一种具有应变预置层结构的近红外LED及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种具有应变预置层结构的近红外LED及其制作方法，该近红外LED的外延片从衬底由下往上依次生长有N‑GaAs缓冲层、N‑GaInP腐蚀截止层、N‑GaAs接触层、N‑GaInP电极强化层、N‑AlxGa1‑xAs电流扩展层、N‑AlxGa1‑xAs限制层、N‑GaxIn1‑xP应变预置层、第一AlxGa1‑xAs Space层、有源层、第二AlxGa1‑xAs Space层、P‑AlxGa1‑xAs限制层、P‑AlxGa1‑xAs电流扩展层、P‑过渡层和P‑GaP接触层。本发明专利技术通过在传统结构中的N‑AlxGa1‑xAs限制层和第一AlxGa1‑xAs Space层之间插入一层N‑GaxIn1‑xP应变预置层，将第一AlxGa1‑xAs Space层的应变状态调为张应变，进而在一定程度上平衡InGaAs量子阱的压应变，抑制位错和裂纹的产生，提高了有源区的晶体质量。

【技术实现步骤摘要】
一种具有应变预置层结构的近红外LED及其制作方法
本专利技术涉及发光二极管
，具体是涉及一种具有应变预置层结构的近红外LED及其制作方法。
技术介绍
随着时代的发展，近红外光源从光通信领域逐渐开始应用于消费行业，比如在遥控、识别、检测感应等方面的应用越来越广泛。特别是随着人脸识别、3D成像、眼动追踪等新技术在手机和各种智能移动终端平台上的应用更是极大地推动了红外光源的普及。另外国家为了维护社会治安，打击违反犯罪，近些年也在大力推动建立天网监控系统，市场对安防监控设备的需求也在日益增加，这都将极大促进近红外LED的发展，同时对其性能也有着越来越高的要求。传统外延结构：GaAs衬底、N-GaAs缓冲层、N-GaInP腐蚀截止层、N-GaAs接触层、N-GaInP电极强化层、N-AlxGa1-xAs电流扩展层、N-AlxGa1-xAs限制层、第一AlxGa1-xAsSpace层、有源层、第二AlxGa1-xAsSpace层、P-AlxGa1-xAs限制层、P-AlxGa1-xAs电流扩展层、P-过渡层和P-GaP接触层。近红外L本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有应变预置层结构的近红外LED，包括外延片，其特征在于，所述外延片上由下而上依次为衬底、N-GaAs缓冲层、N-GaInP腐蚀截止层、N-GaAs接触层、N-GaInP电极强化层、N-AlxGa1-xAs电流扩展层、N-AlxGa1-xAs限制层、第一AlxGa1-xAs Space层、有源层、第二AlxGa1-xAs Space层、P-AlxGa1-xAs限制层、P-AlxGa1-xAs电流扩展层、P-过渡层和P-GaP接触层；/n所述N-AlxGa1-xAs限制层和所述第一AlxGa1-xAs Space层之间插有一层N-GaxIn1-xP应变预置层。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有应变预置层结构的近红外LED，包括外延片，其特征在于，所述外延片上由下而上依次为衬底、N-GaAs缓冲层、N-GaInP腐蚀截止层、N-GaAs接触层、N-GaInP电极强化层、N-AlxGa1-xAs电流扩展层、N-AlxGa1-xAs限制层、第一AlxGa1-xAsSpace层、有源层、第二AlxGa1-xAsSpace层、P-AlxGa1-xAs限制层、P-AlxGa1-xAs电流扩展层、P-过渡层和P-GaP接触层；
所述N-AlxGa1-xAs限制层和所述第一AlxGa1-xAsSpace层之间插有一层N-GaxIn1-xP应变预置层。


2.根据权利要求1所述的具有应变预置层结构的近红外LED的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.提供一衬底；
S2.在步骤S1所述衬底由下而上依次生长GaAs缓冲层、N-GaInP腐蚀截止层、N-GaAs接触层、N-GaInP电极强化层、N-AlxGa1-xAs电流扩展层和N-AlxGa1-xAs限制层；
S3.在步骤S2所述N-AlxGa1-xAs限制层上生长一层N-GaxIn1-xP应变预置层；
S4.在步骤S3所述N-GaxIn1-xP应变预置层上生长第一AlxGa1-xAsSpace层；
S5.在步骤S4所述第一AlxGa1-xAsSpace层上生长有源层；
S6.在步骤S5所述有源层上生长第二AlxGa1-xAsSpace层；
S7.在步骤S6所述第二AlxGa1-xAsSpace层上生长一层P-AlxGa1-xAs限制层；
S8.在步骤S7所述P-AlxGa1-xAs限制层上生长一层P-AlxGa1-xAs电流扩展层；
S9.在步骤S8所述P-AlxGa1-xAs电流扩展层上生长一层P-过渡层；
S10.在步骤S9所述P-过渡层上生长一层P-GaP接触层。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊欢，林晓珊，徐培强，潘彬，王向武，
申请(专利权)人：南昌凯捷半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36