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本发明提供一种具有应变预置层结构的近红外LED及其制作方法，该近红外LED的外延片从衬底由下往上依次生长有N‑GaAs缓冲层、N‑GaInP腐蚀截止层、N‑GaAs接触层、N‑GaInP电极强化层、N‑AlxGa1‑xAs电流扩展层、N‑A...
该专利属于南昌凯捷半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌凯捷半导体科技有限公司授权不得商用。

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