量测设备制造技术

一种用于确定衬底上的结构的关注的特性的量测设备，所述量测设备包括：辐射源，所述辐射源用于产生照射辐射；至少两个照射分支，所述至少两个照射分支用于照射所述衬底上的所述结构，所述照射分支被配置成从不同角度照射所述结构；以及辐射切换器，所述辐射切换器被配置成接收所述照射辐射并且将所述照射辐射的至少一部分转移至所述至少两个照射分支中的可选的一个照射分支。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】量测设备相关申请的交叉引用本申请主张2018年9月4日递交的欧洲申请18192442.4和2019年1月15日递交的欧洲申请19151907.3的优先权，这些欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
本专利技术涉及一种用于确定衬底上的结构的关注的参数的量测设备和一种用于确定所述关注的参数的方法。
技术介绍
光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。例如，光刻设备可用于例如集成电路(IC)的制造。光刻设备可例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(也常被称为“设计布局”或“设计”)投影到设置于衬底(例如晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了可以形成于所述衬底上的特征的最小大小。当前使用的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。使用具有在4至20nm(例如6.7nm或13.5nm)范围内的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可被用来在衬底上形成比使用例如具有约193nm波长的辐射的光刻设备更小的特征。<br>低k1光刻术可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于确定衬底上的结构的关注的特性的量测设备，所述量测设备包括：/n-辐射源，所述辐射源用于产生照射辐射；/n-至少两个照射分支，所述至少两个照射分支用于照射所述衬底上的所述结构，所述照射分支被配置成从不同角度照射所述结构；以及/n-辐射切换器，所述辐射切换器被配置成接收所述照射辐射并且将所述照射辐射的至少一部分转移至所述至少两个照射分支中的可选的一个照射分支，/n其中所述辐射切换器包括：/n普克尔盒，所述普克尔盒被配置成控制所述照射辐射的偏振方向并且输出偏振受控的照射辐射，和/n偏振分束器，所述偏振分束器在光学上位于所述普克尔盒的下游，且被配置成根据所述偏振受控的照射辐射的所述偏振方向...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180904 EP 18192442.4;20190115 EP 19151907.31.一种用于确定衬底上的结构的关注的特性的量测设备，所述量测设备包括：
-辐射源，所述辐射源用于产生照射辐射；
-至少两个照射分支，所述至少两个照射分支用于照射所述衬底上的所述结构，所述照射分支被配置成从不同角度照射所述结构；以及
-辐射切换器，所述辐射切换器被配置成接收所述照射辐射并且将所述照射辐射的至少一部分转移至所述至少两个照射分支中的可选的一个照射分支，
其中所述辐射切换器包括：
普克尔盒，所述普克尔盒被配置成控制所述照射辐射的偏振方向并且输出偏振受控的照射辐射，和
偏振分束器，所述偏振分束器在光学上位于所述普克尔盒的下游，且被配置成根据所述偏振受控的照射辐射的所述偏振方向来将所述偏振受控的照射辐射透射至所述至少两个照射分支中的第一照射分支或将所述偏振受控的照射辐射反射至所述照射分支中的第二照射分支。


2.根据权利要求1所述的量测设备，所述量测设备还包括上游声光可调谐式滤光器，所述上游声光可调谐式滤光器光学上布置在所述普克尔盒的上游，并且被配置成线性地偏振所述照射辐射。


3.根据权利要求1或2所述的量测设备，所述量测设备还包括半波长延迟器，所述半波长延迟器被布置于所述第一照射分支和第二照射分支中的一个照射分支中且被配置成对在所述第一照射分支和第二照射分支中的所述一个照射分支中由所述偏振分束器分别透射或反射的所述偏振受控的照射辐射的所述偏振方向进行旋转。


4.根据前述权利要求中任一项所述的量测设备，其中所述照射分支各自包括布置于所述辐射切换器的下游且被配置成接通和断开相应的照射分支的相应的下游声光可调谐式滤光器。


5.根据前述权利要求中任一项所述的量测设备，所述量测设备还包括控制器，所述控制器被配置成接收表示所述照射辐射的波长的数据并且根据所述照射辐射的所述波长来控制被施加至所述普克尔盒70的电压。


6.根据任一前述权利要求所述的量测设备，其中所述辐射切换器包括空间光调制器，并且其中可选地，所述空间光调制器包括微反射镜器件。


7.根据任一前述权利要求所述的量测设备，其中所述辐射切换器包括声光偏转器。
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【专利技术属性】
技术研发人员：M·J·M·范达姆，A·J·登鲍埃夫，N·潘迪，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL