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本发明公开了一种光刻机剂量均匀性的测试方法。该测试方法包括：上载待曝光掩模版，待曝光掩模版包括监控标记；采用待曝光掩模版进行焦面‑剂量矩阵曝光，获取不同焦距和曝光剂量下监控标记的套刻误差；确定焦距、曝光剂量与套刻误差之间的关系矩阵；根据关系...
该专利属于上海微电子装备(集团)股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海微电子装备(集团)股份有限公司授权不得商用。

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