图像传感器(例如互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器)被广泛用于消费电子、安全监控、工业自动化、人工智能、物联网等，用于图像数据的收集和组织，为后续处理和应用提供信息。
技术实现思路
根据本公开，提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括光敏电路区域、外围电路区域和阻光结构。所述光敏电路区域形成在半导体晶片中，并且包括多个光敏器件。所述外围电路区域形成在所述半导体晶片中。所述阻光结构设置在多个光敏器件中的一个或多个与所述外围电路区域之间。所述阻光结构被配置为阻止至少一部分漫射光到达所述多个光敏器件中的一个或多个。所述漫射光来自所述外围电路区域。所述阻光结构包括与所述半导体晶片的材料不同的材料。同样根据本公开，提供了一种制造图像传感器的方法。所述方法包括在半导体晶片中形成器件层，其中所述器件层包括光敏电路区域和外围电路区域，并且所述光敏电路区域包括多个光敏器件。所述方法还本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：/n光敏电路区域，形成在半导体晶片中并且包括多个光敏器件；/n外围电路区域，形成在所述半导体晶片中；以及/n阻光结构，位于一个或多个所述光敏器件与所述外围电路区域之间，所述阻光结构：/n被配置为阻止至少一部分漫射光到达一个或多个所述光敏器件，所述漫射光来自所述外围电路区域；以及/n包括与所述半导体晶片的材料不同的材料。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种图像传感器，包括：
光敏电路区域，形成在半导体晶片中并且包括多个光敏器件；
外围电路区域，形成在所述半导体晶片中；以及
阻光结构，位于一个或多个所述光敏器件与所述外围电路区域之间，所述阻光结构：
被配置为阻止至少一部分漫射光到达一个或多个所述光敏器件，所述漫射光来自所述外围电路区域；以及
包括与所述半导体晶片的材料不同的材料。


2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述阻光结构包括多个阻光元件。


3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述多个阻光元件包括1至10个阻光元件。


4.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述多个阻光元件并行布置。


5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，所述多个阻光元件中的两个相邻的阻光元件彼此间隔开大约1μm至大约20μm。


6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述阻光结构的宽度在大约0.1μm至大约2μm的范围内。


7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述光敏电路区域与所述阻光结构之间的距离在大约5μm至大约100μm的范围内。


8.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述阻光结构包围所述光敏电路区域。


9.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述阻光结构包括多个阻光子结构，每个阻光子结构包围所述多个光敏器件中的一个或多个。


10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中：
所述阻光结构包括反光结构；以及
所述反光结构的折射率低于所述外围电路区域的折射率。


11.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述阻光结构具有梯形形状。


12.根据权利要求11所述的图像传感器，其中，所述阻光结构的所述梯形形状包括在80度与90度之间的至少一个角度，所述至少一个角度是根据至少一个阻光结构的折射率与所述外围电路区域的折射率的比值来确定的。


13.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述反光结构包括二氧化硅、氮化硅、钨、氧化铪、或碳中的至少一种。


14.根据权利要求10所述的图像传感器，其中，所述反光结构包括多个层。


15.根据权利要求14所述的图像传感器，其中，所述多个层中的每一层包括二氧化硅、氮化硅、钨、氧化铪、或碳中的至少一种。


16.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述阻光结构包括吸光结构。


17.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述吸光结构的光吸收系数大于所述半导体晶片的光吸收系数。


18.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述吸光结构具有比所述半导体晶片更深的颜色。


19.根据权利要求18所述的图像传感器，其中，所述吸光结构具有黑色。


20.根据权利要求16所述的图像传感器，其中，所述吸光结构包括多个层。


21.根据权利要求1所述的图像传感器，
其中，所述光敏电路区域、所述外围电路区域和所述阻光结构在所述图像传感器的器件层中；
所述图像传感器还包括：
在所述器件层的第一侧面的互连线层；以及
在所述器件层的第二侧面的滤色器层，所述第二侧面与所述第一侧面相对。


22.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述漫射光在所述外围电路区域中生成。


23.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述漫射光穿过所述外围电路区域。


24.一种制造图像传感器的方法，包括：
在半导体晶片中形成器件层，所述器件层包括光敏电路区域和外围电路区域，所述光敏电路区域包括多个光敏器件；以及
在一个或多个所述光敏器件与所述外围电路区域之间的所述半导体晶片中形成阻光结构，所述阻光结构：
被配置为阻止至少一部分漫射光到达一个或多个所述光敏器件，所述漫射光来自所述外围电路区域；以及
包括与所述半导体晶片的第二材料不同的第一材料。


25.根据权利要求24所述的方法，其中，在所述半导体晶片中形成所述器件层包括在所述半导体晶片的侧面形成所述器件层。


26.根据权利要求25所述的方法，
其中，所述半导体品片的所述侧面是所述半导体晶片的第一侧面；
所述方法还包括：
在所述器件层上形成互连线层；
将支撑基板与所述互连线层结合；以及
使所述半导体晶片从所述半导体晶片的与所述第一侧面相...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐泽，
申请(专利权)人：深圳市大疆创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44