光刻机剂量均匀性的测量方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻机剂量均匀性的测试方法。该测试方法包括：上载待曝光掩模版，待曝光掩模版包括监控标记；采用待曝光掩模版进行焦面‑剂量矩阵曝光，获取不同焦距和曝光剂量下监控标记的套刻误差；确定焦距、曝光剂量与套刻误差之间的关系矩阵；根据关系矩阵确定曝光剂量作用区间；采用曝光剂量作用区间内的任意曝光剂量对待曝光掩模版进行焦距矩阵曝光；获取监控标记的实际套刻误差；根据关系矩阵以及实际套刻误差确定曝光场内各点的实际曝光剂量，以得到光刻机的剂量均匀性。本发明专利技术的技术方案可适应各种工况需求，也可排除焦面与像差的干扰，从而可准确测量光刻机的曝光剂量和剂量均匀性。

【技术实现步骤摘要】
光刻机剂量均匀性的测量方法
本专利技术实施例涉及光刻机
，尤其涉及一种光刻机剂量均匀性的测量方法。
技术介绍
光刻机的曝光剂量是指：在曝光过程中硅片单位面积上累积所接受的特定波长(或波长范围)的光能，即硅片面上照明光强对曝光时间的积分。在此基础上，剂量均匀性是指：光刻机在曝光场内，不同位置处的曝光剂量的控制精度。目前光刻机的剂量均匀性测试主要通过机器内部传感器实现。在光刻机中能够对剂量进行测试的探测器主要有两个，一个是属于照明分系统的，位于照明光路中，激光器自带的能量探测器(EnergyDetection，ED)；另一个是属于曝光分系统的，位于工件台上面的能量点探测器(EnergySpotSensor，ESS)。其中，ED主要是用于检测激光器的脉冲能量大小，而ESS可以直接对于扫描光强和积分光强进行探测，通过后续操作，实现剂量的复现。通常，影响剂量均匀性的因素十分复杂。光刻机剂量系统性能低和剂量精度差均会造成剂量均匀性差。剂量系统性能包括剂量重复性、积分均匀性、扫描均匀性、曝光系统漂移；剂量精度包括有效狭缝宽度的测量误差、光源和透本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻机剂量均匀性的测量方法，其特征在于，包括：/n上载待曝光掩模版，所述待曝光掩模版包括监控标记；/n采用所述待曝光掩模版进行焦面-剂量矩阵曝光，获取不同焦距和曝光剂量下所述监控标记的套刻误差；/n确定所述焦距、所述曝光剂量与所述套刻误差之间的关系矩阵；/n根据所述关系矩阵确定曝光剂量作用区间；/n采用所述曝光剂量作用区间内的任意曝光剂量对所述待曝光掩模版进行焦距矩阵曝光；/n获取所述监控标记的实际套刻误差；/n根据所述关系矩阵以及所述实际套刻误差确定曝光场内各点的实际曝光剂量，以得到光刻机的剂量均匀性。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻机剂量均匀性的测量方法，其特征在于，包括：
上载待曝光掩模版，所述待曝光掩模版包括监控标记；
采用所述待曝光掩模版进行焦面-剂量矩阵曝光，获取不同焦距和曝光剂量下所述监控标记的套刻误差；
确定所述焦距、所述曝光剂量与所述套刻误差之间的关系矩阵；
根据所述关系矩阵确定曝光剂量作用区间；
采用所述曝光剂量作用区间内的任意曝光剂量对所述待曝光掩模版进行焦距矩阵曝光；
获取所述监控标记的实际套刻误差；
根据所述关系矩阵以及所述实际套刻误差确定曝光场内各点的实际曝光剂量，以得到光刻机的剂量均匀性。


2.根据权利要求1所述的光刻机剂量均匀性的测量方法，其特征在于，所述确定所述焦距、所述曝光剂量与所述套刻误差之间的关系矩阵包括：
计算各所述曝光剂量下，所述套刻误差与所述焦距的比值；
建立所述比值与所述曝光剂量的关系。


3.根据权利要求2所述的光刻机剂量均匀性的测量方法，其特征在于，建立所述比值与所述曝光剂量的关系包括：
通过线性拟合、二次项拟合或指数拟合，确定所述比值与所述曝光剂量的关系。


4.根据权利要求1所述的光刻机剂量均匀性的测量方法，其特征在于，所述监控标记包括至少一个重复单元；
所述重复单元包括沿第一方向延伸、沿第二方向排列的第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域，所述第一方向与所述第二方向相交；
其中，所述第一区域为透光区域，所述第三区域为透光相转变区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘泽华，陈震东，
申请(专利权)人：上海微电子装备集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31